上周回顾及下周分析预测

上周回顾： 上周的供求关系渐趋平衡，市场的价格处于区间盘整中，DDR1的价格目前仍处于高位区间震荡之中，由于价格渐高，市场需求明显受到抑制；而DDR2的价格轻微走强，价格总体变化不大。 Nand Flash的价格处于稳中略微偏软的筑底走势，但是市场需求就还是一般，但是底部特征开始明显显现。

上周回顾：

上周的供求关系渐趋平衡，市场的价格处于稍偏强的盘整中，DDR1的价格目前仍处于高位区间震荡之中；而DDR2的价格轻微走强。Nand Flash的价格处于稳中略微偏软的筑底走势，但是市场需求就还是一般，但是底部特征开始明显。

下周分析与预测：

DDR1的走势越来逐渐趋于明朗，目前的UTT 32X8的价格仍未突破前周的高点2.41美金，处于高位盘整中。DDR2的价格由于补涨开始有所走强。Nand Flash仍旧维持偏软的盘整走势。
下周的判断如下：

DDR1：

1）可以明确地讲，DDR1的价格已经处于顶部区域，即高危区域，继续向上的空间不大。
2）上周兼容模组价格缓慢上升并开始与外围市场颗粒价格接轨，单就颗粒价格而言仍旧未能突破前周的最高点。

 

序号	上涨因素	下跌因素	结论
1	下周一香港、台湾公共假期，不能正常采购颗粒，但是大陆同时处于假期中，影响不大。	大陆黄金周，导致需求极为安静和萎缩	综合各种因素来看，供求关系基本维持平衡，价格维持盘整走势的几率较高，至少在下周不会有明显的下跌或明显的上涨。
2	周五香港公共假期，同样不能采购颗粒，有一定的影响。	市场炒作气氛明显收敛，屯货行为大幅减少
3	力晶本周不出货，负面影响最大的因素。	需求继续向价格较低的DDR2转换，UTT DDR则由32X8向64X8转换。
4		金士顿模组DDR400的价格近期却维持稳定，对其它品牌的价格进一步上升造成抑制作用。

 

DDR2：

在DDR1的强劲上涨带动下，DDR2仍会出现了轻微补涨的走势。但是就相信下周的仍会轻微上扬但涨幅有限，DDR2的价格会暂时维持稍偏强盘整的走势，操作上可以适当补仓。
等待DDR1价格回调时，DDR2再一起回调。

Nand Flash：

Nand Flash的价格走势逐步趋稳，但是高阶呈现稍偏软偏软的盘整。理论上中线底部已经接近形成。5月份形势将会趋于明朗，需求是否会如约而至将成为关键，短线下周仍会维持底部区间震荡走势，逐步进行二次探底。操作上正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓，库存逐步增大到3－5添天。。
上周的市场炒作热度降至60分（满分100分），市场需求同期正常水准，但关注指数75分水平，市场基本处于健康水准，成交量却只处于50分水平。

 

品   牌	型     号	预测价格区间	预测走势
二线品牌	512MB DDR2 533 8C	RMB260－285	稍偏强的区间振荡走势
Hynix	512MB DDR400 8C	RMB295－318	稳定的区间震荡走势
Hynix	1GB DDR400 16C	RMB590－628	稳定的区间震荡走势
UTT/ETT	512MB DDR400 16C	RMB290－310	稳定的区间震荡走势

 

我们的短线判断是：

DDR1：

短线已经没有任何炒作的价值和空间，剩下的几乎都是风险，建议维持正常经营即可。

DDR2：

DDR2的价格维偏强的区间震荡走势，上下空间虽不大，但短线可以适当增加库存，并维持正常经营即可，逢前期底部也可加大库存量。

Nand Flash：

Nand Flash的中线的下跌空间有限，中线的底部已经基本形成，未来主要视需求状况再选择最终突破的方向。目前短线可以逢低适当介入，在正常经营的前提下，逢低可以适当低吸高抛，并可维持一定的低价库存，以应对未来的可能出现的变化。

（史军执笔，仅供参考）