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上周回顾及短线分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2006-04-23
上周回顾: 由于力晶继续控制出货,颗粒商家惜售心里严重,DDR1上周的价格继续小幅上扬,临近周末由于价格较高导致需求萎缩和商家获利回吐行为严重,价格也开始轻微走软;DDR2的价格则继续呈现稍微偏强盘整走势。Nand Flash的价格处于稳中偏软的筑底走势,目前走势尚未明朗,总体市场需求就还是一般。

上周回顾:

由于力晶继续控制出货,DDR1上周的价格继续小幅上扬,临近周末由于需求萎缩,价格开始轻微走软;DDR2的价格则继续呈现盘整走势。Nand Flash的价格处于稳中偏软的筑底走势,但是市场需求就还是一般。

下周分析与预测:

DDR1的走势越来逐渐趋于明朗,周末的走势预示着在上周价格已经到达了颠峰,并开始又回调的迹象,但是我们相信多方尚不会这么快就认输的,下周仍会有所争夺。


根据我们最新调整过的预测模式,对下周的判断如下:


DDR1:


1) 下周前半周的价格仍会维持高位震荡。上周周末大陆市场的价格回调速度过快,这是一个典型的非理智作法,并且已经在4月上旬涨价的初期被证明是十分不健康,这会使未来的行情发展至于对自己不利的位置上。


2) 下周后半周,价格开始缓慢回软。由于DDR1价格高企,在市场需求继续维持低位的背景下,供求关系暂时回到轻微供过于求的状态,价格开始缓慢走软。


DDR2:


在DDR1的强劲上涨带动下,之前DDR2也出现了轻微补涨的走势。但是相信下周DDR1总体缓慢走软影响下,DDR2的价格会暂时维持盘整的走势。


Nand Flash:


Nand Flash的价格走势逐步趋稳,中线底部已经接近形成。问题的关键就剩下需求是否会如约而至,短线下周仍会维持底部区间震荡走势,逐步进行二次探底。操作上正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓,库存逐步增大到3-5添天。。

上周的市场炒作热度维持80分(满分100分),市场需求处于非正常水准,但关注指数上升为接近100分水平,市场基本仍处于病态,成交量却只处于50分水平。

  

    

预测价格区间

预测走势

二线品牌

512MB DDR2 533 8C

RMB260-285

区间振荡走势

Hynix

512MB DDR400 8C

RMB280-310

先盘后弱震荡走势

Hynix

1GB DDR400 16C

RMB550-610

先盘后弱震荡走势

UTT/ETT

512MB DDR400 16C

RMB280-310

先盘后弱震荡走势

 


 我们的短线判断是:

DDR1:

尽管上周DDR1生产厂家继续有限度出货,但是这个近一年最高点的价格已经严重损伤了正常的市场,抑制了消费,而且时间对多方越来越不利,临近5.1黄金周,接下来紧接着是长达两个月的传统淡季,这些对多方都是致命的。


我们认为价格已经开始步入回调之路,但是并也不像某些商家认为的那么快,下周至少上半周还只是缓慢下跌,重头戏应该在5月份,即5月才是关键月,5月也是力晶到底有无压力的试金石。操作上建议,目前切忌炒作,正常经营,维持正常少量库存即可。

DDR2:


DDR2的价格维区间震荡走势,上下空间虽不大。DDR2的价格受DDR1的价格上升影响,短线也会维持强势震荡,但是由于需求目前还不是太大,所以价格上下空间就不大。目前就建议维持正常经营即可,逢前期底部也可加大库存量。

Nand Flash:


Nand Flash的中线的下跌空间有限,中线的底部已经基本形成,未来主要视需求状况再选择最终突破的方向。目前短线可以逢低适当介入,在正常经营的前提下,逢低可以适当低吸高抛,并可维持一定的低价库存,以应对未来的可能出现的变化。


(史军执笔,仅供参考)