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上周回顾及短线分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2006-08-20
上周回顾: 上周的DDR1的价格就维持轻微上扬的盘整走势。而DDR2在接近周末时,外围市场的价格受传闻影响而被炒高,实际上还是市场部分商家对8月下旬出现强劲的返校需求的心里预期而产生的。Nand Flash的价格下跌走势开始明显趋缓,并有所反复。随着时间进入8月底这个敏感时间段,对于是否能够再筑一个新的底部,似乎目前仍未有定案。

上周回顾:


上周的DDR1的价格就维持轻微上扬的盘整走势。而DDR2在接近周末时,外围市场的价格受传闻影响而被炒高,实际上还是市场部分商家对8月下旬出现强劲的返校需求的心里预期而产生的。Nand Flash的价格下跌走势开始明显趋缓,并有所反复。随着时间进入8月底这个敏感时间段,对于是否能够再筑一个新的底部,似乎目前仍未有定案。

下周分析与预测:


DDR1:(基本维持上周建议)


DDR1目前已经处于高位(目前UTT和Hynix 64MbX8颗粒均处于5.50美金附近),尽管下周下跌的机会仍不大,但是见顶迹象已经明显增强,因此下周的走势就显得比较重要。
下周DDR1的价格将会极有可能开始进入盘整阶段,即使向上,其向上的动力也会明显减弱。但是受到上周DDR2的投机炒作影响,下周或许也有机会轻微上升。换句话来讲,价格在下周或许就会进入盘整期,DDR1的价格有机会在8月底前结束此番的一连数月的上涨走势,未来月底一周的走势值得我们密切关注。
下周操作上继续正常经营为主,库存维持3-5天,不宜太高,但也不宜太低。
需要说明的是,DDR1的月底将会走势进入一个新的敏感期,也就是月底前结束上涨走势的可能性较大,至于是否下跌就仍要看供求关系而定。
 
DDR2:


上周DDR2在现货市场库存继续有所降低,但DDR2的供应量总体维持平衡或供略大于求,并未出现吃紧的情况。上周颗粒价格和市场中主要品牌DDR2模组大部分时间基本总体维持稳定,只是接近周末时,受到传闻影响外围的市场DDR2价格才出现小幅飙升,但是事后证明这条消息为虚假消息。但是这从一个方面反映出市场的躁动、所谓的返校需求迟迟未有显现的急躁心情。受其带动下周的品牌价格有机会全面调涨,但是预计如果没有实质终端需求的支持,这种涨势也难以维持长久,毕竟DDR2的产能已经够大,目前不纯在缺货的可能选项。
DDR2的走势与以往年更新换代时的景色并无二样。预期下周的DDR2价格会维持在偏强或稳定的区间盘整走势中,但是超出今年的前期形成的区间顶部的机会仍不大。
下周品牌模组的价格仍就会维持在轻微偏强的区间震荡走势中,价格有机会轻微上扬。操作维持建议继续维持3-5天库存进行操作,不追高仍是关键。

Nand Flash:


Nand Flash的价格上周继续惯性下跌,跌幅明显收窄,跌势明显趋缓,个别信号还有轻微反弹迹象。由于产能仍然偏大的问题不是短期所能解决的;而需求方面,短期无论OEM客户还是现货市场的需求均不乐观,所以下周Nand Flash价格仍会维持震荡下跌走势的机会较大。8月底是否有大的OEM订单出现目前还是个迷,由于上周个别信号已有止跌回稳的迹象,市场的关注度就比较高,但能否形成反弹走势目前就还是不明朗。
下周的价格跌势会进一步趋缓,但是仍难以形成有效反弹所需的动能。操作建议,继续观望,也就是说我们认为月底前几乎不存在反弹的机会,尤其临近月底。


上周市场情况汇总:

上周的市场炒作热度维持在平均水准78分水平(满分100分),基本上处于健康水准;市场需求出现了轻微回升,但关注指数就维持在平均水准80分水平,但是Nand Flash的关注度继续维持在高位80分水平,这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是没有恢复到正常水平。
市场总体处于健康状态下,成交量回升到80分水平。销量上,DDR2上升的态势与DDR1的下降态势同样不可避免。Nand Flash需求仍然低迷,但关注度依然偏高。 
 

 品 牌

    

价格区间

预测走势

二线品牌

512MB DDR2 533 8C

RMB295-320

轻微偏强的区间震荡走势

Hynix

512MB DDR400 8C

RMB340-365

轻微偏强的区间震荡走势

UTT、ETT

1GB DDR400 16C

RMB670-720

轻微偏强的区间震荡走势

UTT、ETT

512MB DDR400 8C

RMB340-365

轻微偏强的区间震荡走势

我们的短线判断是:

DDR1:(基本维持原有观点不变)


DDR1的需求继续其下滑趋势,预计随着时间的推移,8月底前这种趋势会越来越明显的。但短线由于供应仍然紧张且外围市场的炒作气氛热烈,尽管在下周DDR1很大程度将即使结束缓慢的上涨势头,但是相信还是会维持强势盘整走势。另外考虑到受到上周末DDR2的上升影响,短线DDR1还是会维持轻微的强势走势。也就是说DDR1的价格短线应该会止涨并开始呈现盘整走势。
根据上周的DDR1走势可以看出,DDR1 UTT 64X8颗粒在USD5.50美金附近的阻力相当大,继续上升的空间和机会都不大,短线考虑到产能有限,预计价格就会维持在高位呈现箱体振荡走势的机会较大,短线就反转下跌的机会不大。
 
对于短线就改持“中性”看法,我们对后市也改持审慎的态度,建议维持合理库存正常经营。


DDR2:


8月下旬DDR2的走势进入关键期,未来短线的价格将会维持偏强的区间震荡的机会较大。
根据对现货市场的调查显示,目前的DDR2供求关系仍维持动态平衡状态下,供应并不存在问题,但短线受到市场对未来返校需求的良好预期的影响,过多投机需求和厂家锁货将会使价格很大可能维持在区间的顶部部分盘整,盘整的区间也不会超越今年前期的业已形成的区间的上、下限,但是目前短线就会维持在区间的顶部区域运行。
月底前将会视需求的好坏决定是否继续上攻,尽管上周出现的投机炒作将价格拉高,但目前DDR2的价格已经接近顶部区域,可活动的区域并不大,价格会维持一段时间的稳定盘整走势。
月底前的走势将是未来一个月的预演,让我们密切关注吧!
操作上,建议维持3-5日库存,正常经营为主,切忌炒作。


Nand Flash:


由于Nand Flash的产能过大的情况还没有解决,所以短线价格还是会缓慢筑底,等待需求逐步好转。就其目前的走势来看,正在接近中期的底部,但按照今年的情况来看,即使底部形成也难有把握就一定会上扬。因为厂家的成本压缩得更快!基于竞争的需要,他们总是率先打破平衡。
8月底前理论上就会触底,这个底很可能就是中线的底部。至于后面的发展就要看需求的变化了。目前来看还是不能预计到何时需求会显著变好,就经验而言在9-10月的可能性比较大,这也是今年最后的触底反弹的机会,否则Nand Flash通路今年可就真的就很惨了!
后市只能寄希望于OEM能够出现大的订单或出现大的杀手级的新产品出现,但是后者中线来看机会不大,目前也只能看看前者是否可能在这两、三个月内出现。
我们目前还是建议观望,审慎对待价格的变化,不易轻易抢反弹。


(史军执笔,仅供参考)