力晶资料

◆2Q06获利略低于预期，惟2H06获利将大幅成长，维持投资建议为买进。

力晶2Q06营收187.9亿元（27.1％QoQ），毛利45.4亿元，毛利率24.1％，略低于研究处预估之25.7％，主要原因为90nm制程良率及产出不如预期，税前获利35.6亿元（253.3％QoQ），税后EPS 0.57元，略低于研究处预估之0.60元。

力晶对2H06之DRAM供需看法包括

（1）DRAM厂产能增加幅度有限；

（2）90nm制程产出增加幅度低于1H06；

（3）NAND Flash产能将不会转回生产DRAM；

（4）DRAM厂产能维持多样化，包括mobile DRAM及其他利基型DRAM；

（5）8寸厂持续增加生产非DRAM产品比重；

（6）CPU价格调降将刺激DRAM需求。

力晶对2H06产能规划为

（1）12B产出将由3万片增加至4万片，12M产能规划为2万片，其中1万片将生产DRAM，另外1万片规划为Data Flash，但预期实际产出约3~4千片，以此推估3Q06及4Q06之bit growth分别为15％及12％；

（2）在6月投产DRAM中已有70％为90nm制程，其中50％为DDR2，17％为DDR，其余为MLC制程4Gb Data Flash；

（3）预计DDR在2H06仍将占总产出之25％；

（4）规划DataFlash在2H06产能将扩充至2万片，90nm制程比重将达90％；

（5）12M产能至2006年年底将扩充至2万片，预计至1H07将再增加1万片产能；

（6）12C产能至2007年年底将扩充至3万片。

力晶表示7月营收将可达70亿元，6月毛利率已达28％，显示其2Q06单月毛利率呈跳跃式成长，研究处预估3Q06营收将成长17.4％QoQ为220.5亿元，毛利率30.5％，税前获利51.3亿元（44.1％QoQ），税后EPS 0.90元。虽然2Q06获利略低于预期，但因先前尚未将12M产能计入2H06产出，且2Q06末毛利率达28％亦优于预期，研究处因此调升2006年营收及获利预估至802.5亿元（56％YoY）及158.9亿元（182.1％YoY），税后EPS 2.73元。由于预期3Q06 DRAM价格仍将持续上扬，研究处维持投资建议为买进，目标价27元（1.6X2006BVPS）。