上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.12.17-12.24)：
上周DDR2 667 512MB品牌内存的价格继续维持间震荡走势，总体上轻微偏软；而DDR400内存就维持在下降通道中。上周DDR2 64MbX8颗粒的价格呈现偏软的区间震荡走势，总体上仍然没有脱离近几个月业已形成的区间，总体成交量有所放大。DDR1则继续受到需求逐步萎缩和供应增加的双重影响下，下跌压力只增未减，价格继续快速小幅下挫。Nand Flash走势继续维持下跌通道中走势，年前的走势悲观。
下周走势分析预测:
DDR1：
受到产能增加、需求萎缩的双重影响，上周DDR1价格继续较为明显的下跌走势，尤其是Hynix DDR400 64MbX8的价格最低跌至4.4美金附近。由于DDR1供求关系吃紧的情况已经完全缓解，DDR1价格总体震荡向下的走势一段时间内还是不可逆转，DDR1的未来反弹机会渺茫，即使有反弹空间也不大。
尽管DDR400的累计跌幅已大，但我们预计未来的一周时间内，DDR1走势将继续震荡下跌的机会还是很高，就是说很大可能维持继续下跌走势，只是跌幅将会收窄，跌势将趋缓而已，但是完全止跌短线暂时尚不具备条件。
我们继续维持原有的“偏空”研判和建议不变，建议操作上继续正常经营为主，库存维持正常经营库存即可，反弹的机会不大，顶多也就是盘整一下而已
结论：
下周将会继续维维持下跌走势机会较大，不建议炒作DDR1，而且DDR1日后的炒作机会和价值也越来越小。
未来一段时间DDR400 64MbX8颗粒无论是Hynix还是UTT等都跌破4美金可能性大为增大。内存方面，DDR400 Hynix 512MB260元以前不言低。
DDR2：
颗粒方面：
DDR2的颗粒价格上周开始走软，但是总体走势上仍就没有脱离5.20-5.80美元的大区间，未来一周继续维持在这个区间的机会较大，下周的价格维持轻微偏软的区间盘整机会较大。
但尽管如此，我们要强调的是目前DDR2的跌势并未形成和完全确立，也就是说目前还只能将其走势定义为区间震荡走势。
DDR2的价格走势，由于供应相对吃紧，短线还是主要受厂家的控制，但是目前其控制能力已经大为减弱，目前的走势已经越来越多的受到需求的影响。
近期三星宣布将减产Nand Flash，增产DRAM的举动，虽然这个计划不至于对近期的市场产生影响，但是将会对年后的DRAM市场产生影响。如果三星的这一计划真的得以实施的话，DRAM的下跌将不可避免。我们相信，三星仍将会维持足够的产能在Nand Flash上，以便对对手形成持久的压力，不过减产Nand也是不得不作的，只是多少而已。
现货市场的UTT 64MbX8刚刚跌破具有象征意义的5.50美金，如果下周能够继续有效维持跌破这个价位，将会预示着今年DDR2的牛市行情可能接近结束；
如果有效跌破5.30美金（有效的意识是指其价格连续长达一周或以上的时间里，价格一直维持在该价位以下）就预示着DDR2彻底结束牛市开始走软。
结论：
1)DDR2颗粒价格下周继续维持偏软的盘整走势可能性偏大，但是下跌幅度有限；上升的机会极为渺茫，也就是说我们认为下周总体走势轻微偏软。
2)下周颗粒DDR2 667 64MbX8 UTT的价格仍将会维持在5.20－5.60美金区间内维持盘整的机会较大，有效跌破5.30美金的机会不大，还句话讲5.30美金具有强支撑，但是一旦有效跌破这个价位，就预示着牛市可能结束。
3)1月初的走势将会决定未来一个的走势，月初也是变数最大的时期，但是相信经过近两个月的多空双方的争夺，多方可用的牌并不多，价格的拉升难度极高。
4)我们认为近期走势极有可能仅存在两种可能：一是维持在既有区内内盘整，二是震荡下跌。似乎前一种机会更大些。
5)目前DDR2的跌势并未确立。
内存方面：
内存方面，下周价格的变化空间并不大，这主要受到成本的制约，也就是品牌内存的价格仍就会维持在也已形成的区间内轻微偏软盘整，不会有太大的变化。除非UTT DDR2 667 64X8跌破5.30美金。
结论：
1)DDR2模组下周的价格维持轻微偏软的盘整走势的机会较大，但是下跌空间有限，相信多数中低品牌的价格将会适当轻微调低。
2)12月份DDR2的走势已经没有大的悬念,即高不到哪去，但也低不到哪去。维持大的区间盘整的机会较大。
3)一月份初的走势将较为关键，目前来看内存维持盘整走势的机会较大。
操作建议：
对于内存商家，维持正常经营的建议，维持合理的库存。
对颗粒采购商家而言，价格的下跌将会出现采购的机会，目前来看跌破5.40美金还是有可能的，但跌破5.30美金就机会渺茫。无论如何，对模组厂家加大颗粒的采购无疑是正确的。
Nand Flash：
由于圣诞采购结束后，价格迅速下跌，Nand Flash的价格继续处于下降通道中。技术上讲，Nand Flash的价格走势短期已难以扭转，未来一段时间将会继续维持这种震荡下跌的走势，但是走势短期将会有技术性的反弹要求，这只是超跌反弹，不宜介入。
由于厂家持续扩产，制程不断提升，短期仍不能看到完全止跌的任何机会。即使Vista在一月推出也难以消化多余的产能。
我们对于下周的走势维持“偏空”的看法，建议继续维持正常经营即可，切忌炒作。
三星开始有计划的减产Nand Flash，但是相信短线的影响有限，因为出于战略上的考量，Nand Flash的价格下跌还是大势所趋，三星也不过只是想要延缓其跌势而已，并不想止跌反弹的意识，因此对于Nand Flash的走势还是要审慎。
结论：
Nand Flash的下跌是震荡的、螺旋式的，呈现大跌小涨形态，年底前，预料厂家对Nand Flash的价格将会失去“控制”，任其“自由”发展。我们就继续维持“偏空”的审慎态度。
Flash的价格下周会维持缓慢的震荡下跌的机会较大。
我们的操作建议是正常经营即可，即使炒作都应该基于超短线，不能基于中长线。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场基本维持较为平和的气氛。炒作热度下降到70分水平附近（满分100分），市场基本处于健康水平；市场的需求和成交量维持正常平均水平的位置，关注指数维持在75分水平附近，市场总体处于正常状态下，成交量维持在80分水平左右。
Nand Flash的关注度在80分水平的附近，市场的炒作气氛几乎凝固，相对以往有所谨慎，成交量维持在70分水准。
颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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eTT |
64MbX8 DDR2 667 |
USD5.30-5.60 |
轻微偏软区间震荡走势，跌破5.30美金的机会小，月初有机会轻微反弹 |
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Hynix |
64MbX8 DDR400 |
USD4.45-4.30 |
轻微震荡的下跌走势 |
内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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主要品牌 |
512MB DDR2 667 |
RMB360－395 |
轻微偏软区间震荡走势 |
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Hynix |
512MB DDR400 |
RMB280－295 |
震荡下跌走势，销量将会增大，替代部分DDR2需求 |
（史军执笔，仅供参考）
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