06年DRAM 产业
06年DRAM 产业评析～藉由淡季利空建立持股部位
台证研判DDR2 价格之大幅修正期已过，第2 季虽有季节性修正， 但应无价格崩跌之疑虑， 待时序接近第3 季需求旺季，则DDR2 会有显著需求增加，届时DDR2 现货及合约价格将可望再同步上涨。而就往年DRAM 股价季节性走势分析， 台证认为DRAM 股价波段相对低点经常发生在第1 季或第3 季结束时， 加以目前DRAM 股价皆已处于历史P/B区间下缘，预期未来下跌空间应为有限。因此，台证认为目前相对低档之股价应已反映淡季利空，
故台证给予DRAM产业正向之产业评等，并建议利用第2 季淡季利空DRAM股价低档时布局DRAM 类股。
06 年12”投片比重达60%。
90nm 制程将成为DRAM 制程主流。
主流DRAM 将进行世代交换。
Intel 双核心CPU 降价将增进更多DDR2 需求。
AMD 将推出支援DDR2 之CPU。
Microsoft Vista 作业系统对DRAM 之需求量将倍增。
历代主流规格DRAM 价格皆有2 波涨势。
DDR2 价格剧烈修正期已经结束。
DRAM 股价低点已经出现。
台证给予DRAM 产业正向之产业评等。
在推荐个股方面，给予茂德(5387)、南科(2408)及华亚(3474)买进之投资建议。
◆产业总体分析
◇06 年PC 出货量YOY 成长10.5%
IDC 预估06 年全球PC 出货量YOY 将成长10.5%， 其中NB 产品YOY 成长21.2%，而DT 产品YOY 则是成长5.5%，如图一所示。由于PC 产业已渐成熟， 因而IDC 预估未来PC 出货量的年成长率皆将维持在10%。
◇DRAM 厂商市占率趋向稳定
04 年前4 大DRAM 厂之市占率总和为75.6%，如图二所示，而至05 年前4 大厂市占率总和则为75.2%， 如图三所示。
整体而言， 全球各DRAM 厂商市占率已经趋向稳定,并无存在恣意扩产意图提高市占率者出现，各厂商之扩产计画大致皆以保持既有市占率为考量， 预期今年各区域之DRAM产出比重亦变化不大，如图四所示。
◇06 年DRAM 资本支出较05 年减缓
05 年记忆体厂商之资本支出呈现大幅度跃升， 惟主因为预期NAND Flash 未来之应用及市场将快速成长， 故05 年时厂商积极扩产NAND Flash 产能，致使整体资本支出明显增加， 为过去5 年中之高点， 然预期06 年厂商资本支出则将开始下降， 如图五所示。
◇06 年DRAM 需求量YOY 成长50%
由于预期PC 换机潮将在06 年末微软Vista 作业系统推出后产生， 故台证预期06 年DRAM 整体需求随着PC 产业稳定成长而增加。其中，在Intel 9 系列晶片组逐渐成为主流后，DRAM 搭载将由DDR 迈入DDR2， 而因12”厂生产512MbDDR2 为较具生产效益之选择，对于双通道之PC 架构而言，DRAM 之位元需求量将可成长。综上所述，IDC 预估06 年DRAM 需求量YOY 将成长50%， 如图六所示。此外， 由于记忆体厂商持续看好NAND Falsh 产品需求急遽增加，故即使每年价格YOY 仍有约40%降幅， 但仍持续移转NANDFlash 产能， 致使06 年DRAM 产出成长较去年减缓。
◆供给面探讨
◇DRAM 厂商持续扩增产能
如前所述，06 年DRAM 厂商资本支出较05 年减缓， 然在追求成本竞赛之DRAM 领域中， 不断增加更具竞争力之生产设备是厂商维持获利的方式， 如图八所示为全球主要DRAM 厂商产能扩增进度，预计至06 年底，以8”约当晶圆月产能推算，Samsung 及Hynix 仍是全球DRAM 产能领导者。而全球DRAM 总月产能亦是逐季成长，其中产能QOQ增加幅度以下半年较明显， 如图九所示。
◇06 年12”投片比重达60%
