上周回顾及短线分析预测

上周回顾：UTT DDR1在上周呈现继续其弱势盘整走势，这是目前的市场基本的供求关系反应，价格跌围绕1.73美元展开窄幅震荡；Hynix 64X8价格较为坚挺，价格轻微上升2－3美分。我们注意到，Hynix的价格短线压力似乎不大，但是过高的价格使其销量受到一定程度的影响。本次Nand Flash下跌是往往由三星的价格下跌所带动，Hynix往往是被动下跌，这似乎与以往的三星坚持高价路线有所不同。Nand Flash市场上周仍然供大于求，所以价格继续呈现单边下跌走势，价格混乱，业者对后市普遍感到悲观，损失惨重，买家议价能力明显增强。

上周回顾：

 

UTT DDR1在上周呈现继续其弱势盘整走势，这是目前的市场基本的供求关系反应，价格跌围绕1.73美元展开窄幅震荡；Hynix 64X8价格较为坚挺，价格轻微上升2－3美分。我们注意到，Hynix的价格短线压力似乎不大，但是过高的价格使其销量受到一定程度的影响。

 

本次Nand Flash下跌是往往由三星的价格下跌所带动，Hynix往往是被动下跌，这似乎与以往的三星坚持高价路线有所不同。Nand Flash市场上周仍然供大于求，所以价格继续呈现单边下跌走势，价格混乱，业者对后市普遍感到悲观，损失惨重，买家议价能力明显增强。

 

下周分析与预测：

 上周UTT 32X8的价格呈现盘整走势，继续对1.70美元的关口产生压力。从上周的Hynix走势可以看出，目前的市场炒作气氛有轻微抬头的迹象，需求呈现逐步萎缩的态势，市场总体上还是较为健康的和市场气氛也呈现“中立”。鉴于目前的走势较为明朗，因此DDR1方面，下周仍没有大幅上升的可能性，目前仍建议观望为主，正常经营。

上周DDR2的价格继续震荡下跌，短线仍处于下降通道之中。由于价格已经便宜，DDR2的需求开始继续增温，平均每周的销量都呈现上升势头，但考虑到现货市场市场DDR2所占份额仍然偏小，短线销量的增加对价格暂时不具备支撑，所以下周价格仍会缓慢下跌，操作上建议短线正常经营为主。

SDRAM的价格上周也呈现稍偏软盘整走势，需求尚可，主要仍主要用于非PC领域。

小常识：NAND Flash 主要技术 – SLC 及MLC 之差异：

NAND Flash 制造技术主要区分为SLC(Single-Level Cell)及MLC(Multi-Level Cell)，两者主要差异为MLC 能够在一个记忆元(MemoryCell)储存2-bit 资料，而SLC 在一个记忆元仅能储存1-bit 资料，使MLC在相同晶片尺寸下能够具有较高容量(capacity)，每个bit 成本亦较低。而在产品特性上及效能上，SLC 与MLC 主要差异见表一所示：

	SLC	MLC
生产厂家	三星、海力士	东芝、瑞萨
记忆单元	一个记忆元仅能储存1-bit 资料	一个记忆元能储存2-bit 资料
费用/Bit	高	低
读/写次数	1000，000（一百万次）	100，000（十万次）
速度	采用SLC Flash卡的速度大约比采用MLC Flash的卡快3倍
可靠性	较低的快损坏率和数据出错率	更多的快损坏率和数据出错率
密度	较低	较高
推向市场需要的时间	短	长
部分可编程	可以	否
耗电量	低	高

 

由于NAND Flash 在产品特性上与NOR Flash 有许多差异，包括NAND Flash 之写／抹速度较NOR Flash 快，且读／写次数约为NOR Flash 之10 倍，加上NAND Flash 每位元价格低于NOR Flash，使NAND Flash 在资料储存应用广度逐渐增加，NOR Flash 则仍以编码储存(Code storage)应用为主，应用范围小于资料储存，预估NAND Flash 在2006~2007 年仍能维持20％以上成长率，NOR Flash 则约2~5％。

● NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

 

上周Nand Flash的价格走势继续呈现震荡下跌，市场气氛“负面”。 

Nand Flash价格短线尚无止跌回稳的机会，但就相信下周Nand Flash平均单日的跌幅将会进一步收窄。

 

