上周回顾及下周分析预测
名牌产品：ACEplus、Apacer宇瞻、CYNO新洋、Kingstek金士泰、Kingxcon金士刚、Keyram麒仑、BiaoXing标星、PNY必恩威、SAMSUNG 三星金条、Smart世迈智能内存、TwinMOS勤茂、MAKWAY迈威、PQI 劲永、Kingtiger金泰克（排名不分先后）
上周走势回顾：
上周DRAM市场的走势主要受到供应充足和需求稳定的双重影响，走势则继续维持震荡下跌态势。主要表现为Hynix DDR400的价格持续下调，从而对略有趋稳的UTT构成压力，导致UTT周末也出现走软。业者普遍采取观望的态度，炒作气氛降至接近冰点。目前Hynix的价格迅速拉近与UTT的价格，相信未来的Hynix的销量会有所上升。
同时炒作方面，受Hynix DDR400的价格下跌的影响，市场炒作主力存货256MB Hynix DDR266/333价格结束反弹开始回落。
主要品牌的内存的分销商认为，年底前需求仍然看不到有明显好转的任何迹象，他们目前将继续维持8月以来的保守的操作手法，卖多少补多少。
目前的DDRII销量继续增长，价格似乎开始趋稳，但目前市场上DDRII的压力仍偏大。
SDRAM的价格上周也呈现微幅下跌走势，需求一般，但利润相对要好。
Nand Flash的价格上周结束了其高位震荡出货的阶段，价格开始回落，未来短线还是以缓慢下跌为主，中线走势已经趋于明朗。
下周分析与预测：
上周Hynix的价格迅速下跌，其中Hynix 32MBX8的颗粒价格跌至2.05美金附近，64MBX8的颗粒跌至4美金，32MBX16的颗粒跌至3.90美金。这种价格相对UTT的价格而言，其竞争力就凸显出来，何况Hynix的品牌优势和完全测试的颗粒质量也是不用担心的。相信未来两者的价差会进一步缩小，并逐步对UUT的价格构成越来越大的压力。Hynix的价格调整不知道是否意味着其重新开始重视大陆的现货市场，如果是这样那么未来的价格走势还是蛮有看头的。
品牌内存上周的价格继续维持震荡下跌走势，但我们注意到部分主流品牌的价格似乎并未跟随市场的下跌走势，而是采用稳定价格的策略，但就不知道这种策略在以降价为主要竞争手段的大陆市场能否奏效？总的来讲，几乎所有的品牌内存的价格均出现了不同程度的下跌，只是幅度大小而已，而且UTT打字内存市场份额正在被各种品牌内存挤压，市场份额也越来越小，尤其当进入DDR2后，其走势堪忧。
我们继续维持8月以来的研判，预计下周走势会继续维持震荡下跌的几率仍然偏高，即短线价格继续维持极为缓慢的下跌，短线仍不会有任何大的反弹的机会。
Nand Flash的价格经过几周的盘整，迟迟未能突破前期高点，于是于上周开始掉头向下寻求支撑，也就意味着短线开始了缓慢下跌走势，即拐点已经出现在11月中旬左右。
上周市场商家平均关注指数：70 （满分：100分）炒作热度略有下降，市场中的炒作气氛比前一周的水准又有所下降，市场趋近理性，但炒作热度仍略高一点，部分进入Nand Flash市场的游资开始撤出。但就DRAM市场而言，目前还有1/5左右的炒家仍未退场，短线所以还是以偏软的走势为主。
256MB DDR266 Hynix RMB107－117
256MB DDR333 Hynix RMB113－125
256MB DDR400 Hynix RMB140－149
512MB DDR400 Hynix RMB265－278
256MB DDR400 UTT/ETT RMB125－135
512MB DDR400 UTT/ETT RMB260－269
对下周走势，我们继续持“中偏空”的看法，即下周继续维持总体缓慢下跌的震荡走势，操作上建议继续维持正常经营。但预计一部分品牌内存的价格还有一跌，拉近与其它品牌的价差后，之后品牌内存的跌势将开始逐步趋缓；而DDR2的销量将继续逐步得以提升。
目前的价位库存不宜太高，但也不宜过低，正确的建仓手法应该是逢低位维持2－3天消化量的库存量，一旦反弹即以消化库存为主。
下周关注的重点将是Hynix的走势，近来Hynix的产能不断扩大，Nand Flash上取得了骄人的成绩，原来制程落一直后于其它主要竞争对手，但目前成本过高的情况得到改善，成本也大幅下降，预计新开出的产能将会主要用于Nand Flash上，但成本的下降和产量的增加对DRAM的现货价格影响肯定是有的。我们是预计未来年底前，UTT将会与Hynix的价差维持在0.05-0.1美金范围内。
