DRAM六月情况

PC旺季来临前之DRAM投资策略 

◆DRAM 价格短空长多，短期先静待价格落底

◎内容摘要：

1. 研究处对未来二个月DRAM 价格走势看法保守。五月起DRAM价格已开始缓步走跌，显示价格表现虽因产能转换等因素而优于预期，但因2Q06 为PC 需求最淡的时期，价格最终仍将反映疲弱的需求。研究处预期DDR2 价格将维持缓跌至六月底，DDR 价格则将为持平至微幅下跌。

2. 六月下旬将进入传统中国大陆暑期促销之备货期，市场多预期届时DRAM 价格将因建立库存需求开始上扬，并推升价格走高。根据2004 及2005 年经验显示，六月下旬起DRAM 价格确实在备货需求下走高，但高点通常出现在七月上旬至中旬，亦即价格仅属短期反弹，研究处认为DRAM 价格能够有较长且幅度较大之上涨恐须至八月上旬。

3. DRAM 产业自1993 年以来共经历两次景气循环，

分别为1993~1998 年，1999~2003 年，每次循环周期约四~五年，目前产业正处于2004~2008（F）年之景气向上循环期，以此推估，研究处预期下波景气循环高点将出现在2007 年。根据过去实证经验显示，包括（1）PC 换机需求；（2）DRAM 厂资本支出；（3）供给需求比等三项要素与DRAM 产业景气有较明显正相关，研究处将以此三项要素推论DRAM 产业在未来一年半之趋势。

4. 研究处维持DRAM 类股投资评等为观望，建议投资人在六月对DRAM 类股操作仍持保守态度。若以长期投资策略而言，研究处建议投资人在七月可开始逢低承接，为八月起行情建立部位。

一、近期DRAM 价格跌势将延续至六月

DRAM 价格走势（包括DDR 及DDR2）在1H06 皆优于预期，其中DDR 均价下跌7.7％HoH，DDR2 均价更上涨6.2％HoH。DDR2 价格表现较DDR 为佳主要原因为PC OEM 在1Q06 对DDR2 需求大幅增加，但DRAM 厂却于1Q06 方才大量将DDR 产能转为DDR2，加上初期良率远低于DDR，使DDR2 出现供不应求，均价在1Q06 涨幅达7.2％，1Q06 末价格更较4Q05 末上涨达25％。

 

惟近期DRAM 价格已开始缓步走跌，显示价格表现虽因产能及制程转换等因素而优于预期，但因2Q06 为PC 需求最淡的时期，价格最终仍将反映疲弱的需求。研究处预期DDR2 价格将维持缓跌至六月底，DDR 价格则将为持平至微幅下跌，主要原因包括：

1. PC OEM 建立库存结束

根据IDC 预估，PC 出货量在2Q06 将下滑1％QoQ（1Q06 下滑11.9％QoQ），四月及五月为全年需求最低的两个月。但DDR2 因DRAM 厂进行DDR 与DDR2 产能转换造成暂时性供需吃紧，使PC OEM 提前建立库存，并使DDR2 价格走势在1Q06 明显上涨。但在PC OEM 建立库存于1Q06末逐渐告一段落，加上DDR2 产能明显增加，使DDR2 合约价及现货价已开始走跌。由于PC 需求在1Q~2Q06 确实偏弱，若PC OEM 已提前为3Q06备货，则DRAM 价格在3Q06 表现恐将低于预期。

2. 五一长假后并未见回补库存需求

DDR 价格在四月走势维持上涨之主要原因为通路商及贸易商为大陆五一长假需求备货，若五一长假期间需求强劲，则长假结束后尚会出现一波回补库存需求。但DDR 现货价自五月初以来跌幅约3.2％，ETT 跌幅更达7.6％，在大陆五一长假结束后，DDR 现货完全缺乏回补库存买气，而因长假前之四月份通路商及贸易商皆建立相当库存，预期五月下旬至六月需求仍将偏弱，现货价格将为缓跌风险较高。

3. 技术良率已明显提升使产出水准恢复正常

先前市场传出南韩记忆体大厂在制程微缩至90nm 发生良率偏低状况，使DRAM 产出低于预期，造成供需吃紧，PC OEM

并因此有需求提前现象。但制程良率已于五月逐渐提升，产出亦恢复正常，整体供需已不若四月紧俏。

4. 大陆暑期促销可能使价格短暂反弹

六月下旬将进入传统中国大陆暑期促销之备货期，市场多预期届时DRAM 价格将因建立库存需求开始上扬，并推升价格走高。根据2004 及2005 年经验显示，六月下旬起DRAM 价格确实在备货需求下走高，但高点通常出现在七月上旬至中旬，亦即价格仅属短期反弹，研究处认为DRAM 价格能够有较长且幅度较大之上涨恐须至八月上旬。