由于12”厂较8”厂具有生产成本之优势，为有效降低成本，DRAM 厂商之扩产计画几乎皆落在12”厂产能增加上，从过去几年历史发现12”晶圆之投片量呈现逐季增加，相对地8”晶圆之投片量则已不是厂商扩产的重点所在，如图十及十一所示。由于主流产品DDR2 在12”厂中生产较具生产效益，预计今年全球DRAM 厂12”晶圆之投片比重亦呈现逐季增加，下半年12”晶圆之比重将可到达60%，且全年12”晶圆投片比重亦将由05 年之50%上升至逼近60%，如图十二及十三所示，显示未来标准型DRAM 之成本控制将仰赖各家12”厂生产良率及效率。若以各季DRAM 投片量分析，总量呈现逐季成长， 且下半年因应旺季来临，QOQ 之成长幅度将大于上半年， 如图十四所示。
◇90nm 制程将成为DRAM 制程主流
由于DDR2 采低电压设计， 且主流的工作时脉设定在533MHz 以上， 致使生产制程至少需使用0.11um 制程以下， 加以下半年时脉将渐推至800MHz 以下成本考量， 故06 年DRAM 主流制程将由0.11um 微缩至90nm。由于06年为大多DRAM 厂商数转至90nm 制程的第一年，因而在良率控制上势必遭遇许多挑战， 台证认为06 年90nm 制程良率之优劣将是DRAM 厂商获利能力与市占率消长的关键，如图十五所示， 下半年90nm 制程比重将成为主流。而在如图十五所示， 下半年90nm 制程比重将成为主流。而在DRAM 制程微缩竞赛中，韩、日厂商仍是先进制程技术之先驱者， 如图十六所示。
◇06 年主流DRAM 将进行世代交换
配合Intel 今年将积极促销双核心CPU 及9 系列晶片组，且AMD 即将推出支援DDR2 之CPU，台证认为DRAM 厂商将以DDR2 产品为营运重心， 并将逐季移转DDR 产能至DDR2， 且确定06 年DDR2 将取代DDR 成为主流记忆体，预估第3 季DDR2 之产出将可占整体记忆体出货量之50%，如图十七及十八所示。
?
◆需求面探讨 ◇Intel 双核心CPU 降价将增进更多DDR2 需求 Intel 双核心CPU 预计将于4 月份进行明显幅度降价，如表一所示。由于双核心CPU 以搭载DDR2 为基本要求， 台证预期Intel 双核心CPU 积极降价促销将导致消费者对于DDR2 之采购意愿增加，并进而带动终端DDR2 之需求。而在晶片组方面， Intel 06 年将拉高9 系列晶片组出货比重，过去以搭载DDR 为主之865 晶片组比重将逐季下滑， 预估至下半年时865 晶片组之出货比重将降至仅15～20%， 显示下半年DDR2 之需求量将因Intel 主推9 系列晶片组及双核心CPU 降价而显著提升， 如图十九所示。
◇AMD 将推出支援DDR2 之CPU 而在AMD 桌上型PC 平台方面， 由于截至目前仍未有支援DDR2 之CPU 推出，故压抑了先前现货市场及PC OEM 部分对DDR2 之需求，然从第2 季起，AMD 将开始生产SocketAM2 之CPU，此为支援DDR2 规格之CPU，预计6 月份发表， 如表二所示， 由于近年来AMD 平台在现货市场之占有率逐年攀升， 台证认为AMD Socket AM2 之CPU 推出后将促使现货市场之DDR2 需求比重为之提升，对于未来DDR2之现货价格将有显著助益。在时程规划方面，AMD 计画于第2 季末开始进行由生产Socket 939 CPU 转换至SocketAM2 CPU，预计下半年Socket AM2 CPU 将逐渐成为主力产品，如图二十所示。
◇Microsoft Vista 作业系统对DRAM 之需求量将倍增 Microsoft 将于06 年末推出新版作业系统Vista， 相较于Windows XP 而言， 对于PC 所需搭载之DRAM 将有显著变化， 规格方面将由DDR 提升至DDR2， 而容量方面则至少需512MB， 预计主流搭载量则是至少1GB， 如图二十一所示。由于推出时程在06Q4 至07Q1， 虽对刺激今年第4 季DRAM 之需求量显著提升与否仍待评估，但可预期的是07年初DRAM 需求将显著好转， 台证认为年末DRAM 价格将因厂商库存压力减低而获得支撑。
由于DRAM 价格将于第2 季进行季节性修正， 且伴随厂商制程由0.11um转进90nm制程之成本下降，加以目前DRAM占PC 之成本比重仍低于平均水准，故台证认为PC 之DRAM搭载量将逐季提升，如图二十二所示。此外，因下半年合约及现货市场DDR2 需求将快速提升，台证认为第3 季DDR2供需将再呈现吃紧之情形， 如图二十三所示。
