明年行动DRAM超越标准型成出货主力

标准品遭篡位！明年行动DRAM成出货主力

随需求端全面结构性的改变，预估2014年行动式记忆体出货将正式超越标准型DRAM，首度成为DRAM产业当中位元出货量最大的产品别。因Samsung部分产品的行动DRAM采取外购规则，SK Hynix与Samsung的市占率差距将可望缩小。

回顾Q3今年各大行动DRAM厂销售状况，受智慧型手机出货升温、乃至SK Hynix无锡厂火灾影响，所有行动式DRAM产品线当季价格下跌幅度均有收敛，单季营收总值达到约33亿美元，季增14%，占总DRAM营收比例已经超过3成，随着出货比重增加，营收仍会持续向上提升。

根据调查Samsung与SK Hynix两家韩厂在行动DRAM总市占率约达76.3%，Samsung市占率并过半，对行动式记忆体价格或产业走向都将产生决定性的影响。行动式DRAM产业的关键变数，仍落在美光与尔必达合并后供应链生态演进，同时因需求端典范转移，明年行动DRAM产品的位元出货量就可望超过标准型DRAM，成为DRAM产业的最主流出货产品。

观察行动DRAM后市演变，由于Samsung集团中的Galaxy系列手机已开始向SK Hynix和Micron采购行动记忆体，藉此挪出更多资源展开新世代产品的布局，预估Samsung后续市占率应维持在40-50%之间。

而SK Hynix方面，该公司在中国地区智慧型手机的市占率仍继续向上攀升，在其他品牌厂对于采购Samsung零组件供应有疑虑时，成为最大的受惠厂家。同时，SK Hynix与Samsung在行动式记忆体的产品规划几乎不分轩轾，无论是最先进25nm制程转进、LPDDR3 6Gb的样品等都在客户验证当中，后续Samsung外购规则效应持续带动下，两者之间的差距预期将会逐季拉近。

另一方面，Micron今年来自大客户Apple(自合并Elpida取得)的传统出货旺季需求，旗下子公司台湾美光记忆体(原瑞晶)也同时贡献行动式记忆体产出，除了智慧型手机与平板电脑外，Apple的MacBook Air产品首度搭载LPDDR3记忆体，且单机记忆体搭载量高于手机及平板数倍，对于未来新美光集团的营收挹注将有显著的贡献。

长远来看，Micron与Elpida的结合会使其行动式记忆体的产品线更为完备，多晶片封装记忆体(eMCP)将是未来出货的重点项目，大容量产品将对明年度的营收有不小的贡献。

而就台厂动态来看，华邦电(2344)今年Q3则受到功能性手机出货日渐衰退，导致小容量记忆体出货不如以往，不过华邦电已积极布局4G/LTE的Baseband为开发导向的中小容量行动式记忆体、同时朝向生产较大容量的行动式记忆体如LPDDR1和LPDDR2，目前二者皆已进入量产阶段，未来更考虑将产能转入力晶代工，落实华邦电“Fab-lite(轻晶圆厂)”的营运规则。

而另一重点台厂南科(2408)方面，随着行动式记忆体正式导入量产，Q3营收已出现明显跳增。目前其LPDDR2 4Gb已导入量产，接着则为LPDDR3 4Gb产品，由于南科主流产品皆使用30nm制程，其竞争力有机会与一线大厂相抗衡。目前南科对于行动式记忆体的规则，先期将以中国市场为主，并同时与一线模组厂合作多晶片封装(eMCP)的产品，试图突破重围、在中国市场攻城掠地。