上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.09.04-09.10):
由于供应继续吃紧,上周的DDR1的价格维持轻微上扬的盘整走势。而DDR2则继续急速强劲上扬,到上周末时,DDR2 667 UTT 64X8颗粒的价格已经达到7美金附近。Nand Flash在上周继续筑底走势,走势轻微偏强,市场的气氛也明显转好,反弹走势迹象和机会继续存在。
下周分析与预测(2006.09.11-09.17):
DDR1:
由于供应吃紧,需求尽管萎缩但仍然存在一定规模的量,DDR1下周会继续缓慢上扬的走势,目前的DDR1价格完全受控于DRAM厂家。可以预想到的是DDR1的下跌,短线只有寄希望于需求的继续萎缩这一条路,在这种情况下,短线下周下跌的机会仍渺茫。另外如果DDR2价格出现大幅回调也会对其造成压力。
下周操作上继续正常经营为主,库存维持3-5天,不宜太高,但也不宜太低。
需要说明的是,DDR1的进入9月后将会走势进入一个高敏感期,尽管上升的空间有限,但是未来是否下跌就仍要看供求关系而定。
结论:下周继续维持缓慢上升走势的可能性较大。
DDR2:
较高的DDR2价格应该将开始对市场的需求造成打击了,无节制飙升的价格未来伤害的不只只是消费者,而是整个产业链,长线也包括DRAM厂家。由于Nand Flash的价格持续下跌,而DRAM的价格和利润相当诱人,目前三星已经开始由Nand Flash转产DRAM,同样Hynix早前就已经宣布了同样的计划。Hynix的苏州厂将在十月份投产,都将会对年底的DRAM价格走势产生负面影响。
欧美市场返校需求在下周开始接近尾声,未来的炒作热点将转移到微软Vista 企业版11月上市和圣诞采购这两点上。这两个炒作热点能否维持得住目前的天价价位,我们拭目以待。
短线DDR2价格会继续维持在偏强震荡走势中,尽管市场的炒作热浪至少在下周还是难以结束的。但是大陆市场的需求已经明显萎缩了,而未来欧美市场的需求也会在高价格面前也会变得越趋谨慎。
结论:内存的价格下周继续维持上升走势,下周的风险仍然比较低,或者说没有什么太大的风险,但是开始增大,64MbX8颗粒价格最多也就1美金空间了,但是下周下跌的几乎同样不大。
Nand Flash:
Nand Flash上周继续其筑底走势,筑底似乎接近成功,但是还需要经过一周到两周的考验,尤其是月底的考验。目前的现货市场的需求没有看到特别明显的改善,OEM方面的应对圣诞的需求已经开始有所改善。最主要是DRAM的价格飙升已经使厂家开始计划由Nand Flash转产DRAM,所以对于下周的走势我们继续持审慎乐观的态度。
操作建议,如走势稳定,而短线有回调时可适当建仓,但是仓位要适中,目前基于中短线的炒作思维就较为务实和安全。
结论:Nand Flash的价格下周会维持偏强的振荡的机会较大,基于中短线炒作,可以适当逢底建仓,但是仓位应适中。如果价格持续维持偏强的稳定走势,即可继续逐步加大仓位。但是目前来看,相信未来反弹的力度和持续时间还是不太大。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场炒作热度轻微下滑到85分水平(满分100分),基本上处于热烈但并未失衡的状态;市场需求稳定但成交量出现轻微萎缩,关注指数更上升到100分水平,市场总体处于非正常状态下,成交量下降到70分水平左右。
但是Nand Flash的关注度上升到85分水平,这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热烈,但是相对以往有所谨慎。Nand Flash需求小幅增加,关注度依然偏高,反弹能否善始善目前就还不明朗。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB390-440 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 667 8C |
RMB420-470 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB390-430 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 8C |
RMB390-430 |
轻微偏强的区间震荡走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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