上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.10.9-10.15)：
由于受到国庆长假期结束后补货需求疲软及国际市场需求持续维持萎缩的双重影响，上两周DDR2的价格继续快速出现大幅回调。而DDR1也受到DDR2下跌及DDR1自身需求逐步萎缩的双重影响，已经走出缺货的阴影，开始出现了明显的下跌走势。Nand Flash在上周前半周走势偏强，但是临近周末出现明显的获利回吐走势，走势偏软，市场的气氛开始转趋审慎。
近日主要DRAM消息汇总：
耶诞买气及微软Vista上市效应 本季与明年不看空
全球最大专业记忆体模组厂金士顿（Kingston）看好第四季及明年首季DRAM、Flash行情，金士顿销售业务副总裁吴凯文（Kevin Wu）指出，耶诞节买盘及微软新作业系统Vista即将上市双重效应支撑，第四季记忆体行情将呈现稳定，明年记忆体行情不会太糟。
金士顿是全球最大专业记忆体模组厂，目前每月平均可产出900万片的记忆体模组，金士顿对全球记忆体市场供需具有相当程度的影响，对记忆体未来景气看法极具参考指标性。
吴凯文说，DRAM、Flash已修正告一段落，第四季再跌空间相当有限，未来DDRⅡ均价是否跌破6美元，不能保证，但可确定将在6美元上下狭幅震荡；Flash主流规格价格也可望在16、17美元附近止跌回稳。
吴凯文分析，国际DRAM大厂与通路商存有一定的默契，第四季通路商不太可能在市场低价抛售，加上市场传统需求增温、新产能增加有限，DRAM未来行情可望维持平稳走势。
在Flash方面，吴凯文认为，苹果电脑已开始下单，其他小厂也跟进建立库存，包括高容量MP3及USB 、SD卡等新的需求涌现，俄罗斯、中国、印度、巴西等金砖四国对Flash的需求快速成长，更让Flash价格有所支撑。
吴凯文指出，金士顿切入Flash市场较其他同业晚，但未来将会快速冲高市占率，其中金砖四国更是金士顿锁定大幅扩充版图的地点。
吴凯文表示，金士顿记忆体模组早年在中国大陆的市占率远不及威刚（3260），经过一阵努力后，目前大举超过威刚；如今公司拟订新的进攻方略、计划大举抢攻俄罗斯、巴西等市场，台湾业者未来将被超越。
金士顿去年度营业额达30亿美元，今年预计成长至35亿美元左右，其中Flash预计可占达三成比重，明年比重更将持续向上提升至四成。
金士顿看DRAM报价 明年第二季才会跌到五美元
近来DRAM颗粒报价处在高档，OEM大厂基于成本考量，买气有些停顿，因此未将电脑内建记忆体模组搭载容量，提升到微软新作业系统VISTA所需的一GB，不过金士顿对第四季及明年上半年的市场买气仍深具信心。
金士顿高层主管指出，VISTA明年第一季一定会上市，现在OEM买气停顿，反而会让明年需求有暴冲力，DRAM需求可说非常好，价格要到明年第二季淡季，届时力晶、茂德等有新产能到位，才会跌到五美元。
在全球DRAM大厂将主要产能移转生产NAND快闪记忆体后，台湾成为全球标准型DRAM最大生产重镇，金士顿一年营业额高达三十亿美元以上，对台湾采购量十分庞大，约在总产出的四成至五成间，所以可说是台湾DRAM厂最大客户。因此金士顿看DRAM价格走势，一直具有指标性意义。
DDR1：
供应吃紧的情况开始缓解，同时需求也在持续萎缩，DDR1的需求总量也在不断下降中。DDR1价格终于结束了连续6个月的上涨走势。目前的DDR1价格已经开始呈现市场主导的态势，厂家的影响力开始逐步下降。
未来的一周短线DDR1走势将会呈现缓慢的震荡下跌走势的机会仍就较高，并不完全受到DDR2价格走势的影响，主要是其自身的需求逐步萎缩的结果。
操作上继续正常经营为主，库存维持正常经营的最低库存即可。
结论：下周继续维维持缓慢的下跌走势机会较大，反弹的机会不大。
DDR2：
上次我们谈到，欧美市场返校需求已经结束，相信未来厂家的炒作热点将转移到微软Vista 企业版11月上市和圣诞采购这两点上，但是这两个炒作热点能否维持得住目前的天价价位上次我们就还存有疑问。
从上周的情况来看，下跌的趋势已经形成，但是未来仍然存在一定的变数。主要集中于Vista企业版上市对需求的影响力大小上，但下周会继续维持目前这种震荡下跌走势的机会较大，但是由于前期的跌幅较大且速度较快，未来的跌势会明显趋缓，甚至有可能出现短暂的止跌或反弹。
我们前期从技术上分析谈到DDR2 667 UTT在6美金以上不具有实质支撑力的，换句话将只有跌破6美金后才会有机会止跌。目前的大家关心的是中期在什么价位会有支撑呢？让我们现在分析一下，DDR2 64MbX8 （白板Mira颗粒）的几个短线的支撑点，一个是5.40美金附近，另一个是4.50美金。而业内普遍关心的5.00美金价位目前来看并不是技术上的支撑位。