由于三星已经决定将可腰斩闪存价格的新技术应用于量产，未来的价格走势主动权仍为三星所掌握。这句话说明两个意思，一个意思是价格的下跌深度可能超出一般人的想象，实际上目前已经如此了；第二个意思是技术上领先的三星至少目前仍是这个游戏领先者和决定者。具体到下周走势，我们仍就相信止跌回稳的机会不大，操作上建议正常经营。

上周的市场炒作热度只有50分（满分100分），市场需求处于正常水准，但关注指数为70分水平。但场外炒家几乎全部离场，市场基本处于完全健康状态，成交量处于70分水平。

 

品   牌	型     号	预测价格区间	预测走势
二线品牌	512MB DDR2 533 8C	RMB260－300	稍偏软走势
Hynix	512MB DDR400 8C	RMB245－263	弱势区间震荡
Hynix	1GB DDR400 16C	RMB480－525	弱势区间震荡
UTT/ETT	512MB DDR400 16C	RMB227－248	弱势区间震荡

 

彻底跌破1.80美元后，UTT上周一直徘徊在1.71-1.74美元区间里，由于短线UTT 32X8颗粒仍是大陆现货市场的主力，所以可以想象的是在未来Hynix的64X8颗粒（注：目前只有1GB的内存才必须采用这种颗粒）的价格如果不下降，就不会对UTT的价格产生大的压力的情况下，UTT的价格下跌压力更多的是来自自身的压力，即产量与需求的矛盾。

但从目前的情况来看，刚刚跌破1.80美元后，技术上在1.70到1.80区间需要盘整一段时间，马上继续跌破1.70可能性不大。但是不幸的是下周为月末，对1.70美元展开挑战的几率还是很大的，瞬间跌破的可能性也是存在的。因此我们预计DDR1下周总体仍会维持维持极为缓慢的震荡下跌走势，表现为弱势区间震荡，下周大的反弹机会仍然没有。操作上建议，一旦形成新的区间底部不必犹豫，适当加大库存（3－5天），区间顶部则以出货为主，单就炒作而言目前仍然不是建仓的最佳时机，尽管价格越来越较低了，还需耐心等待。

 

DDR2的价格下周继续其缓慢下跌走势，建议正常经营为主。二线品牌DDR2的跌势会相对缓慢一些。短线下周主要品牌价格将会继续维持缓慢下跌走势，建议正常经营为主。

 

目前的Flash的价格仍然处于厂家盈利水准之上，而价格的下跌并非意味着长线的产能真的过剩了，相信这是短期供求关系失衡导致的，所以对未来的走势我们还是看好的。根据公开的Nand Flash成本、厂家的库存情况、目前短线需求状况来推算，下周止跌的可能性几乎为零（小的暂时性反弹不排除）。

 

Samsung为全球NAND Flash的领导厂商(市占率高达50%以上)，不仅产能最大，而且在先进制程(70nm)与高密度产品(16Gb&32Gb)等进度亦领先竞争对手。在NAND毛利率远高于DRAM的状况下，Samsung不仅加速量产时程，并且将原本弹性生产DRAM/NAND Flash的Line12调整为NAND Flash专用生产线，在12” Fab量产助益下，Samsung在H105的市占率仍维持55%的绝对优势。 Hynix自2004年才正式进入NAND Flash领域，将原本生产DRAM的M8与M9转换为生产NAND Flash，在Q205超越日商瑞萨（Renesas），成为全球第三大的NAND Flash供应商，市占率达10%。 此外Micron与Infineon等记忆体厂商基于产品多元化等考量，亦积极发展NAND Flash，目前已经推出相关产品。而且与领导厂商的差距也逐渐缩小，预期2006年NAND Flash的产业竞争将更为白热化。

 

NAND Flash产品由于短线的供求关系导致价格走软已经是不争的事，从现在得到的消息，上游生产厂家的库存压力仍大，所以下周止跌的几率还是很低。超跌反弹的机会或许会有的，但是这种机会难以把握。我们认为，对Nand Flash的商家目前的首要任务不是赚钱而是止损。短线切忌抢反弹和炒作，但对Nand Flash未来是否存在的机会我们就保持乐观态度。

 

通过我们对主要通路商家的调查显示，大陆现货市场的现货并不多，现货主要囤积于外围市场商家手中，这种情况较为容易出现短暂的超跌反弹走势，这时切记避免冒进。

 