SDRAM的价格总体继续偏软盘整，需求继续放缓。
Flash的走势短线已经明朗，11月初左右的价格就是价格区间的高位，目前的价格已经开始进入下降通道，审慎操作。
DDR2 Hynix释单 力成泰林联测 三家均分
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韩国DRAM大厂Hynix的DDR2委外测试订单，确定将于明年第一季正式释出，将由力成、泰林、联测等三家业者均分，第一季每家封测厂每月接单量约二百万颗左右，但未来随着Hynix将DRAM产能全数移转至DDR2后，预计明年第三季后每家封测厂每月接单量可达千万颗以上。此外，Hynix也首度将DDR2封装订单释出委外代工，联测已经获得认证，明年将以窗孔闸球阵列封装（wBGA）为Hynix代工。
Hynix今年九月重新释出DDR委外测试订单来台，第四季也开始小量释出DDR2测试工程订单，交由国内三家主要测试代工厂进行认证，由于认证过程顺利，Hynix第一季已经确定将开始释出DDR2测试订单来台。
据封测业者指出，Hynix明年第一季除了维持DDR测试订单量能外，也会开始将DDR2测试委外代工订单释出，并由力成、泰林、联测等三家业者均分，根据Hynix释单规划，第一季每家封测厂每月接单量约二百万颗左右，之后配合Hynix调整自有晶圆厂产能调整，提高DDR2产出比重，三家封测厂接单量亦将持续增加，至明年下半年，每家封测厂月接单量就会超过千万颗水准。
当然Hynix的DDR2委外测试订单增加，原本DDR测试量能也将开始减少，联测母公司联合科技（UTAC）总裁李永松昨日就指出，第四季DRAM测试产能仍然吃紧，所以DDR测试价格与第三季持平，并没有受到DRAM价格下跌影响，但因明年起DDR及DDR2将开始出现主流规格世代交替，明年第一季DDR测试价格可能会向下调降，但幅度不会太多，至于DDR2在订单量持续增加下，测试价格将可维持与第四季持平情况。
而Hynix除了将DDR2测试订单委外代工，也将释出DDR2封装订单。联合科技表示，Hynix希望封测代工厂可以做到封装测试一元化（turn-key）服务，所以明年就会同步释出DDR2封装订单，联测现在已获得Hynix封装认证，明年起将会以wBGA技术，开始为Hynix代工DDR2封装，初期每个月下单量约一百万至二百万颗，之后将会随着Hynix产出增加而提高。
摩根士丹利调降DRAM评等
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趁着股价反弹，摩根士丹利证券科技产业分析师王安亚昨（二四）日全面调降DRAM类股投资评等至“中立”，他表示，明年农历年后DRAM现货价格还有跌到一．五美元的空间，加上明年第一季华亚上市的资金排挤效应，最佳的布局时点应从明年第二季开始。
近期调降DRAM个股投资评等者，摩根士丹利证券并非第一家，花旗美邦证券半导体分析师张家麒先前在Infineon宣布将DRAM业务切割出去后，便将南科投资评等调降至“卖出”。
但并非所有外资法人对DRAM族群的看法都这么保守，昨天才将台股与亚太区科技股投资评等双双调升至“加码”的瑞士信贷第一波士顿（CSFB）证券便指出，从投资价值角度看，亚洲DRAM股对客户仍有相当高吸引力，力晶更是除了台积电与联电外的外资主要买超标的。
此外，包括美商美林证券在内的外资法人也都认为，英特尔与美光联手进军NAND Flash，对DRAM产业不见得是坏事，美商高盛证券科技产业分析师黄玉惠还继续建议客户加码力晶！
搭着半导体类股标涨的顺风车，DRAM族群同样赚到一段不小的涨幅，但有别于其他次族群，对外资法人而言，DRAM应是基本面尚未完全触底的产业，也因此，多数外资法人仍将这波涨幅视为短线反弹，且多是短线对冲基金杰作。
摩根士丹利证券昨天将力晶、南亚科、华邦电三档个股的投资评等调降，均从“加码”调降至“表现与大盘相仿”，将明年每股获利预估值分别调降至一．三五、○．五元、负○．二一元，目标价则调降至二○元、十九元、一○元。