 

 

 

5. 2Q06 产业供过于求约7.5％

研究处之DRAM 供需模型显示全球DRAM 在2Q06 将出现7.5％供过于求，假设条件包括（1）全球DRAM 供给增加15.9％QoQ；（2）PC 出货衰退1％QoQ，但每台PC 之DRAM 配置量由750MB 提升至800MB，使PC 相关DRAM 需求量成长5.7％QoQ；（3）伺服器、工作站及其他包括消费性及通讯产品等需求成长11％QoQ；（4）整体DRAM 需求成长8.1％QoQ。研究处预估在六月底256Mb DDR 价格将下跌至2~2.1 美元，512MbDDR2 价格则将下跌至4.4~4.5 美元。

二、产业趋势显示DRAM 产业将进入中期复苏

1. 3Q06 中旬起DRAM 产业供需将逐渐好转

根据研究处之DRAM 供需模型，全球DRAM 在3Q06 约为供需平衡，但供需变化趋势将呈现渐入佳境，亦即七月仍有小幅供过于求，八月逐渐转为供需平衡，八月底至九月将出现供不应求。研究处对此需求变化之论点包括（1）七月PC 出货量将较六月微幅下滑，八月及九月将逐月成长，主要原因为欧洲国家在七月陆续进入暑期休假，需求将较为清淡，八月上旬将开始有回补库存需求，而八月下旬起北美地区之返校需求将开始出现，预期将持续至九月，使PC 出货量在八月及九月将优于七月；（2）由于PC OEM 及通路商对DRAM 需求通常领先PC 出货约2~3 周，研究处推估DRAM 需求在七月下旬起将开始出现较大成长，另一波需求则将出现在八月中旬。

研究处预估全球DRAM 需求在3Q06 将成长19.9％QoQ，明显高于2Q06 之8.1％QoQ。

在供给方面，全球记忆体厂商在2006 之主要产能扩充仍以NANDFlash 为主，尤其NAND Flash 价格在1Q06 跌幅超过50％，2Q06 起已开始见到因价格下跌所刺激之需求增加，加上3Q06 为消费性电子产品需求旺季，NAND Flash 需求亦将因此明显成长，使NAND

Flash 对DRAM 产生之产能排挤效应在3Q06 起将更为显著。研究处预估全球记忆体厂在中在2H06 之DRAM 产出将有较大幅增加为Samsung、力晶（部分为替Elpida代工产品）及茂德（详见三、主要记忆体制造商产能与产品扩充状况）。研究处因此预估全球DRAM 产出在3Q06 为12％QoQ，略低于2Q06 之15.9％QoQ。

 

 

 

2. DRAM 产业在2H06~2007 年将进入成长期

DRAM 产业自1993 年以来共经历两次景气循环，分别为1993~1998年，1999~2003 年，每次循环周期约四~五年，目前产业正处于2004~2008（F）年之景气向上循环期，以此推估，研究处预期下坡景气循环高点将出现在2007 年。根据过去实证经验显示，包括（1）PC 换机需求；（2）DRAM厂资本支出；（3）供给需求比等三项要素与DRAM 产业景气有较明显正相关，研究处将以此三项要素推论DRAM 产业在未来一年半之趋势。

3. Vista 作业系统将为驱动DRAM 产业成长关键要素

Microsoft 作业系统与DRAM 产业景气循环关联性相当高。在过去十年中，Microsoft 分别在1995 年八月推出Windows 95，2000 年二月推出Windows 2000，2001 年十月推出Windows XP，并计画在2006 年一月推出Windows Vista。若观察全球DRAM 产值走势，YoY 成长率高峰分别出现在1995 年、1999~2000 年以及2004 年（因0.11um 制程良率偏低造成1Q04价格大幅飙涨超过七成），每次高峰出现时点皆与新版作业系统上市同步，或领先新版作业系统上市时点约一季。故以Vista 作业系统将于2007 年一月上市推估，DRAM 景气高点亦将出现在2007 年。

新版作业系统上市推升DRAM 产业景气上升主因为（1）PC 换机需求。由过去历史经验显示（图三），全球PC 出货量成长YoY 高点与新版作业系统推出时点相当一致，显示新版作业系统有助于带动PC 换机需求；（2）DRAM 配置量增加。Microsoft 所推出每一代作业系统因功能不断提升，使其所要求之记忆体容量亦随之增加，例如Windows 95 所要求之记忆体容量为4~8MB，Windows 98 为16MB，Window 2000 为32~64MB，Windows XP为64~128MB，Vista 则进一步提高为512MB~1GB。

 

 

 

 

4. DRAM 资本支出仍在合理水位

由资本支出年成长率，

及其与DRAM 位元成长连动走势，及Capex/Sales ratio 三项指标显示，研究处认为记忆体厂商对2006 及2007 年资本支出规划将使全球DRAM 产出之位元成长维持在较低水位，并支撑DRAM 景气复苏。

