上周回顾及短线分析预测
上周回顾：
上周DDR1价格继续维持在高位，供应端仍然维持紧张，需求则继续维持在低位。DDR2继续受到供应充足影响价格维持偏软走势，市占率继续受惠于DDR1价格高企而稳步增长。受到产能过大影响，Nand Flash的价格继续走软，市场需求开始轻微好转，但是总体受到产能过大、低成本MLC产品大量上市影响，筑底时间将会延长，短时间内结束筑底的机会仍不大。
下周分析与预测：
DDR1：
下周DDR1的价格仍会维持目前的区间震荡走势，上下空间均不会太大，这主要是因为需求较差和供应仍就维持紧张关系。
操作上，由于短线的DDR1供求关系维持弱平衡状态，建议维持正常经营，下周的经营应以正常经营为主，库存量应控制在3天以内，仍不建议炒作DDR1。下周操作上注意的在下周DDR1价格仍将维持高位震荡的情况下，避免盲目跟风追高仍是关键。
DDR2：
上周月末效应尽现，DDR2的价格继续受到来自厂家制程提高、良率上升及转产等诸多因素造成的产能增加影响，加之现货市场DDR2的需求尚不够强劲，难以消化增加的这部分产能，因此价格走软也就理所当然了。特别是被配售的白板颗粒被大量低价抛售到现货市场是造成现货市场价格下跌的重要原因之一。
但是受到DDR2销量持续增长的支撑和DDR1价格维持高位的影响，DDR2的价格总体仍维持在前期形成的区间内盘整，并未脱离其原有的轨迹。
相信下周DDR2的价格总体至少会维持这种略微偏软震荡走势，上下空间都不会太大，价格就会继续维持在这个大的震荡区间内，价格将也会逐步趋于稳定。
操作上维持原有建议，波段操作（逢高减磅，逢低吸纳）的前提下，这样的化库存成本也应是变动的即随着价格的下跌而下跌。逢低继续保持10天左右的DDR2库存，但是要注意不同品牌的价格区别较大，慎重选择。
Nand Flash：
由于月底压力，Nand Flash的价格上周开始继续走软，只是三星的产品跌幅较大些，这主要是因为三星的成本最低、产能较大；另外牧区爱女三星的MLC产品质量不够稳定也是其大量低价抛售的原因原因之一。
下周将是7月的第一周，这一周的走势将比较关键。我们预计下周的Nand Flash价格仍会维持下跌走势，但跌幅将会开始趋缓，但是否能够完全止跌仍要看7月份整个上半月的走势。
短期MLC的价格仍将有较大的下跌空间，但是SLC产品的价格下跌空间不大，尤其是4G产品已经接近其目前主要厂家的制程成本区，预期未来下跌空间最大会在10％以内。
Nand Flash的炒作方面，在SLC方面，我们建议操作上继续采取波段操作的方式，鉴于价格持续下跌可暂时采取观望态度，仓位先降至1/3仓位水平，继续波段操作。等待价格跌势趋缓后，再动不迟。目前仍不宜满仓操作，更不宜死守。
保持波段操作思路是维持库存的成本不断下降的唯一可行的方法，即正常经营并维持一定的库存是显示选择。
上周市场情况汇总：
上周的市场炒作热度上升为65分水平（满分100分），市场需求维持同期正常水准，但关注指数维持在75分水平，但是Nand Flash的关注度上升到85分水平，市场基本处于健康水准，成交量上升70分水平。
下周价格预测：
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB250－285 |
稍偏软的区间震荡走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB300－325 |
区间震荡走势 |
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Hynix |
1GB DDR400 16C |
RMB600－650 |
区间震荡走势 |
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UTT/ETT |
512MB DDR400 16C |
RMB300－325 |
区间震荡走势 |
短线判断是：
由于全球记忆体近况改善，iSuppli 将今年全球半导体市场成长率6.8％上修至7.4％，为2547 亿美元，预估2007 年在消费性电子产品及PC 换机潮带动下，市场规模持续成长12％，达2852 亿美元规模，预估2005～2010 年年复合成长率为8.2％；其中DRAM 产值成长约6.2％，为264 亿美元；而NAND Flash 则大幅成长29％，约138 亿美元。
DDR1：
DDR1的最后一个悬念，就是暑期需求是否能够带动其价格登峰造极？我们认为机会并不不大。
针对近期的情况，我们认为7月上半月DDR1的价格维持高位区间震荡的机会较大，7月下半月价格才会有机会缓步走软。未来伴随者DDR1的需求不断下降，7月底价DDR1的压力将可能增大，价格下跌的机会也相应增大。
7月中旬前后要密切注意供应方的动态，在此期间注意库存水位。7月第二周时应注意适时评估形势，尤其注意避免追高和库存水位过高。
DDR2：
由于CPU价格的快速下滑，短线PC市场不可避免地需求出现观望，但DDR2需求却未见明显萎缩反而呈现总体稳步增加态势。
DDR2的价格上周维持偏软区间震荡走势，但相信未来短线向下空间还是不大，跌破前期的低点的机会渺茫。
我们维持原有的建议，即维持正常经营前提下，未来短线可以适当逢低吸纳，继续逢低维持14天左右库存的前提下，并进行波段操作，逐步降低成本。
Nand Flash：
由于Nand Flash的制程相对简单、成本相对便宜、利润又比DRAM高，目前由于国际DRAM 大厂对于FLASH 的产能持续扩充， NAND Flash在经历年初的大幅降价之后，需求已大幅提升，对三星等大厂而言，NAND Flash的营业利益仍高于标准型DRAM，因此不太可能将产能调回生产标准型 DRAM，所以中线指望DRAM参加主动减产的可能性极低，未来行情的走势将主要取决于OEM的需求强与弱，所以要密切关注OEM端需求的变化。
尽管上周的Nand Flash价格继续跌跌不休，但是我们要讲的是Nand Flash（SLC）的中线的下跌空间有限，但三星前期的价格高于海力士，所以两者价差缩小也属正常。中线的底部也已经基本形成，最艰难的时期即将过去，未来主要视OEM需求状况再选择最终突破的方向。
目前短线SLC产品可以逢低适当介入，在正常经营的前提下，逢低可以适当低吸高抛，中线在7月底前采取波段操作方式低吸高抛的方式吸纳一定的低价库存（尤其针对4G、8G产品，但是对高阶要慎重），以应对未来的可能出现的变化，但是库存的总量还是要维持在1/2仓位以内，下跌时仓位减至1/3；一旦价格走稳即可加仓到1/2仓位，切记仓位目前不可太重。
由于行情启动仍需要大约1－2个月的时间，所以SLC已经建立库存的，建议可以并波段操作逐步降低库存的成本价格，即低吸高抛，逢低吸纳，逢高减磅，降低成本，预计反弹幅度维持在10－20％。总体升幅就会受到MLC价格的负面影响，升幅相信不会太大，对此要有清醒的认识。MLC产品的成本相对便宜，价格仍有下跌空间仍需谨慎对待。
场外人士由于缺少波段操作的机会，所以降低成本就显得比较困难。
（史军执笔，仅供参考）
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