上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.10.23-10.29)：
上周DRAM市场继续受到全球市场的季节性需求求疲软的影响，DDR2的价格周初继续大幅下跌，周末时出现了超跌反弹。DDR1则继续受到需求逐步萎缩和供应增加的双重影响，价格维持下滑走势。Nand Flash走势分化，但是总体上小幅回升，走势上继续维持前期的牛皮市形态，目前剩下的时间不多了。如果价格再次下来，恐怕就真的难有机会回升了。
近日主要DRAM消息汇总：
Vista RTM有臭虫 将延后发布
微软新版作业系统Vista的一般消费者版本产品，预定要在二○○七年一月三十日上市。但在上市时间倒数计时之际，传出最后送交给OEM电脑制造商的最后定案版本Vista RTM（Ready to Manufacturing）出现臭虫，必须延后两星期才能送出。对此，台湾微软OEM事业群总经理李志超昨（二十七）日表示，硬体合作伙伴均回应表示，一月底上市应不成问题。
微软新版作业系统Vista预定十一月份推出企业版本，明年一月底是消费者版本（包括彩盒零售包装及随机版）上市。新产品采取全球同步上市策略。
台湾是电脑OEM、ODM制造商的重镇，原本预定十月二十六日当天，电脑制造商会拿到RTM最终出货的Vista产品，却在最后一刻因为发现臭虫而必须要延后交出，外电消息指出，最终RTM版本释出时间应该在十一月八日，外界也开始出现担心微软Vista电脑的出货时间会因此再受影响的诸多杂音。
台湾微软表示，RTM的版本不算延迟，因为微软所预定的时间就是十月底至十一月初。
但大家最关心的是RTM版本于十一月初释出是否会影响到台湾电脑OEM、ODM业者的出货时间？微软表示，根据他们的了解，硬体业者均回应表示“一月底出货来得及”。
OEM电脑厂祭调降模组容量策略
将容量降低至512MB
时序进入第四季PC产业传统出货旺季，然而2006年对于OEM电脑大厂而言，却正处于苦无充足DRAM货源可用的窘境，然为了冲刺旺季业绩，总不能坐以待毙，OEM电脑厂遂想出应对策略，亦即退而求其次，降低PC内部DRAM模组容量作为因应；对此，DRAM厂表示，这代表未来DRAM市场荣景将有机会顺延下去，甚至不排除2007年第一季依然有相当的需求存在。
每年第四季，多数OEM电脑厂为了全年业绩表现，均会在旺季时分做出最后一搏，再加上整体市场也刚好进入欧美地区耶诞采购时节，因此OEM电脑业者绝对是卯足全力，大幅向各PC内部所需使用到关键零组件供应商，好好收购一翻，因而对于PC零组件供应商而言，各各无不好好把握住这最好的业绩冲刺阶段。
然而，2006年多数国际DRAM厂多将产能转进NAND型Flash，因而相对降低不少产能在DRAM身上，造成目前DRAM可说是相当匮乏，日前南亚科（2408）发言人白培霖即表示，现在对于DRAM厂本身而言可说是干涸不已，客户端则是渴到要死。
但对于OEM电脑厂来说，不可能仅为了DRAM这项单一零组件供不应求，便暂时停止出货，因此想出办法，将PC内部DRAM模组容量予以顺势调整；据了解，原本OEM电脑厂为配合2007年Vista推出时对于硬体所产生的需求，需将容量提升至1GB、甚至更高，但如今碍于DRAM货源匮乏，已有部份OEM电脑大厂，宁可选择将容量降低至512MB，为的便是能够全力在第四季旺季冲刺最后一波业绩。
OEM电脑厂表示，之所以如此仅是为了暂时解燃眉之急，但对于消费者而言，如将来要让Vista运转顺畅，最后消费者还是得再自行升级到1GB以上DRAM容量；而对此，DRAM厂则相当乐观表示，目前DRAM合约市场已是供不应求，而这波需求可将持续延伸下去，因为2007年初起，现货市场另一波消费者应还是会再自行提高DRAM模组容量，届时DRAM市场荣景将会顺势由合约市场展延到现货市场！
11月预估合约价格可持稳，12月份可能是持平或往下修正的情形
DRAM合约市场供不应求 奔亚：南科 华亚科营运看俏
台塑集团旗下DRAM双雄南科(2408-TW下单)、华亚科 (3474-TW) 第 3季营运告捷，而第 4季获利可期。根据奔亚证券最新的研究指出，第 4季DRAM合约市场供不应求，价格持稳，产业前景看好，因此，奔亚证券重申买进南亚科和华亚科，目标价分别是27.5元和47.2元。
奔亚证券研究员李克扬指出，DRAM合约价10月份小幅上扬，11月预估价格可持稳，12月份可能是持平或往下修正的情形。DRAM过去 1年跌幅高达 30%，今年最多跌15-20%。而在供给方面，第 4季DRAM合约市场需求紧俏，预估明年第 1季供给也不多。
此外，南科高阶产品像是伺服器、DDR2-800 MHz 模组占营收比重高达10-20%。高阶产品具有速度快、毛利高、价钱比较好的特性，也是推升南科毛利率往上的主要产品。
南科 1-3季每股盈余2.85元，李克扬预估今明年两的毛利率分别为29.4%和31.3%，每股盈余今年明两分别为4元和5.4元。
而南科目前股价净值比为1.1倍，本益比为5.7倍，可以说是相当的低，因此，李克扬重申买进南科，目标价27.5元。
至于获利居DRAM股之冠的华亚科，主要客户为南科和德国奇梦达， 1-3季每股盈余高达3.84元。展望第 4 季和明年第1季，李克扬指出，明年受到 Vista效应带动 DRAM需求大增，市场供不应求。
