上周回顾及短线预测

上周回顾：

月初效应下，Nand Flash正如我们所料出现止跌回稳的走势。DDR1走势的超跌反弹走势出乎绝大多数人的预料。这波DDR1本次反弹与春节前如出一辙，主要受力晶锁货影响价格反弹，但是周末已经开始明显走软；而DDR2则开始了区间振荡走势。Nand Flash由于价格极为接近生产厂家生产成本区，价格先是超跌反弹，后又有所回调。

下周分析与预测：

尽管DDR1走势着实十人跌破眼镜，但是这种似乎只有终端商家能够赚到钱的行情，并无多大实质意义。从上周的走势我们可以依然可以清楚地看到，UTT的压力还是客观存在的，并且感受到Hynix的价格下调的压力。我们坚信未来的走势仍要由DDR2来决定，而且这个日子越来越近了。

DDR2方面，二线品牌的价格似乎开始趋稳，由于价格已经便宜过DDR1，这对DDR2的普及再次形成价格优势。

如我们所料，上周由于Nand Flash价格也已经非常接近目前厂家的成本区，在出现止跌回稳迹象。

我们对下周的判断是：

DDR1继续维持缓慢下跌走势。

DDR2的价格维区间震荡走势，上下空间虽不大，但有机会上调可能。

Nand Flash的走势下周将会较为关键，但考虑到目前现货市场的库存已经降到不足3天,价格接近成本区。我们的意见是，除非制程有新的提高，继续大幅下跌的可能性并不大。下周跌势会在成本区附近形成盘整走势的机会最大。

上周的市场炒作热度上升至75分（满分100分），市场需求处于非正常水准，但关注指数上升为85分水平。市场基本处于亚健康状态，成交量处于80分水平。

DRAM方面：

DDR1：

下周几乎可以肯定就剩下下跌一条路了。操作上就维持原有的建议，一旦形成新的区间底部不必犹豫（所谓新的底部即历史新低价位区间），适当将库存放大到4－7天，区间顶部则以出货为主，因为超跌反弹难以预料。单就炒作而言目前仍然不是建仓的最佳时机，尽管价格越来越较低了，还需耐心等待。

DDR2：

DDR2的价格维持区间震荡走势，建议正常经营为主，但库存可根据情况适当逢低加大到2－4天，但就相信短线没有太大机会。

Nand Flash方面：

下周的价格维持区间震荡的几率较大，就操作而言仍是维持正常经营，但是可以结束观望，进入正常经营了。

（史军执笔，仅供参考）

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