NAND FLASH参考资料

旺到2006 年之NAND FLASH行情 （参考资料）

◆内容摘要

1. NAND Flash 市场2001~2004 年之CAGR 达94％，远高于NOR Flash之11％，产值并于1Q05

达20 亿美元，正式超越NOR Flash 之19.2亿美元，预期NAND

Flash 在成本较低及应用范围较广下，未来与NOR Flash 产值将逐渐扩大。

2. Samsung 将维持全球最大市占率，并开始将制程转入70nm 及60nm制程，并增加MLC

比重；Toshiba 则持续扩充12 寸产能并在MLC保持领先地位；Hynix 则急起直追，并快速拉近与Toshiba 差距，为后进者中成长最快厂商。惟国内厂商力晶因制程良率不佳，及代工伙伴Renesas 市占率偏低，使其在NAND Flash 尚未有明显进展。

3. 数位相机带动2003~2004

年NAND Flash 需求大幅成长，2005~2006年成长动能主要来自Apple 之iPod Shuffle 与nano 等MP3 player，综研处预期因3G 手机持续成长，照相功能与MP3 等多媒体功能将整合在手机上，使多媒体手机将成为2006~2007 年NAND Flash 成长动能来源。

4. Apple 之iPod

nano 造成NAND Flash 在4Q05 缺货，综研处预期缺货状况须至4Q05 末Samsung 70nm 制程MLC 产品良率提升方能逐渐纾解，惟在NAND Flash 价格需求弹性相当高，及Samsung 维持一贯跌价策略下，预期NAND Flash 价格仍将维持下跌走势。

5. 国内厂商受惠NAND

Flash 需求强劲仅有模组商创见及威刚，对其投资建议为逢低买进。

◆NAND Flash 需求快速成长，记忆体产业结构获得改善

一、何谓Flash 记忆体？

Flash 记忆体为EPROM 及EEPROM 之技术结合，允许在一次程序操作中被多次读写，由于其在电力消失后仍能够保持记忆资料，故又被称为非挥发性记忆体(Non-volatile)。Flash 记忆体具有存取速度快，抗震性强等特点，使其广泛应用于手机、PDA、DSC 及MP3 等以电池为电力来源之电子产品。Flash 区分为NOR Flash 及NAND Flash，其中NOR 在1988年由Intel 首先开发量产，目前主要制造商包括Intel、Spansion 及STM 等；NAND

Flash 则在1989 年由Samsung 及Toshiba 开发制造，主要制造厂商包括Samsung、Toshiba 及Hynix 等。

二、NAND Flash 市场成长超越NOR Flash

NAND Flash 市场自2001 年起快速成长，根据WSTS 统计资料显示，产值由2001 之8.84 亿美元成长至2004 之64.67 亿美元，CAGR 达94.1％，而NOR Flash 产值在同期则由67.1 亿美元成长至91.43 亿美元，CAGR 仅约10.9％。而根据iSuppli 统计资料显示，NAND Flash 产值于1Q05 达20亿美元，NOR

Flash 产值则为19.2 亿美元，NAND Flash 产值首次超越NORFlash，综研处预估NAND Flash 产值在2005 年将达94.68 亿美元，高于NOR Flash 之85.49 亿美元。

图一：NAND 与NOR Flash 产值

 

资料来源：WSTS，IDC；Oct. 2005

由于NAND Flash 在产品特性上与NOR Flash 有许多差异，包括NANDFlash 之写／抹速度较NOR Flash 快，且读／写次数约为NOR Flash 之10 倍，加上NAND

Flash 每位元价格低于NOR Flash，使NAND Flash 在资料储存应用广度逐渐增加，NOR Flash 则仍以编码储存(Code storage)应用为主，应用范围小于资料储存，综研处预估NAND Flash 在2006~2007 年仍能维持20％以上成长率，NOR Flash 则约2~5％。

图二：NAND 与NOR Flash 产值成长变化

 

