上周回顾及下周分析预测
上周回顾：
DDR1在上周出现的超跌反弹走势是年后的第一次反弹，业者对待反弹的态度也不尽相同。DDR2走势也是两极，原厂一线品牌的价格仍然稳中有升，但升势趋缓；二线品牌的DDR2 533的价格则有所走软。Nand Flash的价格继续呈现单边下跌走势，在周末由于三星朦胧的利好消息，使跌走势开始有所趋缓。
DDR2的总体供应依然紧张，但是价格的快速上升导致现货市场需求开始有所萎缩，而大陆市场又以价格相对便宜的二线品牌DDR2为主，上周二线品牌价格就有开始走软的迹象。
Nand Flash的价格同样是在厂家的积极价格策略影响下快速下跌，接近周末由于三星的暂时推迟新的建厂计划，而引起市场某些企盼，导致价格跌幅收窄。目前我们对其价格的下跌形容为回归理性，并不是恶性的竞争结果，因为Nand Flash的需求依然强劲，利润依然较好，我们继续看好未来Nand Flash后续发展。
下周分析与预测：
上周DDR1 UTT 32X8的价格跌破USD1.80所谓的前期成本区后，卖家出现惜售，而部分买家就此认为价格接近短期底部开始出现建仓行为，并逐步将价格推高了近0.10元。市场的气氛有所活跃，炒作气氛达到近几个月的最高点。鉴于形势并不明朗，需求一般，目前仍建议观望为主，正常经营，逢高尽量获利了结。
二线品牌的DDR2的价格则将会继续维持稍偏软的区间震荡走势，这主要是DDR2与DDR1过高的差价，延缓了DDR2成为主流的速度，也影响了买气，但是短线价格回调的速度也将是缓慢的。原厂一线品牌的DDR2价格则继续维持强势震荡，但距离顶部已经不远了。目前的DDR2价格总体将已经接近顶部区域，二线品牌似乎已经处于缓慢走跌中，操作上建议正常经营为主。
SDRAM的价格上周也呈现盘整走势，需求尚可，主要仍主要用于非PC领域。
Nand Flash的价格走势将会维持探底行动，尽管上周出现止跌的迹象，但谷底仍难以预测。建议跌势未止前，以谨慎操作为上，不宜抢反弹。Nand Flash的目前操作思路应该是屏弃炒作思路，建议以正常经营为主，避免多余库存。
上周的市场炒作热度达到70分（满分100分），市场处于稍偏热的水准，但关注指数也只有65分。部分炒家开始入场，场外炒家几乎全部离场，市场基本处于完全健康状态，成交量处于75分水平。
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品牌 |
型号 |
预测价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB285－325 |
稍偏软的盘整走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB245－263 |
稍偏软的区间震荡 |
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Hynix |
1GB DDR400 16C |
RMB480－525 |
稍偏软的区间震荡 |
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UTT/ETT |
512MB DDR400 16C |
RMB230－253 |
稍偏软的区间震荡 |
上周的UTT DDR400 32X8颗粒在1.80美元附近出现震荡，厂家再次表现出不愿意跌破此价位的良好愿望，现在DDR价格会已经回调到12月底的价位并维持窄幅震荡。对于未来价格是否能够最终跌破1.80美金，我想应该不会有太多的悬念。所以建议目前正常经营为主，短线下周小幅反弹（即反弹15－25元以上）的机会不大，即使有机会也是在1.80美元以下。
DDR2的价格已经回归正常价位了，但是过高的价格已经对其的普及速度造成负面影响，尤其是个别价格品牌的价格过高已经没有炒作空间，建议正常经营为主。二线品牌DDR2的反转行情走势可能到此为止了，上升的空间不大了、再次上升几率也小了。
预计下周DDR价格将会继续以偏软的震荡为主，主要是围绕1.80美金展开争夺，这个价位将是关键价位，是衡量未来中线走势强弱的晴雨表。操作上建议，DDR短线下周正常经营为主，库存仍以够用为准，仍然不宜抢反弹；在1.80美金以下时，库存量每逢短线低点可适当加大库存量到2－3天。
DDR2经过拉升，价格已经合理，但预计下周大陆市场的品牌内存大体上以稍偏软的盘整走势为主，下周大跌的几率并不高。建议货多继续以正常出货为主，但不宜再追高了，转而以正常经营为主。
SDRAM的价格会继续维持稍偏软的走势，总体需求一般，供应充足。需求主要来自非PC领域。
Nand Flash的价格下周将会处于敏感期，总体的价格虽然会继续维持震荡下跌走势，但由于跌幅已深，未来超跌反弹的机会会有的，未来Nand Flash的价格仍受生产厂家的影响较大，但短线价格大幅上升的几率已经不大了，目前仍处于新的下跌通道中。目前仍建议正常经营为主，继续保持观望，不建议抢反弹，等待走势明朗后再动不迟。
（史军执笔，仅供参考）www.dram.com.cn
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