上周回顾及下周预测

上周走势回顾：上周DRAM市场的走势主要受到供应充足和需求稳定的双重影响，走势则继续维持震荡下跌态势。主要表现为Hynix DDR400 32X8的价格继续小幅下调，而64X8的颗粒继续大幅下调。而UTT的价格就稳定在1.85美金附近，但预计未来Hynix的价格将继续对其构成压力。UTT内存的价格仍旧维持微幅下跌走势，256MB/512MB UTT DDR400的价格跌至126/257元，但Hynix DDR400 512MB和1GB的价格就分别跌至260元/520元附近，其中就以1GB的跌幅为大，这主要是新货到货将价格拉下来所至。目前Hynix的价格迅速拉近与UTT的价格，如果UTT继续维持这种缓慢的跌势，两者的价差可能会因此缩小，未来的Hynix的销量尤其是512MB和1GB内存会迅速上升的。主要品牌的内存的分销商继续普遍认为，年底前需求仍然看不到有明显好转的任何迹象，他们目前将继续维持8月以来的保守的操作手法，卖多少补多少。目前的DDRII销量继续增长，价格似乎开始趋稳，但目前市场上DDRII的压力仍偏大。SDRAM的价格上周也呈现微幅下跌走势，需求一般，但利润相对要好，这边风景独好。Nand Flash的价格自上周开始回落后，中线走势震荡下跌走势已经趋于明朗，但低阶跌势趋缓，高节的下跌空间还是有的并且还很大。

名牌产品：ACEplus、Apacer宇瞻、CYNO新洋、Kingstek金士泰、Kingxcon金士刚、Keyram麒仑、BiaoXing标星、PNY必恩威、SAMSUNG 三星金条、Smart世迈智能内存、TwinMOS勤茂、MAKWAY迈威、PQI 劲永、Kingtiger金泰克（排名不分先后）

 

上周走势回顾：

上周DRAM市场的走势主要受到供应充足和需求稳定的双重影响，走势则继续维持震荡下跌态势。主要表现为Hynix DDR400 32X8的价格继续小幅下调，而64X8的颗粒继续大幅下调。而UTT的价格就稳定在1.85美金附近，但预计未来Hynix的价格将继续对其构成压力。

UTT内存的价格仍旧维持微幅下跌走势，256MB/512MB UTT DDR400的价格跌至126/257元，但Hynix DDR400 512MB和1GB的价格就分别跌至260元/520元附近，其中就以1GB的跌幅为大，这主要是新货到货将价格拉下来所至。目前Hynix的价格迅速拉近与UTT的价格，如果UTT继续维持这种缓慢的跌势，两者的价差可能会因此缩小，未来的Hynix的销量尤其是512MB和1GB内存会迅速上升的。

主要品牌的内存的分销商继续普遍认为，年底前需求仍然看不到有明显好转的任何迹象，他们目前将继续维持8月以来的保守的操作手法，卖多少补多少。目前的DDRII销量继续增长，价格似乎开始趋稳，但目前市场上DDRII的压力仍偏大。

SDRAM的价格上周也呈现微幅下跌走势，需求一般，但利润相对要好，这边风景独好。

Nand Flash的价格自上周开始回落后，中线走势震荡下跌走势已经趋于明朗，但低阶跌势趋缓，高节的下跌空间还是有的并且还很大。

 

下周分析与预测：

上周Hynix的价格继续迅速下跌，其中Hynix 32MBX8的颗粒价格跌至2美金附近，64MBX8的颗粒就更跌至3.8美金附近，这种价格相对UTT的价格而言，其竞争力更加明显，市场中的Hynix 1GB DDR400的价格也快速下跌到550元左右。相信未来两者的价差会进一步缩小，并逐步对UUT的价格构成越来越大的压力。而UTT的32X8的颗粒价格继续处于1.85美金附近，似乎在所谓的成本价1.80美金附近有所支撑。

DRAM市场的需求继续维持平静，全球最大的存储器市场美国市场和第二大市场中国大陆市场需求稳定而平静，美国市场的圣诞采购已经结束，随后将开始进入平静期；而中国大陆市场正临近春节前的旺季，但由于近期的供应充足相信会出现与美国的圣诞市场相似的走势，较难出现大幅上涨的局面。

