上周回顾及短线分析预测

下周分析与预测：

 DDR1：

 对DDR1下周走势，我们基本维持原有的观点不变：

1）UTT 32MbX8 DDR1的价格在2.40-2.50美金区间附近已经处于顶部区域，未来达到或超过此区间的顶部（2.50美金）的机会都不大；而64MbX8 DDR1在4.80-5.00美金，即为高危区域，继续向上的空间也和机会也均不大。

2）下周极有可能就是本次DDR1价格上涨后最终触顶的时间，就是说下周DDR1的价格将可能是今年的最高点。由于DDR1的价格一直在高位震荡，目前已有迹象显示供应开始有所松动，所以下周的价格触顶的几率较高。

3）我们维持六月中旬附近 DDR1将会维持相对强势的研判，中旬后DDR1开始逐步步入缓慢调整期，也就是说七月前DDR1的价格仍会维持目前的区间震荡走势，但走势会逐步转弱。

4）但由于下周DDR1价格极大可能会产生今年的最高点，操作上未来两周要十分小心，尤其库存水位要尽量压低。

 DDR2：

尽管上周现货市场出现DDR2供应略微增多的情况，价格也出现轻微下跌，但是受到DDR2销量持续增长的支撑和DDR1价格上涨的影响，DDR2总体仍会维持区间盘整走势。相信下周DDR2的价格总体至少会维持这种走势，上下空间都不会太大。

操作上维持原有建议，可以适当逢低补仓，波段操作，并保持3－5天的库存不失为一个稳妥的防御性操作手法。

 Nand Flash：（维持原有观点不变）

 Nand Flash的价格走势逐步趋稳，理论上中线底部已经形成。下半年需求是否会如约而至将成为关键，短线下周仍会维持底部区间震荡走势。目前三星的态度还是比较正面，对六月上旬的合约价也是维持总体微幅上扬的态势。

因此我们建议操作上继续适当采取积极态度，正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓，5月底－6月中旬维持1/3－1/2仓位，逢低建仓至1/2位，逢高则减仓至1/3仓位，保持波段操作，正常经营。
 
上周的市场炒作热度维持在70分水平（满分100分），市场需求同期正常水准，但关注指数维持降至80分水平，市场基本处于健康水准，成交量上升为75分水平。

 我们的短线判断是：

DDR1：

• 下周DDR1的价格很大程度上将会是今年的最高点。短线已经没有任何炒作的价值和空间，剩下的几乎都是风险，建议维持正常经营即可，目前的价位不具有投资价值。
• 我们维持6月中旬前DDR1维持强势的判断。而6月底前仍会维持高位区间震荡，7月开始后价格才会缓步走软。
• 7月开始价格将会面临前所未有的压力，价格下跌的机会大增。  
• 就资金和库存而言，DDR1的压力越来越大，高价位难以维持到7月。就此我们认为价格在7月开始走软的几率大增。
• 短线目前经营上仍要坚持每逢回调到低点（止跌点）即加大库存的策略，逢高则以减磅为主的短线操作路线，即波段底部加大库存，区间顶部出货为主，没货时区间顶部出多少进多少的保守操作策略。

DDR2：

• 
  受DDR2供求关系出现短暂轻微失衡及激烈竞争影响，DDR2的价格上周维持偏软区间震荡走势，但相信未来短线向下空间还是不大。而DDR1价格的上升，导致DDR2与DDR1的本已缩小的价差反而增大了，这对DDR2的走势有正面作用。 
• 由于受到Intel预计7月调降CPU的价格和AM2上市的双重影响，预计下半年对DDR2的需求将会持续升温，有一定的上升的机会和空间，尽管速度较为缓慢。我们维持原有的建议，即维持正常经营前提下，未来短线可以适当逢低吸纳，继续逢低维持7－10天库存的前提下，并视情况进行波段操作，即低吸高抛。

Nand Flash：

 Nand Flash的中线的下跌空间有限，中线的底部已经基本形成，未来主要视需求状况再选择最终突破的方向。目前短线可以逢低适当介入，在正常经营的前提下，逢低可以适当低吸高抛，中线（6月中旬前）可逢低在接近厂家成本区的价位附近吸纳一定的低价库存（20天左右）（尤其针对4G、8G产品，但是对高阶要慎重），以应对未来的可能出现的变化，预计反弹幅度维持在10－20％。但是总体升幅就会受到MLC价格的负面影响，升幅相信不会太大，对此要有清醒的认识。

（史军执笔，仅供参考）