上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.09.17-09.24)：
由于国庆补货需求疲软和大陆市场需求持续维持萎缩，上周的DDR2的价格也随即开始出现大幅回调。而DDR1则继续呈现轻微偏强的盘整的走势，但是需求也就越来越小。Nand Flash在上周呈现明显的获利回吐走势，走势偏软，市场的气氛开始转趋审慎，未来的发展仍需要需求来配合，但是现在就说反弹走势就此结束还为时过早。
近日重要DRAM消息汇总：
1.茂德：Vista效应 DRAM产业具正面助益
茂德科技董事长陈民良今天（23日）指出，微软Vista的推出对于DRAM产业绝对具正面效益，虽然不可能因为新作业系统一推出就会出现全面的电脑换机潮，但效应会逐渐发酵，此外，低价电脑在新兴市场需求大，也会带动对DRAM的需求。
茂德科技今天在六福村主题乐园举办家庭日活动，为茂德科技十周年庆揭开序幕，茂德科技董事长陈民良在活动中接受访问时，做了上述表示。
陈民良指出，茂德中科3厂将在第四季试产70奈米制程，明年第2季投片量产，第4季5万片12寸晶圆将全部以70奈米产出，初期产品仍会以DDR2 512MB(667Mhz)为主，未来再转至800Mhz。
有关茂德产能的扩增计画，陈民良指出，兴建中的中科4厂，明年年中就会引进机台，因为有3厂的经验，4厂未来产能提升的速度将比3厂快很多，至于规画在中科后里园区兴建的中科5厂，将在明年下半年动土，中科5厂初期产品会以DRAM为主，NAND Flash为辅。
谈到Vista效应，陈民良认为，Vista的推出对于DRAM产业绝对具有正面效益，虽然不可能因为新作业系统一推出就会出现全面的电脑换机潮，但效应会逐渐发酵，此外低价电脑在新兴市场需求可期，也会带动对DRAM的需求，至于供给面的因素，NAND Flash市况好坏和8寸晶圆厂除役的情形，也都会影响到DRAM明、后年供给面。
展望未来10年，陈民良指出，茂德将会延续既有的DRAM核心竞争力，60奈米制程开发将与海力士共同合作，产品将以DRAM和NAND Flash为主，再搭配周边产品，茂德8寸厂一旦获准外移中国，产品将以生产驱动IC和控制IC为主，预计公元2009年周边产品对营收的挹注就会很大。
陈民良也预测，目前全球五大DRAM厂，在三年后将有强弱之分，甚至不排除有人会选择退出，五年后则有结构性的改变，三星应可维持龙头地位，台湾DRAM厂分别与海力士、尔必达和奇梦达结盟，虽然没有主导力量，但影响力仍不容忽视；台湾DRAM厂包括茂德、力晶、南亚科技及华亚科技，未来也会有强弱之分，面对日趋激烈的竞争，茂德仍深具信心。
金士顿：大陆十一长假补货效应有限
金士顿亚太行销副总裁陈思轲昨（23）日指出，本周是大陆十一长假前的最后补货时机，市场原本看好本周记忆体将快速去化，但不少大陆工厂的工人已提前离开工作岗位，该补货的早就补了。本周起到大陆十一长假结束的两周，将会是记忆体厂的“休息日”，恐将影响厂商9月与10月营收成长。
陈思轲表示，最近市场补货的状况确实有点冷却，最主要是动态随机存取记忆体（DRAM）报价已高，快闪记忆体供货不是很顺。他说，512M DDRⅡ记忆体每颗报价已超过7美元的高价位，近期再上涨的机率不高。
不过，陈思轲指出，第四季的旺季需求应该还是会有，通路上的消息是大陆十一长假后“会比较忙碌一点”。他说，第四季基本需求还在，但最近价格上涨有点过头，DRAM再涨的机率不高。
DRAM高点已过
进入第四季，多数DRAM的12寸产能都已开出，第三季初出现的先进制程转换不顺利的杂音，预料也将因为良率提升而淡化。也就是说，除非有更强大的市场需求出现，否则以新产能与良率提升的产出增加，DRAM价格要再大涨不易。
不过，也因为厂商良率提升，生产成本将再下降，即使报价稳在目前的高价不再上扬，DRAM厂的获利还是很可观，只是不容易出现令投资眼睛为之一亮的表现。
DDR1：
下周操作上继续正常经营为主，库存维持3－5天，不宜太高，但也不宜太低。
结论：下周继续维持盘整的可能性较大，立即下跌的机会尽管还是不大，但DDR2的下跌使其可能性正在逐步增大，时间点越来越接近了。
DDR2：
上周我们谈到，欧美市场返校需求已经结束，相信未来厂家的炒作热点将转移到微软Vista 企业版11月上市和圣诞采购这两点上，但是这两个炒作热点能否维持得住目前的天价价位上周我们就还存有疑问，目前来看确实还是个疑问。
从上周的情况来看，下跌的趋势正在或接近形成，下周继续维持这种走势的机会较大，如果真是这样的话，反转走势将是不可避免。
但是从技术上分析来讲，DDR2 667 UTT在6美金以上不具有实质支撑力的，换句话将只有跌破6美金后才会有机会止跌。而从现货市场的库存成本来说，短线在6.10－6.20美金以上没有大的支撑力，就是说，如果不出意外很快就会跌至这个区间。
结论：DDR2内存的价格下周将会继续维持下跌的机会较大。力晶如何开出下周的官价是需要一定的智慧。可以预计的是如果下周的需求维持与上周基本相同的水平，那么价格的下跌将会得以维持，只是幅度的大小而已。
Nand Flash：
近日Flash重要消息汇总：
