上周回顾及短线分析预测
上周回顾:
上周Nand Flash继续下跌,但是跌势开始趋缓,少量商家蠢蠢欲动。市场现货稀少,主要产品都需要订货。市场上同时充斥着低阶的拆机旧货,价格相对较为便宜。供应似乎还是充足,需求未见起色,未来两周将是关键期。
UTT DDR132X8最低曾经跌至1.68美元,上周继续呈现继续其弱势盘整走势,价格具体表现为先跌后升,但并未脱离其震荡的区间。Hynix 64X8价格较为坚挺,Hynix的价格短线变化不大,围绕3.75美元盘整。
下周分析与预测:
DDR方面,从上周的走势我们可以清楚地看到,UTT的压力还是客观存在的,但是缺少了Hynix的价格下调的压力,着实让其轻松许多。虽然周末的价格有所反弹,但是相信向上反弹的空间有限,短线脱离目前的震荡区间的可能性并不大。Hynix的价格稳定相信也还是暂时的,未来的走势仍要由DDR2来决定。
DDR2方面,二线品牌的价格继续缓慢下调,而UTT DDR2的颗粒价格也呈现缓慢下跌的走势。实际上目前的UTT DDR2白板模组的价格已经和UTT DDR的价格相近。但是由于DDR2的需求还不大,所以下跌的价格对DDR走势的影响暂时不大。但是DDR2的价格走软仍然不可避免,只是未来的下跌空间还有多大就需要观查了。
上周Nand Flash的价格走势继续呈现震荡下跌,市场气氛“负面”。 下周将会四月的第一周,由于Nand Flash价格也已经非常接近目前厂家的成本区,按照理论的推算,在下周应该会有止跌回稳的机会,或者跌势应该明显趋缓的迹象,现货价格曲线应该会有向上靠近其它均线的迹象发生。
我们对下周的判断是:
DDR继续维持弱势区间震荡,上下空间虽然均不大,但是由于上周已有跌破1.70的记录,所以未来还是有再次跌破的可能性。
DDR2的价格维持极为缓慢的下跌的走势,并开始对DDR的走势构成压力。但由于现货市场的DDR2需求还是不大,下周的影响仍然有限。
Nand Flash的走势最为关键,但考虑到目前现货市场的库存已经降到不足3天,按目前的下跌速度,下周价格就会跌到目前厂家制程下的成本区间(按SLC产品、以大容量主力制程70nm-90nm计算),所以需要我们密切关注。我们的意见是,除非制程有新的提高,继续大幅下跌的可能性并不大。下周跌势会进一步趋缓,跌幅收窄(或甚至有机会形成小的、暂时性的反弹,但就不建议介入),最终在成本区附近形成盘整走势。
上周的市场炒作热度上升至65分(满分100分),市场需求处于正常水准,但关注指数上升为80分水平。市场基本处于健康状态,成交量处于70分水平。
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品 牌 |
型 号 |
预测价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB260-300 |
缓慢下跌走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB245-263 |
弱势区间震荡 |
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Hynix |
1GB DDR400 16C |
RMB480-525 |
弱势区间震荡 |
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UTT/ETT |
512MB DDR400 16C |
RMB227-248 |
弱势区间震荡 |
DRAM方面:
DDR1:
彻底跌破1.80美元后,UTT上周一直徘徊在1.68-1.75美元区间里,周末价格有所升高。真如我们所料,月底压力下,UTT上周的价格瞬间跌破了1.70美元。但由于Hynix的64X8颗粒价格坚挺,而DDR2的价格虽然下来了,但是销量偏小,所以暂时都不会对UTT DDR1的价格产生大的压力的情况下,UTT的价格就出现跌破后迅速反弹的走势就是自然而然的事了。
以前UTT的下跌压力更多的是来自自身的压力,即产量与需求的矛盾。但是从现在开始情况将会发生变化,DDR2的价格开始对其构成的压力将会逐步增大。下周由于是月初,而厂家的自身压力也不大,价格将会维持区间震荡。但不断下跌的DDR2价格在下周开始就会对DDR形成实实在在的压力。
操作上建议,一旦形成新的区间底部不必犹豫,适当加大库存(3-5天),区间顶部则以出货为主,单就炒作而言目前仍然不是建仓的最佳时机,尽管价格越来越较低了,还需耐心等待。
DDR2:
DDR2的价格下周继续其缓慢下跌走势,建议正常经营为主。二线品牌DDR2的跌势会相对缓慢一些。短线下周主要品牌价格将会继续维持缓慢下跌走势,建议正常经营为主。
Nand Flash方面:
目前的Flash的价格已经接近成本区,下周的价格跌幅将会有机会收窄。问题是止跌和反弹的可能性有多大呢?首先目前谈反弹还是为时尚早,但距离止跌却越来越近,根据公开的Nand Flash成本、厂家的库存情况、目前短线需求状况来推算,未来两周止跌的机会大增,但现货市场由于库存量较低,所以短暂的超跌反弹将会有机会出现。但是需要强调的是并不会形成真正的反转走势。也就是说,短线仍然不会有大的反转行情出现。
(史军执笔,仅供参考)
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