此外，华亚科第 2晶圆厂已经装机，明年第 1季将对营收产生贡献，由于华亚科使用自有资金和银行贷款扩充产能，资本额维持不变，产能却能加倍，获利也将会大幅增加。
预估今明两年毛利率分别 39.6%和 40%，每股盈余今明两年分别为 4.8元和 6.1元。目前华亚科股价本益比 5.5倍，是今年的低点，股价净值比 1.2-1.5倍，处在低水准，预期股价下修空间有限。奔亚证券重申买进，目标价47.2元。
DDR1：
供应吃紧的情况已经完全缓解，同时需求也在持续萎缩，DDR1的总需求量也在不断下降中。此消彼涨，DDR1价格震荡向下的走势一段时间内将不可逆转，DDR1的未来反弹机会渺茫，即使反弹空间也不大。
预计未来的一周短线DDR1走势将会继续呈现缓慢的震荡下跌走势的机会仍就较高。
建议操作上继续正常经营为主，库存维持正常经营的最低库存即可。
结论：下周将会继续维维持缓慢的下跌走势机会较大，反弹的机会不大，DDR1日后的炒作机会和价值越来越小。
DDR2：
由于11月的临近，厂家的炒作热点正在向微软Vista 企业版11月上市事件和圣诞采购这两点上转移，预计未来2－3周将是炒作的高峰期。
从上周的情况来看，DDR2下跌的速度还是很快的。而市场的总体情况从上周来看虽然出现了一些积极的变化，但是变化仍就维持在较小的幅度内，暂时不至于产生大的质变，难以对价格产生大的推动作用。
上周DDR2 667 64MbX8 （白板Mira颗粒）成功跌破60天均线的价格后迅速向下靠近120天均线，再即将接近120天均线时（平均价格4.70元），迅速反弹回5美金以上，稳定在5.05美金。
结论：按照目前的供求关系来讲，DDR2颗粒价格内存下周继续维持反弹后盘整走势的机会较大，短线会围绕5美金附近展开盘整，下周再次跌到4.8X美元的机会很小。但是品牌内存的价格仍旧会维持惯性下跌的走势以拉近其与DDR2的价格差距。可以想象到的是如果颗粒价格维持盘整，内存的价格反而会维持偏软的走势的机会较大。只有颗粒继续反弹才会带动内存的价格同步上升。
操作建议：
对于内存商家，维持正常经营的建议，因为品牌内存的炒作空间目前并不大，颗粒的价格变化又较难把握，只有充满变数和价格较低的白板内存似乎还有机会，风险也就偏大。
对于颗粒玩家，建议逢高减磅。
由于官价与现货价的巨大差距，力晶的官价下调将不可避免，调整的幅度将会以远高于市场现货价格的方式进行。但是正常情况，下周力晶并不会开出官价，这就给了市场以想象和炒作的空间。
Nand Flash：
Nand Flash的价格短期下周仍将维持偏软的高位震荡的走势机会较大，主要的价格维持动力源于厂家主导推动的强势价格策略，尽管未来还是有一点机会和时间，但是相对而言这点时间和机会对于现货市场的商家已经意义不大了。
技术上讲，Nand Flash的价格走势面临形成死叉的局面，我们对于下周的走势维持“中偏空”的看法，只是短线的在11月中旬前还存在合约市场价格的支持，暂时可能还是维持在高位盘整，但是走势已经出现疲态。
结论：下周的走势我们改持“中偏空”的审慎态度。我们认为Nand Flash的现货市场的价格高点已过，Flash的价格下周会维持偏软的震荡的机会较大，虽有反弹的机会，但是建议逢高坚决逐步高减磅，对后市的涨幅不宜抱太大的希望，应该不迟于11月中旬或10月底前减仓完毕。
我们在操作建议，就建议在月底前维持逢高减仓的建议，在月底前建议不必专为炒作而进行任何建仓行动。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场炒作热度维持在60分水平（满分100分），市场处于健康的状态；市场需求和成交量维持平均水平，关注指数维持在90分水平，市场总体处于正常状态下，成交量维持在70分水平左右。
但是Nand Flash的关注度维持在90分水平的高位，这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热，但是相对以往有所谨慎，成交量维持在70分水准。
Nand Flash供应小幅增加，市场关注度依然高，反弹走势的高点似乎已过，对于后市我们改持“中偏空”看法。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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主要品牌 |
512MB DDR2 667 |
RMB350－390 |
轻微地震荡下跌走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 |
RMB365－390 |
轻微地震荡下跌走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 |
RMB360－385 |
轻微地震荡下跌走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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