上周回顾及短线分析预测

上周回顾： DDR1方面上周的价格维持高位震荡走势，供应仍然维持紧张，需求则继续维持在低位。DDR2继续受到供应充足影响，价格继续维持偏软的震荡走势，市占率继续受惠于DDR1价格高企而稳步增长。Nand Flash的价格继续底部震荡，受价格再次下跌刺激，市场需求开始轻微好转，但是总体受到低价MLC产品和月底压力的双重负面影响，筑底时间将会延长，短时间内结束筑底的机会还是不大。

上周回顾：

DDR1方面上周的价格维持高位震荡走势，供应仍然维持紧张，需求则继续维持在低位。DDR2继续受到供应充足影响，价格继续维持偏软的震荡走势，市占率继续受惠于DDR1价格高企而稳步增长。Nand Flash的价格继续底部震荡，受价格再次下跌刺激，市场需求开始轻微好转，但是总体受到低价MLC产品和月底压力的双重负面影响，筑底时间将会延长，短时间内结束筑底的机会还是不大。

下周分析与预测：

DDR1：

1）64MbX8 DDR1在4.80-5.00美金，仍为高危区域和顶部区域，继续向上的空间和机会均不大。
2）下周DDR1的价格仍会维持目前的区间震荡走势，上下空间均不会太大，这主要是因为需求较差和供应仍就维持紧张关系。
操作上，由于短线的DDR1供求关系维持弱平衡状态，建议维持正常经营，下周逢低适当吸纳（就是每逢价格跌不动的时候即可适当多吸纳将库存增加3至5天的量）；逢高减磅为主，仍不建议炒作DDR1。
下周操作上注意的在下周DDR1价格仍将维持高位震荡的情况下，避免追高仍是关键。
 
DDR2：

DDR2的价格受到来自厂家制程提高、良率上升及转产等诸多因素影响，产能增加明显，加之现货市场DDR2的需求尚不能消化增加的产能，所以上周价格也继续维持下跌也是情理之中的。
但是受到DDR2销量持续增长的支撑和DDR1价格维持高位的影响，DDR2的价格总体仍维持在前期形成的区间内盘整，并未脱离其原有的轨迹。

相信下周DDR2的价格总体至少会维持这种略微偏软走势，上下空间都不会太大，价格就会继续维持在这个大的震荡区间内。
操作上维持原有建议，可以适当逢低补仓，波段操作（逢高减磅，逢低吸纳）的前提下，逢低继续保持7天左右的库存不失为一个稳妥的防御性操作手法。
 
 Nand Flash：

由于月底压力，Nand Flash的价格上周开始又有所走软，但理论上SLC系列产品的中线底部已经形成。
而MLC产品的价格走势由于产品竞争刚刚形成，所以其走势规律尚未完全形成。而需要指出的是MLC产品的成本由于相对SLC低一些，目前的价格距离其成本区仍有距离，所以MLC的产品价格并未达到安全的价位区。
下半年OEM的需求是否会如约而至将成为关键，短线下周仍会维持底部区间震荡走势。由于月底目前的走势较为混沌，一切要等到7月初才会清晰。目前三星、东芝的态度还是比较正面，未来就看OEM的需求了。
因此SLC方面，我们建议操作上继续适当采取积极态度，正常经营者建议可逢低开始考虑适当建仓，仓位继续维持1/3－1/2仓位之间，逢低建仓至1/2位，逢高则减仓至1/3仓位，目前仍不宜满仓操作，保持波段操作思路是维持库存的成本不断下降的唯一可行的方法，即正常经营并维持一定的库存。
 
上周市场情况汇总：

上周的市场炒作热度继续维持在60分水平（满分100分），市场需求维持同期正常水准，但关注指数维持降至75分水平，但是Nand Flash的关注度上升到85分水平，市场基本处于健康水准，成交量下跌在60分水平。

品 牌	型     号	价格区间	预测走势
二线品牌	512MB DDR2 533 8C	RMB250－285	稍偏软的区间震荡走势
Hynix	512MB DDR400 8C	RMB300－325	区间震荡走势
Hynix	1GB DDR400 16C	RMB600－650	区间震荡走势
UTT/ETT	512MB DDR400 16C	RMB300－325	区间震荡走势

短线判断是：

2004年前四大DRAM厂的市占率总和为75.6%，2005年为75.2%，显见全球DRAM厂商市占率趋于稳定，同时整体DRAM厂商将呈现寡占的居面，DRAM价格因大幅扩充产能而崩跌的情形将不会出现。

DDR1：

• DDR1似乎还剩下最后一个悬念，就是暑期需求是否能够带动其价格登峰造极？我们认为短线小幅区间震荡可能性偏大，大幅上升的机会还是不大。未来的风险还是大于机会，目前的价位不具有中长线投资价值。

• 针对近期的情况，我们认为7月中旬以前后DDR1的价格维持高位区间震荡的机会较大，7月中旬开始后价格才会有机会缓步走软。尤其7月底价压力大增，价格下跌的机会也增大。
• 短线目前经营上仍要坚持每逢回调到低点（止跌点）即加大库存的策略，逢高则以减磅为主的短线操作路线，即波段区间底部加大库存，波段区间顶部出货为主，没货时，区间顶部维持出多少进多少的保守操作策略，避免追高看涨。
• 7月中旬前后要密切注意供应方的动态，在此期间注意库存水位。

DDR2：

 由于CPU价格的快速下滑，短线PC市场不可避免地需求出现观望，但DDR2需求却未见明显萎缩反而呈现总体稳步增加态势。
 DDR2的价格上周维持偏软区间震荡走势，但相信未来短线向下空间还是不大，跌破前期的低点的机会渺茫。
 我们维持原有的建议，即维持正常经营前提下，未来短线可以适当逢低吸纳，继续逢低维持14天左右库存的前提下，进行波段操作。

Nand Flash：

1. 尽管上周的Nand Flash价格继续跌跌不休，但是我们要讲的是Nand Flash（SLC）的中线的下跌空间有限，中线的底部也已经基本形成，最艰难的时期即将过去。未来主要视OEM需求状况再选择最终突破的方向。
2. 目前短线SLC产品可以逢低适当介入，在正常经营的前提下，逢低可以适当低吸高抛，中线可逢低在接近厂家成本区的价位附近吸纳一定的低价库存（20天左右）（尤其针对4G、8G产品，但是对高阶要慎重），以应对未来的可能出现的变化，预计反弹幅度维持在10－20％。MLC产品的成本相对便宜仍需谨慎对待。
3. 由于行情启动仍需要大约1－2个月的时间，所以SLC已经建立库存的，建议可以持仓不动，并波段操作，即低吸高抛，逢低吸纳，逢高减磅，降低成成本，仓位目前仍要维持在1/2-1/3之间，逢低跌不动时加至1/2，出现小幅反弹时减到1/3，目前还不能满仓。
4. 总体升幅就会受到MLC价格的负面影响，升幅相信不会太大，对此要有清醒的认识。MLC产品的介入仍需等待时机介入，预计下跌空间仍有10－20％。
 

（史军执笔，仅供参考）