我们继续维持8月以来的研判，预计下周走势会继续维持震荡下跌的几率仍然偏高，即短线价格继续维持极为缓慢的下跌，短线仍不会有任何大的反弹的机会。

Nand Flash的价格开始向下寻求支撑后，也就意味着短线开始了缓慢下跌走势，但相信走势仍为有分化，即高阶的继续维持震荡下跌走势，低阶走势将趋缓并稳定。

上周市场商家平均关注指数：70 （满分：100分）炒作热度与上周基本持平，市场渐趋近理性，但炒作热度仍略高一点，但就DRAM市场而言，目前还有1/5左右的炒家仍未退场，所以仅从这个意义而言短线还是以偏软的走势为主。

 

256MB DDR400 8C   Hynix RMB137－145
512MB DDR400 8C   Hynix RMB245－260
1GB      DDR400 16C Hynix RMB500－550
 
256MB DDR400 8C   UTT/ETT RMB120－132
512MB DDR400 16C UTT/ETT RMB240－255

 

对下周走势，我们继续持“中偏空”的看法，即下周继续维持总体缓慢下跌的震荡走势，操作上建议继续维持正常经营。随着Hynix 64X8颗粒价格的大幅下跌，未来32X8颗粒的价格将继续承受压力，明年一季度底前将完成256MB向512MB的转换，第一季度底前，完成DDR向DDR2的转换。12月前反弹的机会渺茫，未来近期主要观察点是64X8的价格走势。

SDRAM的价格总体继续偏软盘整，需求继续放缓。

Flash的走势短线已经明朗，高节继续震荡下跌；而低阶的相对稳中偏软。

 

(史军执笔，仅供参考) www.dram.com.cn

 

 

消息汇总：

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CSFB：DRAM产能过剩 明年下半年可望好转 
   

瑞士信贷第一波士顿（CSFB）看好明年下半年DRAM供过于求的情况可望好转，在今天的报告中调高力晶（5346）的信用评等，与南科（2408）同列为“优于市场”。  

根据CSFB供需模式推算，DRAM明年上半年将面临产能供给过剩，供过于求的情况在第一季为3%，第二季为6%，也将使得DRAM的价格第一季下跌7%，第二季再少5%。

不过由于面版的价格明年第一季可望下滑，将使电脑通路商有较高意愿使用价格较高的DDR2，且明年晶片组缺货情况将不再重演，在电脑制造商有较好的制造时程规划下，将提升DRAM的库存率。

CSFB看好明年下半年DRAM供过于求的情况可望好转，在今天的报告中调高力晶的信用评等，与南科同列为“优于市场”。

CSFB研究报告指出，DRAM类股的股价已提早反映明年上半年产量过剩利空，股价正处低档，依过去的经验，此时进场布局将有20%至30%的优势。941202

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瑞萨恐将全面退出NAND Flash市场

2年内仍有4GB产品　若部门分割、谁接手备受瞩目

全球NAND型快闪记忆体（Flash）产业竞争愈来愈激烈，程度与过去标准型DRAM相较有过之而无不及。目前虽还陆续有厂商加入竞争者行列，但已有NAND型Flash大厂开始选择退出。日系大厂瑞萨（Renesas）已确定全面退出NAND型Flash市场，不过未来2年内还是可以在市场上看到瑞萨的产品，但最高容量将仅到4GB规格。至于后续瑞萨所属的Flash部门如何切割出去，市场分析师认为，其目前的策略代工合作伙伴相当有机会接手，但还需要再进一步观察。 　

目前全球NAND型Flash市场竞争可说是已到了春秋战国时代，竞争程度完全不亚于过去标准型DRAM。回顾数10年前，全球标准型DRAM供应大厂家数高达20～30家，不过经过近几年来的产业竞争淘汰赛后，部份DRAM厂因制造成本或制造技术上无法与别家一较高低，因此陆陆续续有多家DRAM厂被迫退出DRAM产业，只是退出方式不同，有的直接将DRAM厂卖掉，有的则是将其独立出来，再跟其他独立出来的DRAM部门共同合资成立更具竞争力的新公司。 　