资料来源：WSTS，IDC；Oct. 2005

三、NAND Flash 主要技术 – SLC 及MLC 之差异

NAND Flash 制造技术主要区分为SLC(Single-Level

Cell)及MLC(Multi-Level Cell)，两者主要差异为MLC 能够在一个记忆元(MemoryCell)储存2-bit 资料，而SLC 在一个记忆元仅能储存1-bit 资料，使MLC在相同晶片尺寸下能够具有较高容量(capacity)，每个bit 成本亦较低。而在产品特性上及效能上，SLC 与MLC 主要差异见表一所示：

表一：SLC 与MLC 比较表

 

资料来源：Oct. 2005

四、NAND Flash 厂商供给状况

全球NAND Flash 产出仍由Samsung 及Toshiba 寡占，根据iSuppli 统计显示，两家厂商于2Q05 之市占率合计为78.3％，其他五家厂商则有约21.7％市占率。在新进厂商中，Hynix 为成长最快之厂商，其市占率由1Q05之7.1％增加至2Q05 之10.1％，目前排名仅次于Samsung

及Toshiba。

综研处预估2005 年下半年Samsung 仍将维持超过50％市占率，Hynix则将急起直追，预估2005 年下半年至2006 年将为全球产出增加最快之厂商，并开始压缩前两大厂Samsung 及Toshiba 市占率，前三大厂商Samsung、Toshiba 及Hynix 合计将主宰约90％之NAND Flash 市场。

1. Samsung – 仍为NAND

Flash 市场主宰者

Samsung 目前分别在位于南韩华城之4 座12 寸厂(Fab11~Fab14)以90nm 以下先进制程投产NAND

Flash，其中最先进，甫于2005 年开始量产之Fab14 NAND Flash 产能已达2.5 万片，而在Fab12 及Fab13 共8 万片产能中亦有超过一半产能用于投产NAND Flash，使Samsung 之NAND Flash月产能达25~28 万片8 寸约当晶圆。

由于仍无法完全满足客户需求，Samsung 开始增加Fab9 之NAND Flash生产比重，并计画于1Q06 完全生产NAND Flash，而于美国Eugene 厂增加DRAM 产能。

Samsung 对NAND

Flash 之产品策略为每年倍增记忆体容量，故自1999年推出256Mb 产品后，分别在2000~2004 年推出512Mb~8Gb 产品，并于九月十二日宣布开始以50nm 制程试产16Gb NAND Flash，并预计在2H06开始进入量产。在制程微缩上，Samsung 于六月宣布开始在Fab14 以70nm制程技术量产4Gb NAND Flash，晶片面积仅有0.025um2，为最小记忆体晶片，并以60nm 制程试产8Gb 产品。

Samsung 持续在产能及制程技术领先同业，使其NAND Flash 产品毛利率仍维持在50％水准，并对价格具有绝对主导能力。由于Samsung 之NAND Flash 策略为(1)增加终端产品应用普及程度及(2)提高竞争者进入障碍，综研处认为持续降低低容量产品价格将为Samsung 一贯做法，而其成本竞争力将帮助其达成此目标。

2. Toshiba – 积极扩充12 寸厂产能

Toshiba 自4Q04 开始转入90nm 制程并且已成为主流技术，并开始将制程微缩至70nm。Toshiba 规划将70nm 制程先在8 寸厂量产，90nm 则已开始在12 寸厂量产。在技术上，不同于Samsung 在90nm 制程同时采用SLC及MLC，并计划在70nm制程仅使用SLC，60nm制程使用MLC，Toshiba在90nm 及70nm 制程皆同时使用SLC 及MLC。目前Toshiba 主流技术为四层MLC，并开始开发八层及十六层MLC，其他厂商则仍停留在四层以下技术，故Toshiba 在MLC 仍将维持领先地位。

Toshiba 之12 寸厂(与SanDisk 50:50 之JV)将分四阶段扩充，目前正进行第二阶段无尘室建置，预计至2006 年三月月产能将扩充至4 万片，若加计现有产能6 万片约当8 寸晶圆，届时总产能将达12.75 万片约当8寸晶圆。Toshiba

