上周回顾及下周分析预测

上周回顾： DDR1上周的价格继续小幅上扬，临近周末由于需求萎缩，价格开始趋于稳定，由于获利回吐现象明显，现货市场的成交价格差距也较大；DDR2的价格则继续呈现盘整走势，需求仍旧缓慢增长。Nand Flash的价格似乎开始趋于稳定，但是市场需求仍就不是十分活跃，但价格呈现震荡走势，价格筑底态势明显。

上周回顾： 

 DDR1上周的价格继续小幅上扬，临近周末由于需求萎缩，价格开始趋于稳定；DDR2的价格则继续呈现盘整走势。Nand Flash的价格似乎开始趋于稳定，但是市场需求仍就不是十分活跃。

下周分析与预测：

DDR1的走势越来越让人有点糊涂，造成这种走势的一个重要原因就是近年来品牌模组的快速发展和非品牌市场的迅速萎缩。尤其品牌模组市场的DDR1产品过度依赖力晶一家的UTT颗粒是造成目前这种走势的重要原因，但短期是似乎也没有其他的选择。另外炒作市场萎缩后，大陆现货市场的库存水位明显降低，造成其削峰添谷作用大大降低，也就是不能对厂家拉升产生一定免疫力。
同时我们的分析模型也必须适时进行适当的调整，以满足不断变化的市场情况，DRAM市场这种变化莫测的行情或许正是其魅力所在和众多商家迷恋与此的原因。

尽管这波DDR1走势来得比较突然，并令我们跌破眼镜，但是我们依然要找回并修复我们的眼镜，因为这种行情不过是漫长的DRAM发展过程中一个小小的插曲。

对于DDR1目前的走势，我们讲“解铃还需系铃人”。进入下周后半周，胜利的天平将才会再次向空方倾斜。

DDR2方面，二线品牌的价格继续维持震荡，由于价格已经便宜过DDR1，这对DDR2的普及再次形成价格优势，在DDR1再次下跌前DDR2价格将会维持稳定，不但下跌的空间很小，而且还有一定的轻微上升的可能。

Nand Flash的价格走势逐步趋稳，中线底部已经形成。问题的关键就剩下需求是否会如约而至。

上周的市场炒作热度上升至80分（满分100分），市场需求处于非正常水准，但关注指数上升为95分水平。市场基本仍处于亚健康状态，成交量处于80分水平。

 

品   牌	型     号	预测价格区间	预测走势
二线品牌	512MB DDR2 533 8C	RMB250－285	区间振荡走势
Hynix	512MB DDR400 8C	RMB270－300	先强后弱震荡走势
Hynix	1GB DDR400 16C	RMB530－590	先强后弱震荡走势
UTT/ETT	512MB DDR400 16C	RMB265－290	先强后弱震荡走势

 我们对下周的判断是：

DDR1：

尽管上周DDR1生产厂家开始有限度出货，价格接近一月份的最高点，达到了次高点；而持续的时间也达到了半个月。但是我们预计下周上半周的价格仍将会维持强势走势，至少不会下跌价格；DDR1将会在下周后半周开始出现疲态，并开始缓慢下跌走势的几率仍较高，之后由于受到五一淡季影响，彻底结束目前这种厂家强力拉升行情，价格会一路走跌，空方将重新获得控制权。建议下周前半周将库存水位降至最低。未来的DDR1操作短线只能观望，中线区间底部逢低吸纳，逢高减磅。

DDR2：

DDR2的价格维区间震荡走势，上下空间虽不大。DDR2的价格受DDR1的价格上升影响，短线也会维持强势震荡，但是由于需求还不是太大，所以价格上下空间就不大。目前价格处于阶段价位次低底部，建议未来中线逢低可以开始适当吸纳维持一定的库存，逢高减磅。

Nand Flash：

Nand Flash的价格接近厂家成本区后出现反弹，之后Nand Flash已经开始筑底走势，中线的下跌空间有限，目前短线可以适当介入，在正常经营的前提下，逢低考虑可以适当低吸高抛，并可维持一定的库存。下周走势将会彻底明朗，但我们相信短线还是以震荡为主的几率较大。建议适当逢低吸纳，并适当加大库存量。

（史军执笔，仅供参考）