混合立方体记忆体

混合立方体记忆体

混合立方体记忆体(Hybrid Memory Cube；HMC)是属于同质性记忆体3D IC堆叠技术，由美系记忆体大厂美光(Micron)主导研发，后来三星电子(Samsung Electronics)、IBM等大厂也先后加入。目前美光已推出HMC产品，由于成本较高，因此初期是导入绘图卡应用、超级电脑、伺服器、网路设备等高单价的市场应用为主。

半导体产业热烈讨论摩尔定律到达极限，但其实DRAM制程技术早已脱离摩尔定律走势，物理极限让DRAM技术难以微缩至10奈米制程，讲求推叠技术的3D IC技术开始被导入，进而延续过去传统DRAM生产制造的低成本优势。

美光已推出2GB版本HMC产品的工程样本，有别于传统DRAM的平面配置，以立体堆叠设计，并能利用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via；TSU)技术将立体多层DRAM和逻辑元件封装在一起，频宽流量大，且功耗大幅减少，是能够同时兼顾频宽、密度、低功耗等需求的新一代记忆体设计，美光也规划HMC容量提升至4GB版本，其工程样本可于2014年推出。