计划在2007 年将12 寸厂产能扩充至6 万片。

3. Hynix – 成长速度最快之后进者

Hynix 在NAND Flash 后进者中成长速度最快，于2Q05 正式挤下Renesas 成为全球第三大NAND Flash 厂商，亦带给Samsung 及Toshiba 相当大竞争压力。

Hynix 自1Q05 起开始积极将产能由DRAM 转为NAND Flash，使NAND Flash 月产能由1Q05 低于4 万片提升至目前约10 万片，综研处推估主要在其位于青州之M8 及M9 厂生产。Hynix 已在上海设立一座12 寸厂，规划月产能2.5 万片，将进一步扩大其NAND Flash 产能规模。

Hynix 量产NAND Flash 之主要技术仍为SLC，使其产出明显低于以MLC 为主要技术之Toshiba。Hynix 已于3Q05 开始量产2Gb NAND Flash并开始将制程微缩至70nm。此外，Hynix 于4Q05 末将开始跨入MLC

技术，预期此对其拉近与Toshiba 差距将有正面帮助。

4. Renesas、Micron 及Infineon

Renesas 为Hitachi 与Mitsubishi 之JV，其产品为AG-AND

Flash，为NAND Flash 之一种，主要功能亦为资料储存，且特性与NAND Flash 十分类似。Renesas 已开始以90nm 量产4Gb 产品，并采用MLC 技术，月产能约1.2 万片12 寸晶圆，其中7 千片在自有晶圆厂生产，5 千片则由力晶提供。由于受限于产能不足，预期Renesas 未来在NAND Flash 市场可能仅能够维持第四之名次。

Infineon 之NAND

Flash 市占率在2Q05 排名第五，其产品主力仍为标准型DRAM，NAND Flash 月产能仅约3 千片，预期短期内成长空间有限。

Micron 在NAND

Flash 市场亦持续成长，2Q05 之营收大幅成长160％QoQ，目前2Gb 产品已成为其主要销售产品，月产能约2 万片8 寸晶圆。

近期公司开始推出较高容量产品，包括4Gb 单晶片与8Gb 堆叠式晶片。因Micron 在产能及制程技术上仍落后前四大NAND Flash 制造商，且尚无计划导入12 寸厂生产，综研处预期短期内市占率提升将十分有限。

五、NAND Flash 需求将持续大幅成长

NAND Flash 在消费性产品应用上出现爆炸性成长，主要产品包括DSC、MP3 player、手机及笔记型电脑等。由于除传统资料储存外，产品对影像及音乐功能之强化，皆使每台机器对NAND Flash 容量需求快速增加。例如手机在推出照相功能后，因影像储存此外，NAND

Flash 价格在过去一年半以来大幅下跌将近80％，亦刺激消费者愿意购买更多数量或更高容量之NAND Flash产品，并使NAND Flash开始出现取代微型硬碟之趋势。

1. 数位相机 – 驱动NAND Flash 第一波成长

数位相机对NAND Flash 需求为用于储存相片之记忆卡，包括与相机搭配出货之低容量32MB 及64MB 记忆卡，以及消费者在购买相机后因储存容量不足再自行添购容量较大之记忆卡。

由于目前主流机种已逐渐由300~400 万画素升级至500 万画素以上，使记忆卡容量要求随之大幅增加。根据综研处估算，以512MB 记忆卡约可储存300 万画素相机共87 张照片，但提升至500 万素时，储存相片数目则下降为40 张，故当相机由300 万画素升级至500 万画素，如须储存相同数目相片，则记忆卡容量必须倍增。

由于500 万画素以上数位相机占出货比重将持续缓步增加，加上数位相机出货量在2005 及2006 年皆有约10~15％YoY 成长，预估数位相机相关记忆卡出货Bit growth 将分别成长141％YoY 及103％YoY。

2. MP3 Players – 造成NAND Flash 在4Q05 缺货主要因素

Apple 于1Q05 推出iPod shuffle，造成MP3 Player 市场一阵旋风，并使NAND Flash 出现供需吃紧，造成高容量产品价格上涨约6％，根据统计资料显示，iPod shuffle 在1Q05 出货量为171.1

