DDR II封测

DDR II封测产业

随着技术的进步，记忆体行业也意识到了记忆体在技术发展的重要性，为适应以后硬体配置平台的发展和平稳过渡，记忆体厂商作出回应推出了采用全新记忆体架构的DDR II。

◆定义

DDR II (Double Data Rate II) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)定义的一种全新下一代DDR

SDRAM记忆体技术标准的名称，与之前的DDR技术相比，DDR II最大特点是采用4-bit Pre-fetch技术，该技术可以有效地提升记忆体频宽，从而突破运算瓶颈。从目前DDR

II记忆体标准来看，记忆体厂商针对一般电脑市场的DDR II将会推出533MHz、667MHz甚至到800MHz不同频率的产品。与DDR相比，DDR II也有着诸多优势∶首先，DDR

II记忆体拥有4bit的数据预读取能力，而DDR记忆体则只有2bit的数据预读取能力，虽然与DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本模式，但是在同等核心频率下，DDR

II拥有两倍于DDR的数据传输率，这样DDR II就拥有更高的预读系统命令数据能力，并可以简单地获得更为完整的数据传输能力。

◆封装形式

在记忆体的封装形式上DDR II使用FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)形式也优于DDR记忆体的TSOP (Thin

Small Outline Packaging)的形式，FBGA封装由于晶片底部的空间较为宽大，可以在保证引脚间距较大的前提下容纳更多的引脚(一般来说DDR为184

pin、DDR II为240 pin)，可满足更密集的信号I/O需要，这对DDR II而言是必须的。此外，FBGA封装还拥有晶片安装容易、电气性能更好、信号传输延迟低、允许高频运作、散热性卓越等许多优点，因此成为DDR

II主要的封装方式。目前实务上DDR II有两种封装形式：如果数据传输为4 bit/8 bit，则采用64-ball的FBGA封装，若数据传输为16 bit，则采用84-ball的FBGA封装。

FBGA封装技术的应用，更是为记忆体的封装技术升级带来了一次革命，在DDR时代，UTT或称ETT (Untested，未经测试的DRAM)颗粒在整个DRAM产业发展史中，可以说是从未缺席过，上游厂商在其生产DRAM颗粒的过程中，只要继续投片下去，便难免会有UTT (ETT)颗粒出现，这也成为DDR时代记忆体行业一个事实，不过进入DDR II时代后，由于在速度及散热上的需求，经过DRAM厂、OEM厂及Intel讨论之后，认为DDR II必须改采FBGA封装模式，才能让DDR II颗粒充分显现出其应有的效能，这也就意味着，在DDR II时代，对于向来习惯采用UTT (ETT)的生产厂商而言，将会是一大挑战。

◆测试

在DDR

II测试方面，主要为Advantest T5593与Advantest T5588两种型号的的测试设备，有了T5593/T5588的设备，DDR II的function与Speed中时脉频率皆低于500MHz，可以沿用之前DDR的T5585或T5581即可，但是DDR

II data rate资料传输时脉高达533MHz以上时(甚至到1GHz)，就必须使用T5593或T5588，才能严格筛选出真正能达到DDR II所要求的时脉频率，不过由于DDR II测试机台每台售价高达1.5亿元~2亿元，除非是已经确定上游订单来源或是公司规模较大者，否则资本支出过大对中小型公司将是沉重的负担。此外，在测试时间方面，因DDR II产品属于新世代产品，所需测试时间可能较一般DDR长，初期恐将达到1000秒以上，也使得DDR II的成本较DDR高出许多。

◆成本差异分析

全球DDR II合约及现货价自05年起便难逃一路下跌的走势，由于Intel先前对于DDR

II市场接受度评估过于乐观，加上本身所支援DDR II晶片组亦无法如期且足量交货，造成DRAM厂DDR II产能严重过剩，甚至自第三季起陷入报价跌至比DDR还低的窘境。DDR

II与DDR合约价落差持续扩大，从9月价差不到4%，一路拉高至近10%，直到12月下半旬才略见价差缩小，但已造成DRAM厂极大损失，只能仰赖降低制造成本，并将产能转进其余非DDR

II产品，藉以维持整体获利，而随着国外主要DRAM厂纷将产能转进NAND Flash以及台湾DRAM厂转回目前依然是市场主流规格的DDR，使得近期DDR II产能获有效控制，库存亦渐消化，因此未来DDR

II价格若逐渐走向合理，厂商愿意大量生产DDR II，才能使DDR II真正成为PC市场主流规格的记忆体。

◆国内DRAM测试厂商概况

若以国内能够测试DDR II的厂商来看，以力成的机台数最多也最完整，主要因为上游客户Elpida的DDR II出货较国内DRAM厂商快，因此配合DRAM厂扩充测试机台产能，预估力成06年资本支出达55亿~60亿元，约有6成用在终端测试，其中8成为DRAM测试、2成为Flash测试，主要Elpida及新客户茂德都将进阶到90奈米，且06上半年陆续有新12寸厂开出DDR

II产能，因此为因应客户需求而扩充，不过由于测试价格除了取决于DDR II测试机台本身的供需情形之外，DRAM的价格走势也是影响测试价格的关键因素。