上周回顾及下周分析
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(2006.08.28-09.03)上周回顾：
上周的DDR1的价格维持轻微上扬的盘整走势，DDR1的需求则继续萎缩，本已趋稳的价格则明显受到DDR2走势的激励。而DDR2则继续急速强劲上扬，到上周末为止，DDR2的价格已经完全超越DDR1。Nand Flash在上周末出现了超跌反弹走势，市场的气氛也明显转好，下周的价格走势将是能否形成反弹走势的关键。
下周分析与预测(2006.09.04-09.10)：
DDR1：
DDR1继续缓慢上扬的走势，但是下周下跌的机会仍不大，但是见顶迹象继续明显增强，市场追风盘明显减小。受到DDR2价格上涨的影响，未来一周的价格就维持轻微偏强的盘整走势，但是由于买家态度明显审慎，未来上升力度大为减弱。可以预想到的是DDR1的下跌短线只有寄希望于需求的继续萎缩这一条路，在这种情况下，短线下周下跌的机会仍渺茫。
下周操作上继续正常经营为主，库存维持3－5天，不宜太高，但也不宜太低。
需要说明的是，DDR1的进入9月后将会走势进入一个高敏感期，尽管上升的空间有限，但是未来是否下跌就仍要看供求关系而定。
结论：下周继续维持缓慢上升走势的可能性较大。
DDR2：
预期下周受到市场炒作的影响和欧美市场返校需求的双重影响，DDR2价格会继续维持在偏强的上升走势中，市场的炒作热浪至少在下周还是难以结束的。这主要源于DRAM厂家要调升合约价的要求，所以下周作为9月的第一周价格不会有回调的机会和空间。
目前来预测顶部是相当困难和不讨好的，因为几乎整个市场已经完全处于失控的地步，今天拿货，明天就肯定赚取超额的利润的情况下，讲顶部无异于另类。
结论：下周继续维持上升走势，下周的风险仍然比较低，如果周初继续强劲上扬，那么周末就会涨势趋缓；反之亦然。
Nand Flash：
Nand Flash的价格上周出现超跌反弹走势，并有筑底成功的迹象。下周的走势将会比较关键，如果价格稳住并维持震荡，而供应面维持紧张的话，极有可能将会形成短线的有效反弹走势，但是反弹的持续时间就难以估计。
操作建议，如走势稳定，而短线有回调时可适当建仓，但是仓位不宜太重，目前基于短线炒作思维就较为务实。
结论：Nand Flash的价格下周会维持偏强的振荡的机会较大，基于短线炒作，可以适当逢底建仓，但是仓位不宜太重。如果价格持续走稳，即可逐步加大仓位。但是相信未来反弹的力度和持续时间不会太大。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场炒作热度上升到90分水平（满分100分），基本上处于热烈水平；市场需求出现了小幅回升，关注指数更上升到100分水平，市场总体处于非正常状态下，成交量维持在80分水平左右。销量上，DDR2上升的态势与DDR1的下降态势同样不可避免。
但是Nand Flash的关注度上升到85分水平，这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热烈。Nand Flash需求小幅增加，关注度依然偏高，反弹能否善始善目前就还不明朗。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB360－385 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 667 8C |
RMB375－410 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB380－410 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 8C |
RMB380－410 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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