万台，2Q05 成长26％QoQ达215.5 万台，预估3Q05 将可成长11.4％QoQ 达240 万台。而Apple 已于九月推出容量为2GB 及4GB 之iPod nano，较容量为512MB 及1GB 之iPodshuffle 增加2~4 倍，且因iPod

nano 为Apple 作为取代微型硬碟装置之iPodmini，故预期对同样配置NAND Flash 之iPod shuffle 排挤效应有限。

综研处估计仅Apple 将于4Q05 推出容量达4GB 之iPod shuffle 对NAND Flash 需求即高达2.24 亿颗(512Mb equiv.；假设出货量为350 万台)，占Samsung NAND Flash 产能约32.1％，占全球产能约17.7％。Apple之iPod shuffle 在2Q05 销售量共215.5 万台，估计对NAND Flash 之需求量为0.35 亿颗，仅占Samsung 在2Q05 总产能之9.5％，以此推算，Samsung在4Q05 所能够提供Apple

以外客户之NAND Flash 产能约较2Q05 增加1.4亿颗，综研处认为Samsung 势必要为满足Apple 需求大幅提高NAND Flash产能。综研处预估MP3 player 相关记忆卡出货在2005 及2006 年Bit

growth将分别成长288％YoY 及120％YoY。

3. 多媒体手机 – 下一波NAND Flash 成长来源

手机在增加照相功能后，对记忆体需求明显增加，目前照相手机占整体手机比重约40％，预估2006 年配备照相功能手机比重将超过50％，主要原因为在3G 手机时代来临下，照相功能将成为手机标准配备，百万画素亦将取代VGA 成为标准画质，使每台手机所需之记忆卡容量由目前之32MB 及64MB 大幅提升。

多数3G 及部分2.5G 手机在2006 年将开始具有MP3 功能，包括Nokia及Motorola 新机种中有50％以上为3G 手机，而3G 手机因传输速度较2G／2.5G 大幅提升，使线上音乐下载更受欢迎，Apple 之iTunes 即为相当受到欢迎之音乐下载来源之一。

加上手机制造商与音乐或软体服务商例如Motorola 与Apple、Nokia与Microsoft、Sony Ericsson 与Sony 已形成合作关系，预期将使MP3 手机市占率提升，并使手机所需记忆卡容量快速增加。

由于受到体积限制，手机所使用记忆卡以RS-MMC 及miniSD 卡或MS Duo 为主，容量已由过去64~128MB 提升至128MB~512MB，虽然体积较小，但容量与数位相机使用之SD、CF 及MMC 卡等128MB~2GB 容量差距不大，显示每片手机记忆卡容量持续快速增加。综研处预估手机相关记忆卡出货在2005 及2006 年Bit

growth 将分别成长202％YoY 及98％YoY。

图三：全球手机出货量与多媒体应用比重

 

资料来源：Gartner、IDC；Oct.

2005

4. USB 随身碟 – 随PC 销售成长需求大幅增加

USB 随身碟成长动能主要来自(1)PC

成长。由于新兴市场对低价PC需求强劲，使2Q05 出现PC 淡季不淡，3Q05

之PC 成长则高于预期，多数研究机构纷纷上修2005 年全球PC 出货预估，综研处预期PC 在2006 年仍将维持两位数以上成长，新兴市场仍为主要动能，使USB 随身碟需求将随之成长；(2)渗透率提升。USB 随身碟已大量取代过去1.44MB FloppyDisk，且在每单位容量单价持续降低，及USB 随身碟容量增加下，综研处预期对光碟片等储存装置之渗透率将持续上升。综研处预估USB 随身碟出货在2005 及2006 年Bit

growth 将分别成长148％YoY 及81％YoY。

图四：全球PC 出货量

 

资料来源：IDC；Oct. 2005

六、NAND Flash 供不应求，记忆体产业结构获得改善

根据WSTS 统计资料显示，DRAM 与NAND Flash 在2000 年占记忆体市场规模比重分别为1％与73％，至2004 年DRAM 与NAND

Flash 比重分别为15％及63％，2005 年一到九月NAND Flash 比重已增加至18％，DRAM 比重则为61％，NAND

Flash 在2000~2004 年之CAGR 达91％，远高于DRAM 之1.9％，使NAND

Flash 在记忆体市场重要性逐渐超越DRAM。因此记忆体制造商必须考量如何配置现有产能及新增产能在生产NAND Flash 及DRAM，使全球记忆体产业在供需上出现结构性改变。