金士顿亚太行销副总裁陈思轲昨（23）日指出，近期Flash上游晶圆厂供货不顺，尽管报价上扬，但本周的大陆十一长假补货效应将有限。受到Flash供货不顺，新帝科技、飞索半导体美国时间22日收盘各跌4%与3.32%，本周台湾记忆体类股也恐将持续修正。
厂商表示，本周是大陆十一长假前的最后补货时机，市场原本看好本周记忆体将快速去化，但不少大陆工厂的工人已提前离开工作岗位，该补货的早就补了。本周起到大陆十一长假结束的两周，将会是记忆体厂的“休息日”，恐将影响厂商9月与10月营收成长。
美股22日涨多后修正，科技类股那斯达克指数下跌0.84%、收盘指数为2,218点；费城半导体指数下跌0.61%、收盘449点。台湾科技公司美国存讬凭证（ADR）跌多涨少，晶圆双雄、封测双雄全数收黑，以台积电ADR下跌1.45%最重。
记忆体类股表现同样不佳，快闪记忆体大厂新帝科技（Sandisk）股价下跌4%，收盘价每单位55.38美元。分析师指出，新帝合作伙伴东芝近期快闪记忆体制成也传出良率疑虑，导致供货不稳，预料新帝、台湾力成、矽品及快闪记忆卡厂等，都将受到影响。
飞索（Spansion）下跌3.32%，每单位收盘价16.6美元；本周科技论坛上将揭示快闪记忆体发展策略的英特尔（Intel）也下跌0.63%。DRAM厂美光、日本尔必达在法兰克福股市均下跌，尔必达跌幅达3.32%，对本周力晶等记忆体类股走势都会有影响。
陈思轲表示，最近市场补货的状况确实有点冷却，最主要是动态随机存取记忆体（DRAM）报价已高，快闪记忆体供货不是很顺。他说，512M DDRⅡ记忆体每颗报价已超过7美元的高价位，近期再上涨的机率不高，但预期Flash还有上涨空间。
不过，陈思轲指出，第四季的旺季需求应该还是会有，通路上的消息是大陆十一长假后“会比较忙碌一点”。他说，第四季基本需求还在，但最近价格上涨有点过头，DRAM再涨的机率不高。
DRAM高点已过，Flash尚存机会
最近记忆体市场热度颇佳，但是力晶等动态随机存取记忆体（DRAM）股与新帝科技（Sandisk）等快闪记忆体（Flash）类股，股价却是频频回档，市场不禁担心，今年记忆体的高点是否已经过去了？
上周五512M DDRⅡ记忆体颗粒报价站上7美元，21日开出的Flash合约价平均大涨10%，市场热度看来并未减退。问题就在于，产品售价的涨势还可以维持多久？
至于Flash市场，最近报价也是强强滚，但是上游的东芝、三星等主要的Flash供应商，最近都传出先进制程转换不顺的传闻，下游快闪记忆卡厂可以拿到的晶圆、颗粒的确是变少了。这样的价格上涨，不免有点“有价无市”的感觉，报价很高，出货却有限。
总之，最近记忆体股是要休息了，大概得等到10月中旬以后，真正的耶诞旺季铺货需求来临，市场才会再出现一波题材。
Nand Flash：
Nand Flash上周成功脱离底部，市场上周受获利回吐和供应增加的影响，价格开始明显回调，跌破120天均线，但并未跌破60天均线。目前的现货市场的需求没有看到特别明显的改善，但OEM方面的应对圣诞的需求已经开始有所改善。Nand Flash的价格上升目前还是厂家主导成分偏多，所以对于下周的走势我们继续持审慎乐观的态度。
尽管上周的价格出现回调，鉴于上游控制出货节奏和数量取得初步成功，并有持续态势，我们在操作建议，短线可以继续持仓待涨，目前还是基于中短线的炒作思维进行操作。如果一旦跌破60天均线，就应考虑清仓出局。对于成本较低但库存较高、或是成本偏高的可以适当减仓，以减轻压力。成本较高的应该先行出局再说。
结论：Nand Flash的价格下周会维持偏强的震荡的机会较大，可基于中短线来炒作，成本较低的可维持1/3－1/仓位不动等待最后的机会。目前来讲还是以保守操作为上。
但是目前来看，反弹机会还是存在的，相信未来反弹的力度和持续时间还是不太大。维持在20％左右的机会较大。
上周市场情况汇总：
但是Nand Flash的关注度维持在95分水平，这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热，但是相对以往有所谨慎。Nand Flash需求小幅增加，关注度依然偏高，反弹走势目前已经形成，日后的关键是是否能形成反转走势，但是总体上我们维持较为审慎的乐观态度。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 533 8C |
RMB380－440 |
轻微偏软的区间震荡走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 667 8C |
RMB390－450 |
轻微偏软的区间震荡走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB400－450 |
区间震荡走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 8C |
RMB400－450 |
区间震荡走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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