而此状态如今似乎也渐发生在NAND型Flash产业上，原本市场分析师认为NAND型Flash产业最快还要再等2～3年才会出现产业竞争，不过产业整并退出情况却提前开始发酵，且最先发酵的是制造能力仍相当不错的瑞萨。 　

据了解，市场已传出瑞萨确定4GB规格产品后，便不再继续制造更高容量产品，也就是8GB规格产品已确定不再进入量产，之后产品是否要继续生产则有待进一步观察。瑞萨将逐步全数退出NAND型Flash市场，因对瑞萨而言，销售AG-AND型Flash不是一项赚钱产品，相较于瑞萨其余产品线而言，AG-AND型Flash可算是赔钱产品，与其继续赔下去，倒不如早点断尾求生。 　

虽说瑞萨已确定不再生产Flash，但未来2年内还是可以看到瑞萨产品继续于市场中销售，只不过接下来瑞萨这块产品的专利要如何处理，才是后续市场所关注话题。据了解，其目前策略代工合作伙伴最有机会取得技术授权，其余的厂商想要在此时承接瑞萨的技术，困难度相对较高，因此最有可能是有其代工伙伴拿走其专利，重点在于代工伙伴要如何与瑞萨谈妥此部份专利问题，才能让双方达到双

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Vista有望2006年提前推出 

 

　　当我们还在猜测Vista会在2006年的什么时候推出时，突然传出消息说Vista可能会比预期早很多推出。原因是BusinessWeek收到了一份来自Windows高级执行官Chris Jones的内部blog拷贝。这份拷贝的blog声明Windows Vista的代码编写将会在2006年8月31号完成，使得微软有机会在圣诞季节推出Vista。

　　如果微软能够在2006年十月前后发布Vista，那微软能从12月的巨大市场需求中受益不少。当五年前推出Windows XP的时候，微软就创下了77.4亿美元的收入，比上一年增加了18％。微软是否在2006年推出Vista的时候再创高峰呢？我们拭目以待。

　　目前微软面临的最大挑战是，是否能按计划日期推出而不再跳票，Vista已经创下OS推出间隔最长的记录。Jones陈述道：“用户将不再面临产品的延迟，如果你要我作出承诺，我会说，如果我们不能在2006年8月31号前推出高质量的vista的话，我就不要奖金。”

　　Vista能在2006年的圣诞节发布吗？从Chris Jones的话中我们似乎看到，微软会尽一切能力及时推出成熟的产品。

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Hynix 2006年4月启用无锡半导体厂

根据南韩Electronic Times Internet 28日的报导，Hynix Semiconductor与STMicroelectronics（意法半导体）合资兴建的江苏无锡半导体厂，将在明年4月着手量产。
南韩业界相关人员27日指出，据传Hynix最快将在明年第一季底，最迟亦将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产DRAM为主，NAND型快闪记忆体则将视市场需求弹性生产。

无锡厂厂区达16万坪，Hynix计划投入2兆韩元以上兴建一座八寸晶圆厂与一座12寸晶圆厂。明年4月将启用的为8寸晶圆厂，将采用90奈米制程月产4万片（以八寸为基准）DRAM。

 明年第一季DRAM供过于求的比例将达3%、第二季达到顶峰的6%

明年的DRAM景气循环和今年一样，上半年供过于求的情形将在下半年逐渐改善，并预期DDR2将成为DRAM的主要商品、DRAM和NAND的差异性将持续扩大，而产能也会跨入90奈米的领域。根据瑞士信贷的预估，明年第一季DRAM供过于求的比例将达3%、第二季达到顶峰的6%，DRAM平均价格将在明年第一季下降7%，并在第二季持续下探5%。该券商也认为，晶片缺货的情形，可望在笔记型电脑厂商增加生产以及增加更多的DRAM存货下，得到舒缓。
台塑终于点头！南亚科12寸新厂迈大步

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初期投资约400～500亿元　明年1Q动工　采70奈米制程量产DDRⅡ或DDRⅢ

