上周回顾及下周分析预测

上周DDR2内存价格继续其区间震荡的走势，总体上还是围绕5.50美金附近区间展开盘整，临近周末出现投机反弹，但由于市场需求不好导致反弹无力，总体成交量就不大。临近月底，DDR1则继续受到需求逐步萎缩和供应增加的双重影响下，下跌压力只增未减，价格继续快速小幅下挫，周末出现小股炒作动作，价格趋稳。Nand Flash走势继续维持下跌通道中走势，年底前的走势悲观。

DDR1：

受到产能增加、需求萎缩和月底压力的多重影响，上周DDR1价格出现了较为明显的下跌走势，尤其是Hynix DDR400 64MbX8的价格最低跌至4.72美金附近。由于DDR1供求关系吃紧的情况已经完全缓解，DDR1价格总体震荡向下的走势一段时间内还是不可逆转，DDR1的未来反弹机会渺茫，即使有反弹空间也不大。

尽管临近周末出现了轻微反弹，但我们预计未来的一周时间内，DDR1走势还将继续震荡下跌的机会很高，就是说很大可能维持继续下跌走势，只是跌幅大小而已。

我们继续维持原有的研判和建议不变，建议操作上继续正常经营为主，库存维持正常经营库存即可。

结论：下周将会继续维维持下跌走势机会较大，不建议炒作DDR1，而且DDR1日后的炒作机会和价值也越来越小。

DDR2：

虽然厂家极力想维持住5.50美金以上的价格，但是这个价位在上周前半周还是再次被打破。值得注意的是接近周末时价格又被强拉回到接近5.50美金以上的价位，只是由于需求不好价格才未能被持续拉升，随后（周五）价格又有走软迹象。

从上周的情况来看，上游的惜售是导致了DDR2颗粒价格继续高位盘整的主要原因。现货市场的需求疲软依旧，目前的价位上追风盘还是很少，未来DDR2颗粒价格还是会表现为逐步缓慢的走软态势，并有机会再次跌破具有象征意义的5.50美金。

但是有一个迹象值得我们注意，就是现货市场下游的内存炒家和商家有蠢蠢欲动的迹象，目前这些人正处于想“即将反弹”的错觉中，许多人寄希望于再次靠投机赚一把的状态中。

在需求疲软的情况下，未来一周是否有新货入市将成为价格走向的关键。下周颗粒价格继续维持区间盘整走势机会较大，我们认为截至本周末为止，尽管价格出现上扬但形势对空方还是略微有利的。在需求疲软的情况下，未来一周预计继续维持对空方有利局面的概率仍稍微偏大一点，即颗粒价格会维持弱势盘整走势。但是内存的价格就会维持盘整走势，多数品牌的价格会轻微调高一点，但是空间就有限。

结论：

1）DDR2颗粒价格下周继续维持偏软的盘整走势可能性偏大。
2）DDR2模组下周的价格继续维持盘整走势的机会较大，上下空间均有限，但相信部分品牌会调高相应的价格。
3）下周颗粒DDR2 667 64MbX8 UTT的价格将会维持在5.30-5.60区间盘整的机会较大。
4)12月份DDR2的走势已经没有大的悬念。

操作建议：

对于内存商家，维持正常经营的建议，维持合理的库存，下周DDR2内存的价格不大可能会出现阶段性低部。

颗粒商家视价格下跌的情况可以适当逢低吸纳，但是5美金以上就建议还是正常经营为主，但不宜大量的投机炒作。

Nand Flash：

由于圣诞采购基本已经结束，价格已经开始走跌，Nand Flash的价格继续处于下降通道中。技术上讲，Nand Flash的价格走势短期已难以扭转，未来将会继续维持这种震荡下跌的走势。

我们对于下周的走势维持“中偏空”的看法，建议继续维持正常经营即可，切忌炒作。
鉴于圣诞采购已经结束，而厂家的产能将会向现货市场的倾斜，而Nand Flash革命性的产品短期内并不会出现，预计下周价格将会维持震荡下跌走势的机会偏大，而且短期止跌的机会也不大。

结论：

下周就是12月的第一周，预料Nand Flash的价格将会逐步失去厂家的控制，我们就继续维持“中偏空”的审慎态度。Flash的价格下周会维持缓慢的震荡下跌的机会较大。

上周的DRAM市场炒作热度上升到80分水平附近（满分100分），市场基本处于健康水平，虽有部分商家的蠢蠢欲动，相信短线会付出一定的代价的，尤其是DDR1；市场的需求和成交量维持平均水平偏上的位置，关注指数维持在100分水平附近，市场总体处于正常状态下，成交量上升到80分水平左右。

Nand Flash的关注度在80分水平的附近，市场的炒作气氛继续下降，相对以往有所谨慎，成交量维持在70分水准。
内存价格走势预测