上周回顾及月底前走势预测

上周走势回顾： 上周DRAM市场的走势继续受到供应充足和需求稳定的双重影响，走势则继续维持震荡下跌态势。主要表现为Hynix DDR400 32MX8的价格稳定，而64MX8和32MX16的颗粒继续下调。而UTT的价格就微幅下跌到1.80美金附近，相信未来Hynix的价格将继续对UTT构成压力，这点在上周已经非常明显，因为很难想象采用UTT颗粒的内存卖得比采用Hynix颗粒的内存价格高。 UTT内存的价格仍旧维持微幅下跌走势，UTT 256MB/512MB DDR400的价格跌至126/253元，但Hynix DDR400 512MB和1GB的价格就分别跌至247元/518元附近，其中就以1GB的跌幅为大，这主要是新货到货将价格拉下来所至。目前Hynix的价格迅速拉近与UTT的价格，其中512MB和1GB的价格已经低于UTT的价格。如果UTT继续维持这种缓慢的跌势，而Hynix继续维持以512MB的颗粒价格优势来与UTT的32X8竞争，相信不久使用Hynix颗粒的内存将重新在大陆现货市场崛起，这点近期无论是品牌内存还是兼容内存已经出现了这个苗头。例如：金士顿、金士泰部分型号内存已经采用Hynix颗粒。 我们从各主要品牌的内存的代理商及分销商处了解到，目前的市场需求略好于上月，但不够明显。稍微好转的需求远远赶不上DRAM厂家的增产速度。大家普遍认为，年底前需求仍然看不到有明显好转的任何迹象，他们目前将继续维持8月以来的保守的操作手法，卖多少补多少。目前的DDRII销量继续增长，价格似乎开始趋稳，但目前市场上DDRII的压力仍偏大。对于1月的行情，部分人士尚有乐观预期，认为明年1月底前有可能触底。 SDRAM的价格上周也呈现微幅下跌走势，需求尚可，但利润相对要好，主要用于非PC领域。 Nand Flash的价格继续呈现下跌走势，中线的震荡下跌走势已经明朗。高阶的下跌空间还是有的，并且还很大，短线没有任何反弹机会；但低阶的跌势将趋缓并有反复，但仍会维持在下降通道中。

上周走势回顾：

上周DRAM市场的走势继续受到供应充足和需求稳定的双重影响，走势则继续维持震荡下跌态势。主要表现为Hynix DDR400 32MX8的价格稳定，而64MX8和32MX16的颗粒继续下调。而UTT的价格就微幅下跌到1.80美金附近，相信未来Hynix的价格将继续对UTT构成压力，这点在上周已经非常明显，因为很难想象采用UTT颗粒的内存卖得比采用Hynix颗粒的内存价格高。

UTT内存的价格仍旧维持微幅下跌走势，UTT 256MB/512MB  DDR400的价格跌至126/253元，但Hynix DDR400 512MB和1GB的价格就分别跌至247元/518元附近，其中就以1GB的跌幅为大，这主要是新货到货将价格拉下来所至。目前Hynix的价格迅速拉近与UTT的价格，其中512MB和1GB的价格已经低于UTT的价格。如果UTT继续维持这种缓慢的跌势，而Hynix继续维持以512MB的颗粒价格优势来与UTT的32X8竞争，相信不久使用Hynix颗粒的内存将重新在大陆现货市场崛起，这点近期无论是品牌内存还是兼容内存已经出现了这个苗头。例如：金士顿、金士泰部分型号内存已经采用Hynix颗粒。

我们从各主要品牌的内存的代理商及分销商处了解到，目前的市场需求略好于上月，但不够明显。稍微好转的需求远远赶不上DRAM厂家的增产速度。大家普遍认为，年底前需求仍然看不到有明显好转的任何迹象，他们目前将继续维持8月以来的保守的操作手法，卖多少补多少。目前的DDRII销量继续增长，价格似乎开始趋稳，但目前市场上DDRII的压力仍偏大。对于1月的行情，部分人士尚有乐观预期，认为明年1月底前有可能触底。

SDRAM的价格上周也呈现微幅下跌走势，需求尚可，但利润相对要好，主要用于非PC领域。

Nand Flash的价格继续呈现下跌走势，中线的震荡下跌走势已经明朗。高阶的下跌空间还是有的，并且还很大，短线没有任何反弹机会；但低阶的跌势将趋缓并有反复，但仍会维持在下降通道中。