 
　南亚科（2408）规划兴建自己所属12寸晶圆厂，终于获得台塑（1301）高层同意，南亚科发言人白培霖28日证实，12寸厂建厂已获得台塑首肯，预计2006年第一季（1Q）末开始动工，第一阶段投资额约新台币400～500亿元，月产能规划为2.4万片，量产时间点约落在2007年中，而此时正好是DRAM景气相当不错的时间点。

　过去几个月来，南亚科对于自建12寸厂多所犹豫，除考量自建12寸厂是否能较华亚科盖12寸厂来得更有效率，加上台塑高层对于是否继续投资标准型DRAM产业，一直抱持怀疑态度，使得南亚科迟无法决定是否自建12寸厂。当时业界亦认为，未来华亚科挂牌上市后，恐将舍南亚科股票、转而购买华亚科股票，此将使得南亚科光环大为失色。

　南亚科28日终于证实，确定将自建属于自己的12寸厂，一扫业界对于南亚科未来成长动能恐将趋于迟缓的疑惑。白培霖表示，南亚科董事会已通过自建12寸厂案，初步规划第一阶段投资额约新台币400～500亿元，包含厂房兴建及第一阶段所需要机器设备等，月产能规划则约2.4万片，未来总产能规划将达6万片。

　量产时程方面，南亚科预计在2006年1Q进入动工阶段，2007年中正式开始小量投片，届时所采用制程技术为70奈米沟槽式（Trench）技术，预计第一阶段投片商品为1GB DDRII，甚至可能切入量产DDRIII，如此一来，南亚科将与茂德同样是在2007年导入70奈米制程投产。

　至于建厂厂址方面，目前选定在距离南亚科现有厂房不远处、坐落在泰山附近的一块台塑自有空地。

　南亚科强调，之所以不能没有属于自己的12寸厂，主要在于南亚科是一家拥有自有品牌的DRAM厂，无论在技术及产能上，绝对要能够充分自我掌握，尽管华亚科目前有一半产能调拨给南亚科，但随着竞争对手不断增加产能，南亚科未来要继续保有10％市占率，一定要自建12寸厂，以确保技术及产能来源稳定。

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尔必达广岛二厂完工　明年DRAM市占抢2成
致力于非PC用DRAM事业

　据彭博资讯（Bloomberg）报导，日本DRAM供应商尔必达（Elpida）社长兼执行长坂本幸雄于广岛二厂新生产线完工典礼上宣示，2006年尔必达将攻占全球DRAM市场20％以上的市占率；先前该公司揭露的市占目标约为15％。

　报导提及，目前尔必达广岛一厂的月产能为3.5万片（以12寸计），而增设的二厂新生产线系于2004年6月开始动工，之后陆续进行无尘室设置、生产设备迁入及试产作业。尔必达二厂月产能初期为4.5万片；至2006年1月时月产能达5.4万片，最大月产能可达6万片，推估到最后广岛厂整体月产能可望超过10万片。

　尔必达营运长大冢周一表示，目前一厂生产线的良率高，量产进度亦佳。他强调，DRAM事业需赢得成本竞争，方能存活。他表示，预估80奈米制程的量产时程在2006年下半，因此，尔必达有信心于2006年度中，在全球DRAM市场中拿下市占第二，起码攻占市占第三的位置。

　尔必达的主力产品为伺服器、手机、液晶电视（LCD TV）等数位产品用高阶DRAM，目前在全球DRAM市场的市占率约为7％。大冢周一表示，2008年数位家电、手机、游乐器用DRAM需求可望高于个人电脑（PC）用DRAM需求，而尔必达将致力于非PC用DRAM事业，并在全球市场上奋战。

　2005年度尔必达营收约达2,400亿日圆（约20亿美元）～2,500亿日圆；营业利益为70～120亿日圆；税后盈余为50～100亿日圆。

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台DRAM模组厂向配货策略Say No！
NAND Flash需求降温　DDRII库存过高　国际DRAM大厂配售措施吃闭门羹

