上周回顾及短线分析预测

上周回顾： 上周由于长假期影响，需求停滞，在无任何利好或利空消息影响下，市场观望气氛浓厚，市场的DDR1价格持续处于盘整中，其价格继续在高位区维持间震荡；而DDR2的价格轻微走强。Nand Flash的价格处于稳中略微偏软的筑底走势，但是市场需求就还是一般，但是底部特征开始明显，尽管价格极为接近底部，但是还需要一段时间来筑底。

上周回顾： 

 上周由于长假期影响，需求停滞，在无任何利好或利空消息影响下，市场观望气氛浓厚，市场的DDR1价格持续处于盘整中，其价格继续在高位区维持间震荡；而DDR2的价格轻微走强。Nand Flash的价格处于稳中略微偏软的筑底走势，但是市场需求就还是一般，但是底部特征开始明显，尽管价格极为接近底部，但是还需要一段时间来筑底。

下周分析与预测：

DDR1的走势越来逐渐趋于明朗，目前的UTT 32X8的价格仍未突破前周的高点2.41美金，处于高位盘整中。DDR2的价格由于补涨要求开始有所走强。Nand Flash仍旧维持偏软的盘整筑底走势。

 

下周的判断如下：

DDR1：

1）可以明确地讲，DDR1的价格已经处于顶部区域，即高危区域，继续向上的空间不大。

2）上周兼容模组价格缓慢上升并开始与外围市场颗粒价格接轨，单就颗粒价格而言仍旧未能突破前周的最高点。品牌模组的价格就维持基本稳定，颗粒价格就维持稳定，等待大陆市场结束假期后，外围市场等待观察看看大陆市场需求是否会推动价格继续上扬。也就是说一切都要看大陆市场的“脸色”行事，你（大陆）买我（台湾厂家及业者）就涨，这就是目前台湾业者的目前的真实写照。
 

序号	上涨因素	下跌因素	结论
1	力晶本周应该会正常出货，但是受其UTT32X8颗粒“减产”影响，出货数量仍是未知数，如果按维持与节最后一次的出货数量基本相同的数量来推断，就仍会维持供求基本上平衡，但是一旦需求出现略微增大，就会导致价格轻微上涨。	大陆黄金周后，一般需求会继续维持一段时间的安静和萎缩。如果按前段时间的供应量不变推断：价格应该会维持轻微下跌的盘整走势。	综合各种因素来看，正常情况下，供求关系基本维持平衡，价格维持盘整走势的几率较高，至少在下周不会有明显的下跌或明显的上涨。
2	长假期后的补货如果不幸集中出现，而且由于追涨杀跌心里作用下大量补货就会导致价格创出新高。	市场炒作气氛明显收敛，屯货行为大幅减少
3		需求继续向价格较低的DDR2转换，UTT DDR则由32X8向64X8转换。
4		金士顿模组DDR400的价格近期却维持稳定，对其它品牌的价格进一步上升造成抑制作用。

DDR2：

在DDR1的强劲上涨带动下，DDR2仍会出现了轻微补涨的走势。但是就相信下周的仍会轻微上扬但涨幅有限，DDR2的价格会暂时维持稍偏强盘整的走势，操作上可以适当补仓，并维持一定的、稍多的库存是目前的正确操作手法。下周的DDR2仍会维持稍偏强的走势。

Nand Flash：

Nand Flash的价格走势逐步趋稳，但是高阶呈现稍偏软偏软的盘整。理论上中线底部已经接近形成。5月份形势将会趋于明朗，需求是否会如约而至将成为关键，短线下周仍会维持底部区间震荡走势，逐步进行二次探底。操作上正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓，库存逐步增大到3－5天的情况下，保持正常经营。
 
上周的市场炒作热度降至50分（满分100分），市场需求同期正常水准，但关注指数维持在75分水平，市场基本处于健康水准，成交量却只处于40分水平。
 

品 牌	型     号	价格区间	预测走势
二线品牌	512MB DDR2 533 8C	RMB265－290	稍偏强的区间振荡走势
Hynix	512MB DDR400 8C	RMB305－318	趋于稳定的区间震荡走势
Hynix	1GB DDR400 16C	RMB610－636	趋于稳定的区间震荡走势
UTT/ETT	512MB DDR400 16C	RMB300－318	趋于稳定的区间震荡走势

 

我们的短线判断是：
 
DDR1：

 短线已经没有任何炒作的价值和空间，剩下的几乎都是风险，建议维持正常经营即可，目前的价位不具有投资价值。
 DDR2：

DDR2的价格维偏强的区间震荡走势，上下空间虽不大，但是因为DDR2的价格仍会持续向DDR1逼近，后市有一定的上升的机会和空间，尽管速度较为缓慢。维持正常经营前提下，短线可以适当增加库存，适当炒作。

Nand Flash：

 

Nand Flash的中线的下跌空间有限，中线的底部已经基本形成，未来主要视需求状况再选择最终突破的方向。目前短线可以逢低适当介入，在正常经营的前提下，逢低可以适当低吸高抛，并可维持一定的低价库存，以应对未来的可能出现的变化。

（史军执笔，仅供参考）