MRAM发展史

MRAM发展史

磁性记忆体(MRAM)的滥觞最早可以上推到1955年问世的磁芯记忆体(Magnetic Core Memory)，虽然结构不同，但资料读写的机制基本上与现在的磁性记忆体是一样的。

1988年时，欧洲科学家Albert Fert与Peter Grunberg发现了薄膜结构中存在巨磁阻效应(Giant Magnetoresistive Effect)，为现代的MRAM发展奠定基础。之后摩托罗拉(Motorola)的半导体部门、IBM、英飞凌(Infineon)、Cypress Semiconductors、瑞萨(Renesas)等业者，以及目前的DRAM三巨头三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)均曾陆续投入研发MRAM的行列。

截至目前为止，MRAM仍无法成为记忆体市场的主流，即便这项技术理论上可以实现近似DRAM的储存密度与读写速度，又具备快闪记忆体(Flash)非挥发特性，有终极记忆体之称。目前已经商品化的MRAM晶片最大容量仅达64Mb，仅适合用于嵌入式电子产品或当作快取记忆体使用，要取代DRAM或Flash仍有很长的一段路要走。