上周回顾及下周分析预测
上周回顾：
在台湾UTT厂家积极锁货的策略影响下，制造了局部供求关系的失衡，导致上周的DDR和DDR2价格均呈现强劲反弹走势。全周DDR的价格反弹幅度达到12％。每当价格出现上扬时，商家就积极补货，买涨不买跌的心里表现得淋漓尽致，造成价格进一步上扬，反弹的价格终于突破前期反弹的高点和区间顶部。目前的市场DDR需求总体一般但稳定，价格上升时需求也会上升，所以判断为通路商补货或少量投机行为所推动，并非终端需求转好所带动的。值得注意的是DDR2需求转好及销量也上升了，DDR2的价格的上扬主要还是终端需求转好造成的，但我也注意到各地的DDR2需求大小不同，这和当地的市场的商家推广力度有关。
Nand Flash的走势仍然呈现震荡下跌走势，只是低阶的跌势趋缓而已。Nand Flash基本上步入下降通道，未来下跌仍是主旋律，反弹的机会和时间相信都不会太大，未来的走势基本与DRAM的走势如出一辙，不会比DRAM好到那里去。
下周分析与预测：
1月9日－1月15日为内地补货的高峰期，需求与上周相比将会维持稳定。由于本波行情是由厂家推动的，并非需求所推动，所以未来走势用一句话来形容比较恰当，“解铃还需系铃人”，目前走势完全受控厂家的出货情况。基本上我们的判断是只要厂家正常出货DDR价格仍将会回归前期正常水平，预计锁货行动接近结束，时间最长不会超过1月15日。
SDRAM的价格上周也呈现盘整走势，需求尚可，但利润相对要好，主要仍主要用于非PC领域。
千万不要把Nand Flash当成避风港，未来DRAM厂家转产Nand Flash的力度还会继续加大，相信会有更多的产能转产生产Nand Flash。中线的震荡下跌走势已经明朗。高阶的下跌空间还是有的，短线没有任何反弹机会；低阶的跌势将趋缓并有反复，但仍会维持在下降通道中。价格的下跌仍将为主旋律，但是上半年的价格还是有机会被厂家主导，一旦发现苗头前期可大胆介入，波段炒作。
我们相信下周的DDR价格将继续维持区间震荡走势，后半周的价格将会逐步走软，但幅度不会太大，难有大的意外出现。操作上建议维持合理库存，正常经营，切忌盲目炒作，总体上我们仍将此次上升走势定义为反弹走势。
而预计DDR2的价格下周将会进一步轻微上扬，当DDR回调时，DDR2的价格将会趋稳。
Nand Flash的操作思路应该屏弃炒作思路或者即使炒作也应以超短线为主，以正常经营为主，避免大的库存。
上周的市场炒作热度只有60分（满分100分），市场处于正常水准，关注指数却较高达到95分。炒家几乎只剩下不到10％未离场，场外炒家几乎全部离场，市场基本处于正常状态。
512MB DDR2 533 8C 二线品牌原厂内存 RMB260－290 继续小幅上升
256MB DDR400 4C Hynix RMB145－155 区间震荡
256MB DDR400 8C Hynix RMB150－165 区间震荡
512MB DDR400 8C Hynix RMB280－305 区间震荡
1GB DDR400 16C Hynix RMB555－605 区间震荡
256MB DDR400 8C UTT/ETT RMB145－165 区间震荡
512MB DDR400 16C UTT/ETT RMB280－310 区间震荡
由于这次如同“杀鸡取卵”式强行拉升，导致春节前DDR的走势将毫无悬念，也不是一种健康的操作手法，我们认为下周前半周继续锁货的可能性仍然稍大，但价格继续上升的概率就不大；后半周厂家出货的几率大增，价格会逐步回调。
基本上，我们的判断是DDR价格逐步回调到12月底的价位维持窄幅震荡，等待DDR2的价格回归理性，两者价格逐步接近，最终DDR2的价格将高于DDR。DDR2经过拉升，价格渐趋合理，但仍有上升空间。
操作上建议，短线下周正常经营为主，货多的逐步减仓为主。多数品牌DDR2的价格短线会维持高位震荡，建议正常出货即可。
SDRAM的价格会继续维持稍偏软的走势，总体需求一般，供应充足。需求主要来自非PC领域。
Nand Flash的价格会继续维持震荡下跌走势，但由于接近前期平台，价格似乎有所支撑，但价格处于下跌通道的局面还是没有改变。低阶的跌势将缓慢，并有反复。Flash的走势越来越像DRAM了，2006年将会终结Nand Flash的炒作赚钱神话，因为它太像DRAM。
（史军执笔，仅供参考）www.dram.com.cn
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