图五：NAND Flash 与DRAM 产值

 

 

 

资料来源：WSTS；Oct. 2005

1. NAND Flash 排挤产能，使DRAM 供给成长不如预期

国际记忆体厂商Samsung、Hynix 及Micron 等于1Q05 末至2Q05 初开始大规模扩充NAND Flash 产能，其中包括Samsung 最新之12 寸厂Fab 14，其产能5 万片中将有一半以上皆用于投产NAND Flash，而Hynix 月产能达2 万片之12 寸厂M5 亦持续增加NAND Flash 产能。

由Samsung 及Hynix 之3Q05 财报显示，NAND Flash 毛利率明显高于标准型DRAM，加上NAND Flash 在4Q05 供需仍然吃紧(高容量产品甚至出现短缺)，综研处预期记忆体厂商在4Q05~1Q06 仍将持续增加NANDFlash 产能。根据综研处模型显示，若Samsung 及Hynix 在2H05 之NANDFlash 产能减少10％，则全球DRAM 供过于求幅度将上升约4 个百分点，将使DRAM 遭受更大之跌价压力。

2. NAND Flash 缺货将持续至2005 年年底

近期台湾主要记忆体模组商及相关IC 通路商皆感受到高容量NANDFlash 供不应求，且必须搭配需求较差之DDR2 拿货方能取得所需之NANDFlash 数量。此次缺货原因主要为Samsung 在转入MLC制程良率较低，AppleiPod nano 所需NAND Flash 数量占Samsung 产能达32％，以及在第四季消费性电子产品传统旺季下，卡类产品需求相当强劲。

在iPod nano 产品方面，Apple 目前使用Samsung 之SLC 制程及Toshiba之MLC 制程产品，以4GB 产品为例，Samsung 之SLC 产品需要8 颗4Gb晶片，但MLC 产品则需要4 颗晶片，由于Samsung 仍以提供SLC 产品为主，造成产能供需相当吃紧。由于Samsung 已开始逐渐提升MLC 产出比重，因在相同产品容量下所需晶片数量较少，在预期Samsung MLC 制程良率至年底前将可有效提升下，NAND Flash 缺货将逐渐获得纾解。

3. NAND Flash 价格仍将持续下滑

虽然NAND Flash 仍有缺货现象，亦使1Gb~8Gb 现货价自八月下旬开始上涨，8Gb 价格涨幅达20％，但综研处预期价格续涨幅度有限，年底前仍将维持下跌走势，主要原因为(1)NAND Flash 主要应用在消费性电子产品，消费者对产品价格敏感度相当高，一旦产品价格上涨将迅速影响消费者购买意愿，唯有产品价格持续下滑方能够刺激终端需求；(2)Samsung已于法说会预测NAND Flash 价格在4Q05 将下跌20％，显示Samsung

仍维持一贯使NAND Flash 跌价策略，除刺激需求外，亦以其优异之制造成本提高竞争者之进入障碍。故即使NAND

Flash 现货价在十月持续上涨，合约价却下跌2~4％。

图六：4Gb 与8Gb NAND Flash 现货价

资料来源：Oct. 2005

图七：1Gb 与2Gb NAND Flash 现货价

 

 

 

资料来源：Oct. 2005

4. DRAM 价格低点将出现在1H06

综研处预期DRAM 价格走势将维持缓跌，原因包括(1)供给增加高于预期。虽然市场皆预期NAND Flash 产出增加将使DRAM 产出减缓，但由Samsung 在3Q05 之bit

growth 仍达10％观察，12 寸厂及0.11um 与90nm制程产出增加，使整体供给增加高于预期；(2)晶片组缺货仍未纾解。Intel低阶8 系列晶片组缺货在十月仍未获得纾解，且高阶945 晶片组亦出现缺货，预期须至1H06 方能纾解，使主机板及PC OEM 厂对DRAM 采购趋向保守。由于需求高峰将过，且1Q~2Q 为需求传统淡季，DRAM 价格仍将缓步下跌，惟在记忆体产业结构改善下，大幅供过于求使价格大幅滑落之机会不高

