上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.10.30-11.05):
DDR1:
由于Hynix转产DDR1后,其无锡厂的产能由9月份开始释放,DDR1供应吃紧的情况已经完全缓解,同时需求也在持续萎缩,此消彼涨,DDR1价格震荡向下的走势一段时间内还是不可逆转,DDR1的未来反弹机会渺茫,即使有反弹空间也不大。
预计未来的一周时间内,DDR1走势还将会继续呈现缓慢的震荡下跌走势的机会偏高。
建议操作上继续正常经营为主,库存维持正常经营库存即可。
结论:下周将会继续维维持缓慢的下跌走势机会较大,反弹的机会不大,DDR1日后的炒作机会和价值也越来越小。
DDR2:
未来两周将是关键期,临近微软Vista企业版的发布,厂家的炒作行为或许会升级,将进入高度敏感期。
从上周的情况来看,尽管DDR2颗粒价格出现了盘整,但是市场的需求疲软的情况仍就没有改善,只是上周未有新货入市而暂时产生维持了平衡而已。颗粒价格的暂时稳定并不代表价格企稳,只是特定阶段的产物,通路惜售心里的反映。
上周DDR2 667 64MbX8 (白板Mira颗粒)围绕5.05美金盘整,但是总体成交量不大,在5.10以上鲜有成交。品牌模组的价格已经接近目前的颗粒成交价格,如果颗粒价格不下跌的话,下周品牌模组的价格下跌空间也将有限。
结论:
1)颗粒价格下周相信至少在上半周还是会维持盘整走势,这主要基于主要通路和DRAM厂家的利益和时间上尚有周旋余地的余量。
2)下周模组的价格将会继续走软,只是空间有限,下跌的速度会由于颗粒价格的暂时稳定或减缓。
3)中旬的Vista企业版上市对于大陆现货市场的影响微乎其微,因为白板颗粒在欧美市场的份额很小。
4)下周反弹的机会不大,即使有力度和空间均很小。
操作建议:
对于商家,维持正常经营的建议,现进现出的策略。
由于官价与现货价的巨大差距,下周力晶的官价下调将不可避免,预计下周的官价将会调整到近几周最接近现货价格的价位。
Nand Flash:
Nand Flash的价格短期下周仍将维持偏软的高位震荡的走势机会较大,未来价格走跌已经不可避免。技术上讲,Nand Flash的价格走势已经形成死叉的局面,目前的走势也已现疲态,我们对于下周的走势维持“中偏空”的看法。
主要原因基于,圣诞采购接近尾声,现货市场的供应开始增大,但目前仍没有革命性的产品诞生来消化多余的产能。微软的Vista带来的Ready Drive商机短时就不能显现。
结论:下周的走势我们继续“中偏空”的审慎态度。我们认为Nand Flash的现货市场的价格高点已过,Flash的价格下周会维持偏软的震荡的机会较大。
我们的操作建议是正常经营即可,即使炒作都应该基于超短线。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场炒作热度上升到70分水平(满分100分),市场处于健康指标内,但是少数商家已经有蠢蠢欲动的前兆;市场需求和成交量维持平均水平偏上,关注指数维持在85-90分水平,市场总体处于正常状态下,成交量上升到75分水平左右。
但是Nand Flash的关注度维持在90分水平的高位,这在一个方面也说明Nand Flash市场的炒作气氛还是比较热,但是相对以往有所谨慎,成交量维持在70分水准。
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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主要品牌 |
512MB DDR2 667 |
RMB345-375 |
轻微地震荡下跌走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 |
RMB335-370 |
轻微地震荡下跌走势 |
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UTT、ETT |
512MB DDR400 |
RMB330-360 |
轻微地震荡下跌走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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