在资本支出年成长率方面，根据研究处统计资料显示，全球主要记忆体厂商对2006 年DRAM 产能资本支出规划约为139.46 亿美元，较2005年成长10.3％，成长幅度与2005 年之12.3％YoY 持平，但却远低于2003及2004 年之65.3％YoY 及70.6％YoY。此将使2006 及2007 年全球DRAM产能增加幅度低于过去两年。

 

 

 

在DRAM Bit growth 方面，图五显示资本支出年成长率变化领先位元成长约一年，即当年资本支出若明显增加，则下一年位元成长将大幅上扬。由于2005 年及2006 年全球资本支出仅成长12.3％YoY 及10.3％YoY，研究处预估2006 年与2007 年DRAM 位元年成长率分别为44.2％及50.3％，低于2005 年之58.8％，及2000~2001 超过60％年成长率。

 

 

 

在Capex/Sales ratio 方面，研究处预估2006 年为48.8％，约与2005年之49.4％持平，虽然较2003~2004 年约40％水准，但幅度不大，显示整体资本之出仍处于合理水位。

 

 

 

三、主要记忆体制造商产能与产品扩充状况

记忆体厂商于2006 年产能扩充重点包括（1）12 寸厂产能扩充；（2）增加90nm 制程比重。扩充12 寸厂产能主要考量仍在降低成本，使产品价格具竞争力，加上8 寸厂在转往90nm 以下制程后无论设备及良率上已不具经济效益，使12 寸产能扩充成为记忆体厂商之主战场。而90nm 制程除可带来降低成本效益外，未来在DDR2 主流时脉提升至667MHz，甚至800MHz，0.11um 制程在生产良率将明显低于90nm。

由于DDR2 将于2H06 成为DRAM 主流产品，主要记忆体制造商自1Q06 起皆大量将DRAM 产能由DDR 转换至DDR2，同时亦增加90nm 制程产能。目前全球记忆体制造商以Samsung

在DDR2 产出及90nm 制程产能占总产能比重最高，其次为Hynix，国内厂商中则以南科比重较高。

1. Samsung

Samsung 在DRAM 产品上正逐渐增加包括手机DRAM 及绘图DRAM产出，主要原因为（1）利基型DRAM 营业利益率在3Q05 达29％，预估1H06 将可突破40％，获利率远优于标准型DRAM 之25％；（2）2006 年3G 手机出货量快速成长，对记忆体需求亦快速增加，Samsung 预估3G 手机平均记忆体容量为218MB，一般手机记忆体则约100MB，且在未来三年之CAGR 约56％。在绘图DRAM 方面，Xbox360 出货量在2006 年将可超过1,000 万台，PS3 亦将在2H06 上市，对绘图DRAM 需求量将快速增加。

90nm 制程于1Q06 占Samsung 产出约60％，12 寸厂产出则约占46.5％，预估Samsung 在2Q06 产出中65％皆为90nm 制程，年底将提升至75~80％，12 寸厂比重将增加至67％。DDR2 产出比重已达50~60％，预计至年底将达85％。目前Line14 将全数生产NAND Flash，Samsung 之DRAM 产能来源将为Line15，Samsung 预计2Q06 之DRAM 位元成长为13％QoQ，2006 年为40％YoY。

2. Hynix

Hynix 于2006 年之DRAM 产出预估将成长43％YoY，低于2005 年之58％YoY，主要原因为Hynix 积极将8 寸DRAM 产能转往NAND Flash，使其8 寸DRAM 月产能由2Q05 之29 万片下降至1Q06 之26 万片。此外，Hynix 于2006 年大部份新增产能皆为NAND Flash，包括将M6 之20 万片8 寸产能转至无锡厂，以及于无锡新建之12 寸厂皆以生产NAND Flash 为主。Hynix 规划将NAND Flash 占营收比重由3Q05 之30％提升至4Q06 之40％。

在制程技术上，90nm 制程占DRAM 产出比重由4Q05 之35％增加至1Q06 之53％，预计2Q06 将提升至65~70％，4Q06 将再增加至75~80％。

DDR2 产出比重已达55~60％，预计至年底将达75~80％。12 寸厂产出比重亦将由4Q05 之21.3％增加至4Q06 之36％，12 寸产能主要来自M10（规划产能将由4Q05 之2.5 万片扩充至4Q06 之4 万片）及茂德中科厂。

3. Micron

Micron 为记忆体厂中，将标准型DRAM 产能转为NAND Flash、利基型DRAM 及非记忆体产品最为积极者，Micron 已表示其标准型DRAM 产能比重至4Q06 将降至40％，显示其NAND Flash、利基型DRAM 及CMOSSensor 产能主要来自标准型DRAM 产能移转。由于在1Q06，其NANDFlash、利基型DRAM 与CMOS Sensor 共占产能比重之53％，故预期Micron在2006 年产能移转效应将持续存在。

