美元换人民币  当前汇率7.27

上周回顾及短线分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2006-06-18
上周回顾: DDR1方面上周的价格出现轻微走软的迹象,64MbX8颗粒的供应情况开始有所改善,周末价格小幅回调到4.70美金以下。而DDR2继续受到供应充足影响,价格继续轻微下跌,市占率就由于DDR1价格高企而继续稳步增长。Nand Flash的价格继续底部震荡,市场需求开始轻微好转,但是受到低价MLC产品和月底压力的双重负面影响,筑底时间将会延长,短时间内结束的机会并不大。

 

上周回顾:

DDR1方面上周的价格出现轻微走软的迹象,64MbX8颗粒的供应情况开始有所改善,周末价格小幅回调到4.70美金以下。而DDR2继续受到供应充足影响,价格继续轻微下跌,市占率就由于DDR1价格高企而继续稳步增长。Nand Flash的价格继续底部震荡,市场需求开始轻微好转,但是受到低价MLC产品和月底压力的双重负面影响,筑底时间将会延长,短时间内结束的机会并不大。


下周分析与预测:

DDR1:

DDR1下周走势,我们基本维持原有的观点不变:

1)64MbX8 DDR1在4.80-5.00美金,即为高危区域,继续向上的空间也和机会也均不大。上周初极有可能就是本次DDR1价格上涨后最终触顶的时间点,就是说上周出DDR1的价格将可能是今年的最高点。由于DDR1的价格一直在高位震荡,目前已有迹象显示供应开始有所松动,所以上周的价格触顶的几率较高。

2)我们维持六月中旬以后DDR1价格开始逐步步入缓慢调整期,也就是说七月前DDR1的价格仍会维持目前的轻微偏软的区间震荡走势,即月底前走势会逐步转弱。

3)下周的DDR1价格继续维持上周这种缓慢震荡下跌的几率较大。操作上注意还是要避免大量炒作DDR1及大量囤积库存的作法;正常经营者就应该逢低适当吸纳-就是每逢价格跌不动的时候即可适当多吸纳将库存增加3至5天的量;逢高减磅为主。

DDR2:

尽管上周现货市场出现DDR2供应略微增多的情况,价格也出现轻微下跌,但是受到DDR2销量持续增长的支撑和DDR1价格上涨的影响,DDR2总体仍维持在前期形成的区间内盘整,并未脱离其原有的轨迹。相信下周DDR2的价格总体至少会维持这种略微偏软走势,上下空间都不会太大,价格就会继续维持在这个大的区间内。

操作上维持原有建议,可以适当逢低补仓,波段操作,并逢低继续保持5天左右的库存不失为一个稳妥的防御性操作手法。

Nand Flash:(维持原有观点不变)

由于月底压力,Nand Flash的价格上周开始又有所走软,但理论上SLC系列产品的中线底部已经形成,跌破的机会并不大。需要指出的是MLC产品的成本由于相对较低,目前的价格距离其成本区仍有距离,所以MLC的产品价格并未达到安全的价位区。

下半年需求是否会如约而至将成为关键,短线下周仍会维持底部区间震荡走势。目前三星的态度还是比较正面,对六月上旬的合约价也是维持总体微幅上扬的态势。

因此SLC方面,我们建议操作上继续适当采取积极态度,正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓,仓位继续维持1/3-1/2仓位之间,逢低建仓至1/2位,逢高则减仓至1/3仓位,保持波段操作,正常经营。

上周市场情况评估:

上周的市场炒作热度继续维持在70分水平(满分100分),市场需求维持同期正常水准,但关注指数维持降至75分水平,市场基本处于健康水准,成交量维持在75分水平。

品 牌

价格区间

预测走势

二线品牌

512MB DDR2 533 8C

RMB250-290

稍偏软的区间震荡走势

Hynix

512MB DDR400 8C

RMB300-325

稍偏软的区间震荡走势

Hynix

1GB DDR400 16C

RMB600-650

稍偏软的区间震荡走势

UTT/ETT

512MB DDR400 16C

RMB300-325

稍偏软的区间震荡走势

我们的短线判断是:

DDR1:(基本维持原有观点不变)

  • 上周DDR1的价格很大程度上将会是今年的最高点。短线已经没有任何炒作的价值和空间,剩下的几乎都是风险,建议维持正常经营即可,目前的价位不具有长线投资价值。
  • 我们维持6月中旬后价格维持高位区间震荡,7月开始后价格才会缓步走软。7月开始价格将会面临前所未有的压力,价格下跌的机会大增。就资金和库存而言,DDR1的压力越来越大,高价位难以维持到7月,就此我们认为价格在7月开始走软的几率大增。
  • 短线目前经营上仍要坚持每逢回调到低点(止跌点)即加大库存的策略,逢高则以减磅为主的短线操作路线,即波段区间底部加大库存,波段区间顶部出货为主,没货时,区间顶部维持出多少进多少的保守操作策略,避免追高看涨。


DDR2:(基本维持原有观点不变)

  • 受月底抛货压力冲击,现货市场DDR2供求关系出现短暂轻微失衡,现货市场通路则面临竞争压力,DDR2的价格上周维持偏软区间震荡走势,但相信未来短线向下空间还是不大,跌破前期的低点的机会渺茫。而DDR1价格的高企、DDR2的价格走软,导致DDR2与DDR1价差维持在高位,这对DDR2的普及和走势有正面作用。
  • 由于受到Intel预计7月调降CPU的价格和AM2上市的双重影响,预计下半年对DDR2的需求将会持续升温,有一定的上升的机会和空间,尽管速度较为缓慢。
  • 我们维持原有的建议,即维持正常经营前提下,未来短线可以适当逢低吸纳,继续逢低维持10天左右库存的前提下,并视情况进行波段操作,即低吸高抛。

Nand Flash:

l Nand Flash(SLC)的中线的下跌空间有限,中线的底部已经基本形成,未来主要视需求状况再选择最终突破的方向。

l 目前短线SLC产品可以逢低适当介入,在正常经营的前提下,逢低可以适当低吸高抛,中线可逢低在接近厂家成本区的价位附近吸纳一定的低价库存(20天左右)(尤其针对4G、8G产品,但是对高阶要慎重),以应对未来的可能出现的变化,预计反弹幅度维持在10-20%。

l 由于行情启动仍需要大约1-3个的时间,所以SLC已经建立库存的,建议科持仓不动,或波段炒作,即低吸高抛。

l 如果不能长线持仓,短线也可以逢高适当减仓,降低仓位,乘着价格接近建仓成本价附近规避风险。

l 今年的Nand Flash的炒作比较适合正在经营Nand Flash的商家,即窄幅波段波动靠赚取波段差价积小胜为大胜。

l 但是总体升幅就会受到MLC价格的负面影响,升幅相信不会太大,对此要有清醒的认识。

l MLC产品的介入仍需等待时机介入,预计下跌空间仍有10-20%。


(史军执笔,仅供参考)