王安亚表示，元月效应不可轻忽，本来就想趁年底这波反弹后，建议客户调节持股，他认为明年第二季将是较佳的进场时点，着眼于微软Vista所带动的二○○七年新一波景气循环。
王安亚指出，明年过完农历年后，DDR1与DDR2现货价格将会跌到一．五美元的价位，距离目前价位还有二五％左右的跌幅，也就是说，台湾DRAM厂商明年第二季前仍有亏损压力，更别说华亚明年第一季将上市，对其他DRAM股所造成的资金排挤效应，不可小觑！
英特尔美光合作 美林：NAND仍持续成长
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全球最大的半导体大厂英特尔，宣布与美光半导体合资成立一家NAND快闪记忆体公司，由于英特尔在市场上向来动见观瞻，成立合资公司消息立刻导致东芝与三星等记忆体大厂22日股价大跌，不过美林证券表示，NAND未来需求仍将持续成长，即使有新产能加入，也不会步上DRAM的后尘。
由于消费电子大厂苹果电脑，持续对NAND快闪记忆体产能吃紧表达关切，英特尔终于决定下海，与美光半导体共组公司生产NAND，英特尔占新公司的股权比率为49%，双方预估在2007年时，在NAND的全球市占率将达8%到10%，居于全球第四大，受到英特尔加入NAND市场，东芝、三星与Hynix等个股22日都出现大跌情形，不过昨日已止跌回稳。
美林证券表示，尽管市场担心，英特尔的加入，可能导致NAND出现供过于求现象，不过从目前三星与东芝NAND产能
，仍无法满足全球需求下，在消费性电子业对NAND需求持续殷切下，未来这家新公司产能将轻易地被市场需求吸收，加上新公司生产线，系由美光既有DRAM生产线移转过来，短期内不会新增NAND生产线。
第四季DRAM厂毛利率不到15％
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第四季以来，国内DRAM厂看好年底欧美传统旺季需求，认为主流产品二五六Mb DDR现货价可望维持在二．五美元，不过十月份主机板厂或笔记型电脑（NB）厂出货虽再创新高，但DRAM却由十月初的二．六美元，一路跌至昨日的二．一美元。十一月是美光季底、十二月是大部份DRAM厂季底，DRAM厂抛售库存压力不轻，市场悲观认为卖压将持续涌现，并拉低DRAM价格，台湾DRAM厂第四季毛利率恐怕只维持在一○％至一五％间。
虽然传统欧美的圣诞节旺季，的确刺激主机板及NB出货量持续成长，十月份平均出货量均较九月份成长一三％左右，但是却没有如DRAM厂预期般，带动DRAM需求量成长。DRAM通路商表示，主机板、NB及OEM电脑大厂等主要买家，手中DRAM库存过高，在去化库存优先策略下，十一月以来DRAM买气更弱，DRAM价格不跌都难。
在需求持续转弱情况下，DRAM厂供给量还是不断开出，光是今年第三季时，力晶第二座十二寸厂已将月产能拉高至
一万五片至二万片间，华亚科技也拉高至六万片，加上Hynix、三星、美光等开始大量以九○奈米新制程投片，光制程微缩就会让单片十二寸晶圆产出颗粒增加二五％至三○％，而这些新增产出量均在十月后陆续开出，供给过剩市况自然会对现货价造成强大的跌价压力。
现在多数市场人士，均相信DRAM将维持下跌趋势，所以市场买气继续萎缩，除非手中有订单，否则不会采购DRAM颗粒，加上十一月是美光的季报最后一个月，十二月则是台湾、韩国二地年报结算期，市场悲观认为，卖压会持续涌现，并会拉低DRAM现货价。
台湾DRAM厂虽然第四季开始进行九○奈米制程微缩工程，努力降低单位生产成本，但DRAM价格滑落速度，看起来仍比成本降低速度还快。二五六Mb DDR第三季现货均价约二．六美元，合约价约二．六四美元，所以力晶及南亚科毛利率可维持在二一％以上，茂德则维持在一七．五％，但第四季价格跌得快，若均价跌至二．二美元，DRAM厂成本降幅约一成，则台湾DRAM厂第四季最高只可维持毛利率在一○％至一五％左右。
市场分析师则认为，国内DRAM厂的营业利益率，普遍维持在一五％上下，所以若第四季DRAM价格下跌，造成毛利率维持在一○％至一五％间，则DRAM业者本业要继续维持获利的难度大增，明年第一季目前看来价格跌势将加剧，亏损压力已经浮出枱面。
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