Micron 之90nm以下制程于1Q06 占产出比重约20~25％，预估至2Q06将提升至30~35％，4Q06 将再提升至40~45％。DDR2 产出比重已达40~45％，预计至年底将达65~70％。12 寸厂于1Q06 占产出比重之26％，2Q06将增加至28~30％，预计至4Q06 将增加至38~40％。由于Micron 之8 寸厂数量在各记忆体厂商中最多，故其至2006 年年底之12 寸厂产出比重在

同业间亦最低。

4. 南科

南科对2006 年之产能及产品规划为（1）在华亚制程大量微缩至90nm及8 寸厂机台升级下，bit growth 将达35％YoY；（2）资本支出规划为2 亿美元，其中1 亿美元为升级8 寸厂设备，另外1 亿美元为兴建自有12 寸厂；（3）第一座自有12 寸厂（Fab3）位于泰山，将于1Q06 动土兴建，4Q07开始量产，第一期产能将扩充至2.4 万片，最大规划产能为6 万片，制程将直接切入70nm，规划产品为DRAM；（4）1Q06 约50％出货为DDR2，2Q06 将增加至60％，2H06 将再提升至80~90％。

由于南科已表示其2 座8 寸厂皆将停留在0.11um 制程，故以其自有产能而言，4Q06 并无90nm 制程产品，但因华亚科产出中约47％供应南科，而华亚在4Q05 之90nm 制程占产出比重约23％，预计至4Q06 所有产出皆为90nm 制程。

5. 茂德

茂德在2006 年主要成长动能来源为中科12 寸厂，目前月产能约1.5万片，预计至4Q06 将扩充至3.5 万片，并将贡献超过50％之bit growth。在产品规划上，竹科12 寸厂中超过50％产能于1Q06 开始投产DDR2，预计至2Q06 将全部投产DDR2，而8 寸厂约4 万片产能中，利基型产品在1Q06 产能约达1 万片，预计2Q06 将达1.5 万片，研究处预估至4Q06 将增加至3 万片。

茂德之90nm 制程比重在4Q05 仅约3.4％，但因目前在中科12 寸厂皆以90nm 制程投产，预计至4Q06 比重将提升至61.6％。此外，目前12 寸产能占茂德产出比重约69.7％，在中科12 寸厂产能快速增加，及8 寸厂产能增加非标准型DRAM 产能下，预计12 寸产能至4Q06 将占茂德产出之93％。

6. 力晶

力晶在2006 年产能增加主要来自第二座12 寸厂12B，预计产能将由4Q05 之2 万片扩充至4Q06 之6.5 万片。力晶并预计将8 寸厂共4 万片产能在2Q~3Q06全部转为代工（包括Data Flash、利基型DRAM、CMOS Sensor及LCD 驱动IC），并在12A 增加Data Flash 产出比重。此外，力晶已开始以90nm 制程投产DDR2，预计产出在2Q06 将有明显增加。

力晶在4Q05 仍无90nm 制程产出，但预计至4Q06 比重将提升至55.3％，而12 寸厂产能于4Q05 占产出比重已达96％，预计至4Q06 其标准行DRAM 将100％由12 寸厂生产。

四、维持DRAM 类股投资建议为观望

研究处维持DRAM 类股投资评等为观望，建议投资人在六月对DRAM类股操作仍持保守态度，主要原因为：

1. DDR2 价格在六月将维持缓步下跌走势，预估合约价在上旬及下旬将分别调降1~3％，六月底至七月中将跌至4.4~4.5

美元，DDR 价格亦将下跌至2~2.1 美元。由图九显示，DRAM 类股股价与现货价走势具有密切连动关系，过去2~3 年连动较高为DDR 价格，2006 年以来则与DDR2价格连动较大。在DRAM 价格走跌下，DRAM 类股股价将难有表现。

2. 虽然DRAM 厂产能持续增加，但DRAM 价格下跌将影响其营收成长动能，其中南科及华亚因产出成长有限，未来两个月营收将逐月下滑，力晶及茂德因新产能持续开出，预期营收仍可维持高档，但将无法续创新高。

若以长期投资策略而言，研究处建议投资人在七月可开始逢低承接，为八月起行情建立部位。研究处预估PC 出货在八月将因欧美暑休结束之回补库存需求及下旬起之返校需求推动较七月明显成长，使DRAM 需求在七月下旬开始明显增加，DRAM 价格亦将正式止跌上扬，预期将带动DRAM股价上涨。此外，DRAM价格上涨加上DRAM厂产出增加将使3Q06营收较2Q06 大幅成长，月营收将可创新高，亦将提供DRAM 股价上涨动能。