结论：DDR2内存的价格下周将会继续维持下跌的机会较大，但是跌势开始趋缓，后期会有机会止跌回稳甚至反弹。力晶如何开出下周的官价将会具有指标作用，同时也需要一定的智慧。可以预计的是如果下周的需求维持与上周基本相同的水平，那么价格的下跌将会得以维持，只是幅度的大小而已，但是下周跌势开始趋缓将是不可避免的。
近日Flash主要消息汇总：
NAND Flash现货市场短缺 价格下跌不易
根据某市调机构指出，由于亚洲各区在十月份的连续假期，NAND Flash主要供应商的供货策略持续以Apple、Sony、Sandisk和Kingston等厂商为优先供货对象，使得NAND Flash现货市场供应量短缺，价格不易下跌。此外，亚洲市场交易清淡，也影响DRAM现货市场价格缓跌，逐渐缩小与合约价格的价差。
随着时序进入十月，中国大陆的10/1长假、南韩中秋节长假以及台湾的五天连续假期都刚好在十月上旬出现，NAND Flash供应商因此并未计划在本月之前为些地区的下游厂商供货，而本月分配给大中华区各下游厂商的采购数量也都少于七、八月的出货量。
在供应量持续不足的状态下，该市调机构预期NAND Flash现货价格应仍维持在现有的水准不易下跌。1Gb的价格一般维持在2.81美元，没有涨跌；2Gb从5.2微幅上涨至5.21美元，涨幅0.2%；4Gb从8.03上涨到8.08美元，涨幅0.6%；8Gb从16.44上涨至16.60美元，涨幅1%；16Gb从35.82些许下滑至35.76美元，跌幅0.2%。
DRAM现货市场方面，该市调机构表示，大陆10/1长假刚结束，市场买气并未明显增温，而台湾、日本等市场也正值假期，因此亚洲市场交易清淡，现货市场价格仍呈显缓跌走势，DDR2 eTT2均价跌到5.9美元，而DDR2 667MHz也小幅度回档至6.59美元。此外，现货价格正逐渐下滑缩小与合约价格的价差。
该市调机构表示，10月上旬DDR2合约价涨幅约2-4.5%左右，DDR2 533MHz 512MB价格为46-48.5美元，加上部分PC OEM厂合约价谈判改为一个月决定一次，一线PC OEM厂合约价格得以上调至46美元。DDR2 667MHZ合约价格约46.5-49美元，其价差也与DDR2 533MHz逐渐缩小。加上韩系DRAM厂80nm产出量增加与台系厂12寸新增产能陆续投片，预期10月下旬DRAM合约价涨势可能趋缓甚至持平。
Nand Flash：
Nand Flash的价格短期仍将维持高位震荡的走势机会较大，尽管时不常就会出现回调走势，但是短期仍不会跌破这波行情业已形成的区间高位的底部。虽然OEM方面的应对圣诞的需求已经开始有所改善，合约价也出现了上扬，但是Nand Flash的价格上升目前还是厂家主导成分偏多，所以对于后市我们持审慎乐观的态度。
结论：下周的走势我们继续持审慎的乐观态度。但是我们认为Nand Flash的现货市场的价格高点已过，但是短期并不会跌破高位区间的底部。Nand Flash的价格下周会维持震荡的机会较大，操作上建议逢高坚决逐步减磅，短浅不必专为炒作而进行任何建仓行动。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场炒作热度轻微下滑到50分水平（满分100分），基本上处于接近健康的状态；市场需求和成交量继续萎缩，关注指数维持在100分水平，市场总体处于非常状态下，成交量维持在55分水平左右。
但是Nand Flash的关注度维持在90分水平的高位，这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热，但是相对以往有所谨慎。Nand Flash供应小幅增加，市场关注度依然高，反弹走势的高点似乎已过，但是总体上我们维持较为审慎的乐观态度。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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二线品牌 |
512MB DDR2 667 8C |
RMB385－415 |
轻微地震荡下跌走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 8C |
RMB385－415 |
轻微地震荡下跌走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 8C |
RMB480－410 |
轻微地震荡下跌走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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