资料力晶Q3

《Q3 Bit growth rate 达14% 营收具爆发力》

◎Q2 营收QOQ成长27%，税后EPS0.58 元

力晶Q2 营收187 亿，QOQ27%，税后净利31.89 亿元，税后EPS0.58元，获利较Q1 的0.18 元大幅成长，累计1H 税后净利45.6 亿元，税后EPS0.76 元，Q2 12-A、12-B 总产能为8 万片，90 奈米比重达75%产出较Q1 成长，在报价持稳下使得力晶营收自4 月起已连续三个月创新高，预估 Q3 在总产能持续提升至8 万5 千片及制程持续转进90nm下，营收应可续创新高。

◎2H 之后12M 厂将进入量产，领先同业切入Nand Falsh市场

为减少过度集中单一市场造成营收波动剧烈，分散市场为台湾DRAM厂在提升标准型DRAM 市占率后的首要之务，目前DRAM 厂对于下半年景气看法都表乐观，原因主要来自国际大厂在产能配置上主要转往NAND FLASH、影像感测器及手机用DRAM，考量产能转回至少需两个月，在旺季期间此举不符效益下，产能转回生产标准型DRAM的可能性不大，因此2H 标准型DRAM 产能增加会是以台厂为主，其中力晶Q3 bit growth rate 达14%，且预估Q4 将可以自有品牌推出1GB及4GB 产品至市面上，配合下半年消费电子旺季，营收成长动能佳具题材性。

◎投资建议

大华投顾预估力晶06 年营收800 亿元(YOY55%)，税后净利112 亿元(YOY74%)，税后EPS1.99 元，今年DRAM 产业展望佳，在报价优于往年下，产能及产出时机为选股重点，今年力晶绝对产能为台厂之冠逐季均有新增产能开出，成长动能佳，因此投资建议买进，目标价28元(1.6X2006P/B)。

◎财务资料

◎Q3 力晶新增产能来自12-A 及12-B 厂，Q4 12M 厂亦将加入量产行列

力晶为全方位记忆体供应商，目前虽以标准型DRAM为主要产品，但公司仍朝NAND Flash、foundry 等市场布局，目前在产能配置上8 寸厂主要以代工为主，12 寸厂除少部份产能代工，主要用来生产标准型DRAM及NAND Flash。8 寸厂厂部份在体认到未来8 寸厂将不再具有竞争优势下除折旧已摊提完毕，对于产能规划亦起步的比同业早，目前Q3 产能3.7万片/代工主要包括逻辑产品、CIS 及NAND Flash等产品，目前订单满载，处于获利状态，因此为避免厂房迁移造成闲置，目前无移往大陆规划。

在12 寸厂产能部份，目前12-A、12-B 产能在Q3达到满载达8 万5 千片，其中扣到一万片代工、一万片替瑞萨生产NAND Flash其余6.5万片将生产标准型DRAM，同时预计Q3 或Q4底试产70 奈米，1H 购自旺宏的12-M厂则至年底量产初期产能2 万片，为了维持厂房运作效能会将一万片产能用来生产标准型DRAM、自有品牌 NAND FLASH 初期产出片数约在5 千片左右，3 月已经破动兴建的12-C 厂在明年将直接以70 奈米投产预计至Q4将可进入量产阶段。

◎下半年供需变化有利DRAM 报价走势，8 月报价一致看涨

目前国际大厂均不再以扩充标准型DRAM 产能为主，除三星仍维持市占率外，Micron 目前将重心移往Flash 及影像感测元件、Elpida 以Mobile dram 为主、Hynix 着重Mobile dram 及Flash 市场，因此2H 标准型DRAM产出增加主要来自台厂，2H 以茂德及力晶产出动能有较明显成长。

Q1力晶仍为DDR1 主要供应商，DDR1 占产出比重57%，DDR2 占16%，在第二季产能移往DDR2 后，目前DDR1 与DDR2 占DRAM产出比重约为35%：65%，预计至Q3时比重将提升到25%：75%，并100%以90 奈米投产。时序进入下半年PC 旺季后预期供需情势变化将有利于DRAM 价格走势，原因包括7月份大陆促销活动即将开始、Intel 7 月底再度调降CPU 售价以及8 月返校需求等均可提升买气。另外在供给部份下半年DDR2-667 为主流后，旧的8 寸厂将不具生产效益而退出标准型DRAM生产行列，有助

于减缓DDR2 下半年的供给增加速度。

◎历史P/B 比

进入下半年后，标准型DRAM供给面实际扩产有限而需求成长下，DRAM产业供需状况将有所改善，目前DRAM个股股价净值比均在低缘，力晶P/B 比以年底净值约17 块计算仅1.25 左右，Q3 力晶位元成长仍达14%水准且在制造端部份将100%转入90 奈米，成本可进一步下降，在产业即将步入旺季有利产品报价走势，中长期投资建议买进，力晶以其12 寸厂产能及领先同业跨入Nand Flash 市场将具有较佳营收成长动能与题材，买进目标价28 元(06x1.6P/B)。