 

下周分析与预测：

上周Hynix的价格继续迅速下跌，Hynix 32MX8 DDR400的颗粒价格持续稳定于2美金附近盘整，DDR400 64MX8及32MX8的颗粒就更跌至3.7美金附近震荡，这种价格相对UTT的价格而言，已经具有优势，市场中的Hynix 1GB DDR400 16C/512MB 8C /256MB 8C/256MB 4C的内存价格也分别快速下跌到510元/247元/140元/133元附近，大部分价格均已经低于采用UTT颗粒内存的价格。

周末在Hynix的压力下，UUT的32X8的颗粒价格终于跌破1.80美金，周末收市价收于1.79美金附近，上半年的成本价1.80美金就这样轻易被跌破了。

DRAM业内人士或许目前对于12月底前的走势都有相同或类似的看法，即继续维持缓慢的震荡下跌走势。这主要由于年底前的12月是许多DRAM厂家的年度会计结算月，相信提升业绩是厂家目前短线的唯一目标，所以低价出货至少在未来一周还是会继续进行的。只是对于2006年第一季度的走势看法有所不同而已，一些人士继续看跌；另一些人则认为目前跌幅已深未来有机会反弹。

对于下周我们继续维持8月以来的研判，预计下周走势会继续维持震荡下跌的几率仍然偏高，即短线价格继续维持极为缓慢的下跌，短线仍不会有任何大的反弹的机会。

Nand Flash的价格开始继续向下寻求支撑后，但相信走势仍为有分化，即高阶的继续维持明显的震荡下跌走势，低阶走势将跌势趋缓。

上周市场商家平均关注指数：65 （满分：100分）与上周相比略有下降，炒作热度继续下降，市场继续趋近理性，炒作热度开始接近正常水平，但就DRAM市场而言，目前还有不到10％的炒家仍未退场，所以仅从这个意义而言短线还是以偏软的震荡走势为主。

 

256MB DDR400 4C   Hynix RMB125－133
256MB DDR400 8C   Hynix RMB135－140
512MB DDR400 8C   Hynix RMB242－252
1GB   DDR400 16C  Hynix RMB480－515
 
256MB DDR400 8C   UTT/ETT RMB120－127
512MB DDR400 16C  UTT/ETT RMB230－245

 

对月底前走势，我们继续持“中偏空”的看法，即下周继续维持总体缓慢震荡下跌的走势，操作上建议继续维持正常经营。DDR2的销量将继续逐步得以提升，进程有所加快，但价格仍会维持缓慢下跌。由于跌势趋缓，目前价位下正常库存虽不宜过高，但也不宜过低，正确的仓位应该是逢低位维持2－3天消化量的库存量，一旦反弹即以消化库存为主。

下周关注的重点将继续是Hynix的走势，近来Hynix的产能不断扩大，Nand Flash上取得了骄人的成绩，原来制程落一直后于它主要竞争对手，但目前成本过高的情况得到改善，成本也大幅下降，预计新开出的产能将会主要用于Nand Flash上，但成本的下降和产量的增加对DRAM的现货价格影响肯定是有的。我们是预计未来年底前，UTT将会与Hynix的价差维持在0.05-0.1美金范围内，Hynix的销量会逐步增加的。

如果未来几周Hynix的价格持续保持目前的这种积极的价格策略，未来对大陆的现货市场刚刚形成的价格体系和品牌体系的冲击将会较大，但目前来看这种现象还只是暂时性的。

SDRAM的价格总体继续偏软盘整，需求主要在非PC的领域，如数码家电、工业产品等上，用于PC升级的较少。

Flash的走势已经进入下降通道，高价短线将会一直维持在下降通道中，难以有大的反弹，不可能DRAM一直在跌，而Nand Flash却在涨价，因为两者的生产转换是非常快的，大约就不到4周时间，考虑到作出判断需要的时间，最长也难超过8周时间。所以上次的Flash涨价持续时间最终没有超过8周时间也在情理中。但长线低阶则会缓慢跌价，短线相对稳定盘整。建议审慎操作，切忌盲目进入炒作，因为高阶的Nand Flash的下跌空间还是很大的。

 

(史军执笔，仅供参考)

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