图八：DDR400 现货价与合约价

 

资料来源：Oct. 2005

八、创见及威刚为主要受惠厂商

虽然NAND Flash 缺货，现货价上涨，但台湾记忆体制造商南科及茂德皆无任何NAND

Flash 产能，仅力晶在8 寸厂生产Data Flash，并在12寸厂为Renesas

代工AG-AND Flash。唯以力晶进度观察，其自有Data Flash因良率不佳使其对营收贡献不高，而为Renesas 代工产品数量不大，使其因NAND Flash 缺货及价格上涨而受惠程度相当有限。

国内因NAND Flash 需求强劲而受惠者为模组商创见及威刚。在NANDFlash 缺货下，模组厂因同时向Samsung 等制造商购买DRAM，故相对较能取得足够NAND Flash 数量，加上NAND Flash 价格仍以缓涨或是缓跌为主，对模组商毛利率有正面帮助。

1. 创见(2451)

创见3Q05 营收42.51 亿元(19.6％QoQ)，毛利5.5 亿元，毛利率12.9％，低于综研处预估之15.8％，税前获利5.8 亿元(118％QoQ)，税后EPS1.48 元，低于综研处预估之1.61 元。在NAND Flash 面，Samsung 已正式告知8Gb 产品将缺货至十一月，预期将连带使4Gb 产品缺货，高容量产品价格有上涨空间，但2Gb 以下产品因Hynix 等厂商供应量增加，价格将呈现持平至微幅下跌。

由于NAND Flash 产品需求相当强劲，且消费性产品出货高峰通常出现在十一月~十二月Christmas 需求旺季，使随身碟及记忆卡等产品成为4Q05成长主要动能，预估NAND Flash 产品至年底占营收比重将可达52~55％，对毛利率将有正面帮助。

综研处预估创见2005 年营收为164.6 亿元(12.9％YoY)，税前获利18.97

亿元(-10.4％YoY)，税后EPS 为4.87 元；2006 年营收177 亿元(7.5％YoY)，税前获利21.64 亿元(14.1％YoY)，税后EPS 5.78 元。由于创见具有NAND Flash 题材，在DRAM 价格走势能见度不佳之际，为DRAM族群较佳之投资标的，综研处维持投资建议为逢低买进，目标价为63.5 元(12X2006EPS)。

2. 威刚(3260)

威刚3Q05 营收78.16 亿元(10.3％QoQ)，毛利率7.7％，较2Q05 回升约3.5 个百分点，符合综研处预估，主要原因为DRAM 价格持稳及NANDFlash 占营收比重提升，税前获利5.55 亿元，优于综研处预估之4.16 亿元，主要原因为认列(1)汇兑收益及(2)库存跌价损失回冲金额高于预期，税后EPS 4.34 元。

由于威刚计画在4Q05 将NAND Flash 比重由34％提高至38~40％，且在NAND Flash 缺货及其接单出货比达1.3 下，威刚将可选择高毛利产品(记忆卡)出货，加上DRAM 价格相对持稳，综研处预估威刚4Q05 毛利率将提升0.5 个百分点至8.2％。由于NAND Flash 产品需求强劲，DRAM 模组出货亦温和成长，综研处预估4Q05 营收将成长21％QoQ 达94.66 亿元，税前获利5.4 亿元，税后EPS 4.19 元。

综研处预估2005 年营收327.8 亿元(25.3％YoY)，税前获利15.98

亿元(50.2％YoY)，税后EPS

12.38 元；2006 年营收366.7 亿元(11.9％YoY)，税前获利17.34

亿元(8.5％YoY)，税后EPS 13.30 元。由于10~11 月营收将持续成长，毛利率亦将因NAND Flash 比重增加较3Q05 提升，加上持续拥有NAND Flash 缺货题材，综研处维持投资建议为逢低买进，目标价140元(10.5X2006EPS)。