电阻式记忆体PRAM

电阻式记忆体

电阻式记忆体(Resistive Random Access Memory；RRAM)是一种新型的非挥发性记忆体，其优点在于消耗电力较低，且写入资讯速度比NAND Flash快约1万倍。

所谓电阻式记忆体常用的基本结构，是以一个电晶体与一个电阻，或一个二极体加一个电阻所组成。电阻式记忆体本身结构为金属／绝缘层／金属结构，藉由外加偏压来改变电阻值，以执行写入与抹除的动作，使元件形成高、低电阻的状态，即数位讯号中的“0”与“1”。

因电阻式记忆体没有热传导问题，所以半导体后段制程可用堆叠方式，以降低面积而增加元件密度。电阻式记忆体的薄膜材料使用上有高分子材料、钙钛矿、二元氧化物与三元氧化物。