上周回顾及下周分析预测

上周回顾：DDR方面，由于临近农历新年，上周末补货行将结束，买盘明显开始缩手，而卖家也急于降价清仓过节，导致上周的DDR的价格持续回调，尤其是UTT颗粒价格下跌幅度较大，需求反而逐日萎缩。截止上周末，内地DDR的补货接近结束，预计下周的需求将继续萎缩。DDR2的需求继续增温，尽管距离DDR的销量差距还是较大，但显示出的势头确是令人鼓舞的。国内的大部分DDR2的价格距离国际市场仍有差距，相对便宜10－20元，只有金士顿等少数品牌内存的价格已经与国际接轨。终端消费者开始认同支持DDR2系统的整体性价比，预计最快第二季度末或第三季度初DDR2将会开始成为主流。Nand Flash的走势仍然呈现震荡下跌走势，只是低阶的跌势趋缓而已。Nand Flash基本上步入下降通道，未来下跌仍是主旋律，短线反弹的机会和时间相信都不会太大。上周昙花一现的反弹也正验证了我们的这个观点，上周的反弹纯属炒作，短线建议不要对Nand Flash抱有炒作心里，还是回归理性操作，正常经营才是根本。

名牌产品：ACEplus、Apacer宇瞻、CYNO新洋、Kingstek金士泰、Kingxcon金士刚、Keyram麒仑、BiaoXing标星、PNY必恩威、SAMSUNG 三星金条、Smart世迈智能内存、TwinMOS勤茂、MAKWAY迈威、PQI 劲永、Kingtiger金泰克、Kukram上风、蓝魔Ramos（排名不分先后）

欢迎您经常提供相关产品报价 ,请发至电子邮箱Email: www@dram.com.cn,我们将免费全部刊登在当天市场报价模组页面中。

免费赠送电子柜台公司网页、并隆重推出二级域名
欢迎使用XXX.dram.cn (XXX为任选数量英文字母组合)二级域名年费200元
,用户可以在IE中键入域名直接访问您的电子柜台，方便空间也更大

上周回顾：

DDR方面，由于临近农历新年，上周末补货行将结束，买盘明显开始缩手，而卖家也急于降价清仓过节，导致上周的DDR的价格持续回调，尤其是UTT颗粒价格下跌幅度较大，需求反而逐日萎缩。截止上周末，内地DDR的补货接近结束，预计下周的需求将继续萎缩。

DDR2的需求继续增温，尽管距离DDR的销量差距还是较大，但显示出的势头确是令人鼓舞的。国内的大部分DDR2的价格距离国际市场仍有差距，相对便宜10－20元，只有金士顿等少数品牌内存的价格已经与国际接轨。终端消费者开始认同支持DDR2系统的整体性价比，预计最快第二季度末或第三季度初DDR2将会开始成为主流。

Nand Flash的走势仍然呈现震荡下跌走势，只是低阶的跌势趋缓而已。Nand Flash基本上步入下降通道，未来下跌仍是主旋律，短线反弹的机会和时间相信都不会太大。上周昙花一现的反弹也正验证了我们的这个观点，上周的反弹纯属炒作，短线建议不要对Nand Flash抱有炒作心里，还是回归理性操作，正常经营才是根本。

下周分析与预测：

1月23日－1月25日为内地补货的最后的半周，预计正常情况下DDR需求与上周相比将会小幅萎缩，下周DDR价格将仍以稍偏软的震荡为主，即小幅下调。基本上我们的判断是只要厂家正常出货DDR价格仍将会回归前期正常水平。由于临近假期，下周的境外货物基本不会再流入内地，所以DDR的价格在下周变化不会太大，基本上以微调为主。

SDRAM的价格上周也呈现盘整走势，需求尚可，主要仍主要用于非PC领域。

Nand Flash的价格将会继续探底行动，反弹仍为暂时性的，只有找到底部后才会止跌，但谷底的深度仍难以预测，建议未见底部前，以谨慎操作为上。但我们相信价格跌势将趋缓，短线的任何反弹都是短暂的。Nand Flash的操作思路应该屏弃炒作思路或者即使炒作也应以超短线为主，一般以正常经营为主，避免太大的库存。

我们相信下周的DDR价格将继续维持偏软的区间震荡走势，即小幅下跌，但调整空间有限。即使下跌跌幅也有限，幅度不会太大，超过前期区间低点的可能性极低，难有大的意外出现。操作上建议维持适量合理库存但不宜太大，正常经营，切忌盲目炒作。过节期间的库存量应根据情况，维持在3－5天即可，只要能够避免节后短时间大量补货即可。

而预计DDR2的价格下周将会继续维持偏强的区间震荡走势（即继续小幅上升为主），即使DDR出现回调，DDR2的价格不但能稳得住而且还能走得偏强。

上周的市场炒作热度只有50分（满分100分），市场处于正常水准，关注指数却下降为60分。炒家几乎只剩下不到5％未离场，场外炒家几乎全部离场，市场基本处于正常状态。部分商家炒作Hynix 32X16的颗粒被证明是判断有些失误。

512MB DDR2 533 8C 二线品牌原厂内存 RMB280－305偏强的区间震荡（即小幅上扬）

256MB DDR400 4C Hynix RMB140－155 偏软的区间震荡（即轻微下跌）
256MB DDR400 8C Hynix RMB145－160 偏软的区间震荡（即轻微下跌）
512MB DDR400 8C Hynix RMB275－300 偏软的区间震荡（即轻微下跌）
1GB DDR400 16C Hynix RMB545－590 偏软区间震荡（即轻微下跌）

256MB DDR400 8C UTT/ETT RMB140－160 偏软的区间震荡（即轻微下跌）
512MB DDR400 16C UTT/ETT RMB275－295 偏软的区间震荡（即轻微下跌）

上周走势基本上符合我们的判断，我们认为DDR价格会仍会逐步回调到12月底的价位维持窄幅震荡，等待DDR2的价格回归理性，两者价格逐步接近，最终DDR2的价格将高于DDR。

预计下周DDR价格将会继续以轻微下跌为主。操作上建议，DDR短线下周正常经营为主，货多的应以减仓为主，过年不建议维持多余库存过年，够用即可。

DDR2经过拉升，价格渐趋合理，但预计下周仍有小幅上升的空间。DDR2则建议可以维持一定量（20天左右）的低价（290元以下）品牌库存过年，但是需要说明的是部分品牌的价格已经偏高不具投资价值。多数品牌DDR2的价格短线会维持高位震荡，一般情况下货多的建议正常出货即可。

SDRAM的价格会继续维持稍偏软的走势，总体需求一般，供应充足。需求主要来自非PC领域。

Nand Flash的价格会继续维持震荡下跌走势，已经跌破前期平台底部，价格处于新的下跌通道中。低阶的跌势将缓慢，并有反复。建议短线未来以观望为主，正常经营为主，即使炒作也只能立足超短线。

（史军执笔，仅供参考）