 
　过去包括三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）及美光（Micron）等国际DRAM大厂为顺利出脱手上DDRII库存，通常会对DRAM模组厂进行强制配货措施，要求模组厂在购买NAND型快闪记忆体（Flash）时，亦需采买一定数量DDRII。不过，随着进入耶诞采购旺季末，模组厂对于NAND型Flash需求明显下降，近期纷罕见地拒绝国际DRAM大厂配货措施。国际DRAM大厂亦不甘示弱，强调此一情况应不会持续太久，一旦进入中国农历春节需求旺季，DRAM模组厂NAND型Flash需求大增，届时仍将重启配货策略。

　近几周来包括三星、海力士及美光等国际DRAM大厂，为顺利出清手中过多DDRII货源，纷要求模组厂在购买NAND型Flash同时，亦需采买一定数量DDRII，对于模组厂而言，由于当时一线消费性电子大厂如苹果（Apple）及Sony等，正处于产品铺货期，需要大量NAND型Flash货源作为支援，因此，多家NAND型Flash大厂均将手上货源，优先配货给这些消费性电子大厂，所剩货源才会供应给现货市场的DRAM模组厂，造成NAND型Flash货源不足。

　不过，近期国际DRAM大厂的配货策略明显踢到铁板，由于耶诞采购旺季需求即将进入尾声，采购过多NAND型Flash恐将形成库存，加上NAND型Flash价格仍处于持续走跌阶段，模组厂为避免遭库存烫伤，对于采购NAND型Flash态度保守许多。

　此外，过去几周来为顺应国际DRAM大厂的强行配货措施，以及补足NAND型Flash货源，模组业者手上DDRII颗粒库存量纷接近满水位状态，尽管DDRII市场需求已较过去出现些微成长，但若继续吃下DDRII货源，库存风险将大幅提升，因此，模组厂在此时不得不鼓起勇气向国际DRAM大厂的配货措施Say No。

　模组业者表示，过去由于需要充足的NAND型Flash货源支援，加上三星等国际DRAM大厂在NAND型Flash市场的供货实力，业者对于配货措施仅能逆来顺受，以免影响后续NAND型Flash货源供应，但随着市场对于NAND型Flash需求降温，以及业者手中DDRII货源已偏多情况下，已造成模组厂库存风险节节攀升，因而难再接受国际DRAM大厂配货措施。

　拥有多数NAND型Flash货源的三星对此则认为，目前此一情况应仅是短暂的过渡期现象，应不至于持续太久，原因在于NAND型Flash供货来源毕竟仍少于标准型DRAM，因此，只要几家DRAM大厂坚守NAND型Flash不放货，市场到头来仍将出现供不应求状态，预计在未来3～4周的需求淡季过后，紧接着又将进入中国农历春节需求旺季，届时模组厂仍将接受国际DRAM大厂既有的配货措施。

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力晶全力拼12寸厂进度　12C座落中科机率大增

 
　力晶（5346）董事长黄崇仁曾于第二座12寸厂开幕之际对外公布其建厂计画，未来6年内还要再兴建4座12寸厂，不过因第三座12寸厂建厂用地迟迟无法取得，市场人士相当担忧力晶建厂大计恐将向后递延。

　业者透露，力晶第三座12寸厂12C座落在台中科学园区机率较大，且可望于2006年2月初正式动工。依照力晶过去经验，可能要至2007年中左右才能正式投片，不过力晶12C还是有机会于2007年初开始投产，目前规划12C产能将与12A相差不多。

　力晶12C的建厂用地目前评估地点有2，分别为新竹科学园区以及台中科学园区，当初力晶较希望建在新竹科学园区，可享有地利之便。不过由于频遭当地居民抗争，不得不将建厂评估地点转至台中科学园区。

　距离黄崇仁对外公开表示12C正式动土时间点愈来愈近，力晶建厂人员开始加足马力，如今似乎已确定花落台中科学园区。对此力晶发言人谭仲民则表示，12C建厂用地还在等待中，还没有正确时间表。

　此外，12C建厂到正式将机器设备移入且架设好，需花费约10个月，因此12C可望在2007年初时便可正式加入力晶12寸厂军团，而此建厂时间在业界来说，可以称得上是超速。