操作上建议，DDR1短线下周正常经营为主，库存仍以够用为准，仍然不宜抢反弹；在1.70美金附近时，库存量每逢短线低点可适当加大库存量到3－5天。

 

DDR2预计下周大陆市场的品牌内存大体上以稍偏软的盘整走势为主，下周大跌的几率仍然不高，操作上正常经营为主。

 

SDRAM的价格会继续维持稍偏软的走势，总体需求一般，供应充足。需求主要来自非PC领域。

 

Nand Flash下周仍看不到任何止跌迹象，去寻找“昙花一现”的超跌反弹的机会更加是难上加难。

 

（史军执笔，仅供参考）

www.dram.com.cn

资料：

MLC制程技术

MLC制程技术进一步降低NAND Flash生产成本 采MLC(Multi-level cell)制程的NAND Flash在一个memory cell中可以储存2位元的资料，与传统存取1位元资料的SLC(Single-level cell)制程相比，MLC NAND的密度倍增(density double)，亦即其位元产出成长率达到100%，明显要优于制程转换的效益(90nm＝＞70nm位元产出约增加30%)。虽然MLC制程难度较高导致yield略降，惟一般估计，采MLC制程的NAND Flash其单位记忆容量制造成本比SLC要低30%左右。 基于品质稳定度与资料存取速度的考量，以往消费性电子产品的供应商倾向采用SLC制程的NAND Flash。不过在SANDISK与TOSHIBA的合作努力下，目前MLC的品质稳定度不再构成问题。至于存取速度(Access Time)SLC是要比MLC快速，但是记忆卡的主要功能在于资料存取，而存取速度主要取决于interface与controller的设计而非memory cell。而且记忆卡这类消费性电子产品的选择往往是价格优先，一般消费者并不易察觉或是关注MLC与SLC的差异。这也是近年NAND Flash的主要供应商Samsung与Toshiba/Sandisk积极发展MLC技术降低成本的原因。 Toshiba与Sandisk于2004年3月于日本四日市合作兴建12” fab(Joint Venture)，并在MLC制程良率获得重大进展，其生产成本得以大幅降低。而半导体更是2005年第2季TOSHIBA最赚钱的部门。在预期2005 ~ 2008年期间NAND市场的CAGR可以高达28%的状况下，Toshiba自2004年以来已经三次提高NAND Flash的CAPEX。

三星：Flash发威 抢进硬碟

 

三星（Samsung）昨（19）日在台湾举办一年一度台湾快闪记忆体论坛（Flash Day），会中首次明确宣示，2008年三星快闪记忆体Nand Flash SSD将正式取代电脑硬碟，成为PC作业系统、资料储存载体，三星也预测，明年高容量Flash 8Gb 、16Gb市场将成长两倍，三星对未来Flash后市看俏，也让在座台系模组业者大感振奋。

昨日Nand Flash论坛以“三星创新世界”（Sansung, Flash your world）为题，介绍三星未来Nand Flash产品策略及市场规划，台湾模组厂高层包括创见（2451）董事长束崇万、威刚（3260）董事长陈立白、劲永（6145）总经理吕美月、群联（8299）总经理潘建成及IC通路商友尚（2403）、至上（8112）、擎亚（8096）等高阶主管皆到场聆听。

 

三星表示，未来将持续推出更高容量产品，制程也不断微缩进步，产品应用面更广。三星认为，明年8Gb、16Gb市场将成长2.5倍，目前4G制程已进展到70奈米SLC（single level cell）明年将切入8Gb、60奈米MLC（multi level cell），2007年16Gb 将采用55 奈米MLC量产。

 

三星认为，未来所有电子产品将以行动装置为中心，其中Nand Flash是核心储存媒体，三星第一阶段目标是以Nand Flash取代手机、PDA硬碟，第二阶段将在2008年以Flash取代PC中20%的硬碟市场。

 

三星宣布量产80纳米制程DDR2内存

 

　　韩商三星电子日前宣布开始量产采用80纳米(nanometer，nm)制程的512 Megabit (Mb) DDR颗粒。

 

　　三星表示，最新的80纳米制程技术较前代90纳米制程能提升50%的生产效率，有助于满足持续成长的DDR2市场需求。

 

　　三星80纳米制程由90纳米制程以微缩升级而来，属半世代制程，能有效缩减芯片体积，提升芯片效能，同时降低制造成本。

 

　　继Gartner Dataquest预期，DDR2内存在今年将占据整个DRAM市场的50%比重。