◆DRAM 价格走势分析 ◇历代主流规格DRAM 价格皆有2 波涨势 台证分析过去8 年DRAM 价格走势发现， 虽DRAM 现货价格涨跌剧烈， 然而历代主流规格DRAM 过去亦存在2 波较为明显之涨势，且在世代交替而成为主流规格当年涨势相当显著。由于DDR2 推出之后， 因成本偏高及及Intel 晶片组缺货等因素，致使市场采用率偏低，连带导致先前价格持续下跌， 然在06 年确定DDR2 将成为主流记忆体规格后，台证认为DDR2 未来在06 年～ 07 年之涨势仍可乐观期待，如图二十四所示。
◇DDR2 价格剧烈修正期已经结束 此外，台证分析过去DRAM 价格走势发现，在理性的DRAM供需结构下，新规格之标准型DRAM 在推出后经历16 个月价格调整期， 价格剧烈下滑之走势将会停止，而DRAM 单位价格则可自行修正至PC OEM 可接受之范围，如图二十五所示。而在价格剧烈调整期后，DRAM 价格要再急遽下滑之机率极低。因此，台证研判DDR2 价格之大幅修正期已过，第2 季虽需面临季节性修正，但应无价格崩跌之疑虑。
◇第2 季末DDR2 价格将可上涨 由512Mb DDR2 价格仍保持于512Mb DDR 之上， 显示DDR2 之需求较DDR 强劲， 台证认为后续DDR2 价格仍将持续高于DDR，且淡季时DDR 之相对价格，亦将形成DDR2价格低档之支撑， 如图二十六所示。 而因DDR 之市场需求量及供给量未来将同步萎缩， 加以价格已经历几年修正后， 处于相对低档， 故台证认为淡季时DDR 之下跌幅度亦相对有限，未来价格涨跌区间将会缩小，如图二十七所示。而在DDR2 方面，因即将进入传统淡季，故台证预估第2 季DDR2 价格约有20%之向下修正空间，属季节性调整，待第2 季末渐入旺季时，PC OEM 之库存回补需求及现货市场对DDR2 之采购意愿将促使价格再次上涨， 如图二十八所示。
◇预期DRAM 股价将随DRAM 报价上扬 就历史资料分析，DRAM 股价走势与DRAM 价格走势呈现正相关，如图二十九所示，且股价转折已有领先报价涨跌之趋势， 台证认为第1 季DRAM 股价之下滑应已反应第2 季之淡季及DRAM 价格将进行季节性之修正之利空，随未来DRAM 价格将因旺季而上涨， 台证认为DRAM 股价亦将自低档开始反弹， 预期未来2 季DRAM 之股价将有显著表现空间。
◇DRAM 股价低点已经出现 就往年DRAM 股价季节性走势分析，台证认为DRAM 股价波段相对低点经常发生在第1 季或第3 季结束时，如图三十所示。此外，若就DRAM 个股之股价净值比分析，目前DRAM股价皆已处于历史P/B 区间下缘， 如图三十一～三十三所示，预期未来下跌空间应属有限，且认为目前相对低档之股价应已充分反映淡季利空， 故台证建议利用第2 季DRAM股价低档时建立持股部位。
◆投资结论
◇藉由淡季利空建立DRAM 持股部位 DDR2 在历经价格剧烈调整期后，研判未来价格要再急遽下滑之机率极低，因而台证研判第2 季DDR2 价格虽需面对季节性修正，但应无价格崩跌之疑虑，待时序接近第3 季需求旺季，DDR2 会有显著需求增加，则届时DDR2 现货及合约价格将可望再同步上涨。 再者，就往年DRAM 股价季节性走势分析，台证认为DRAM股价波段相对低点经常发生在第1 季或第3 季结束时，加以目前DRAM 股价皆已处于历史P/B 区间下缘， 预期未来下跌空间应为有限，因而台证认为目前相对低档之股价应已充分反映淡季利空，故台证给予DRAM 产业正向之产业评等，并建议利用第2 季淡季利空DRAM 股价低档时布局DRAM类股。台证看好国内DDR2 进度领先同业之南科(2408)与位元产出成长最高及90nm 制程良率领先同业之茂德(5387)，以及获利能力佳之华亚(3474)，将因DDR2 产品开发进度及90nm 制程成本效率而受惠。因此， 台证给予南科(2408)、茂德(5387)及华亚(3474)买进之投资建议， 目标价分别以1.6XP/B、1.5XP/B 及1.8XP/B 计算，将目标价设定在26.0元、18.0 元及39.5 元。相关个股之获利预估， 详见表三～五。
关闭返回