上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.02.26-03.05):
受到节后补货需求强劲的影响,上周DDR2价格出现止跌反弹,价格总体上呈现小幅上扬走势。DDR400则由于供应减少而节后需求异常强劲,价格出现小幅上升。但是DDR400由于OEM需求迅速减少,周末价格已经出现滞涨态势。Nand Flash走势受到利好消息、供应端价格调升和节后补货需求的多重刺激,价格开始出现脉冲式的反弹,但就预计日后如果没有新增的实质需求支撑下,反弹可能会无功而返。
下周分析预测
DDR1:
由于DDR400已经完全退出OEM市场,而目前主要在第三世界国家的部分新装低端电脑和部分升级市场还有使用,但是随着Vista的上市、未来双核CPU的大幅降价后的迅速普及及Intel NB新架构的即将推出等多种因素共同作用,这种情况正在将会发生根本性的改变,DDR400的销量即使在大陆市场也将会迅速萎缩,时间相信不会迟于6月底。
由于DDR400上涨主要受到来自DDR333停产影响,目前的供求关系接近平衡的情况来看,我们研判下周DDR400维持稳定的机会较大,短期下周以盘整为主,继续上升的机会不大。
结论:
内存:下周无论是品牌还是兼容的DDR400内存价格维持稳定盘整的机会较大。
颗粒:DDR400颗粒价格也是如此,下周DDR400 64MbX8颗粒价格将会维持这种走势。
考虑到节后补货需求接近尾声,我们对下周的DDR400持“中性”的研判,我们对DDR400的并不感到乐观。
操作建议:
我们建议操作上内存商家正常经营为主,维持正常经营库存即可。
颗粒方面,逢低可以适当加大吸纳力度,但是不宜过大,短期大涨的机会并不大,并未到完全停产的地步。
DDR2:
节前商家清仓过节是直接导致了本周的止跌反弹的直接原因。那么现在的问题是下周是否还会继续维持这种强势呢?
我们认为目前的反弹还仅仅限于大陆市场补货层面,尚未构成全局性的需求强劲局面,况且未来5、6月为传统淡季,厂家在这个时候强行拉升价格的机会不大。这毕竟与去年DDR400供应渠道单一,导致的价格控制起来游刃有余的时候大不相同了。
具体到下周的走势,我们认为DDR2颗粒价格下周前半周至少会继续维持偏强的盘整走势的机会较大,后半周的价格将会视力晶的出货情而定,但是即使供应有限,价格继续上升的机会也渺茫,主要是因为其他品牌的颗粒供应正在增加,而价格并未高太多,并在持续缓慢下跌。
UTT 64MbX8 DDR2颗粒的价格自节前开始到上周末在3.00-3.50之间展开盘整,短线当天价格成功上传30天均线。如果这就预示着价格已经触底并要走强,似乎时间也太早了点。但是至少说明了一点,价格下跌的速度已经大大减缓了。
未来两周的价格走势才是考量未来中长线的关键期。
下周走势的结论:
颗粒方面:
下周开始DDR2颗粒价格开始进入震荡期的可能性较大,价格快速上升和快速下跌的机会均不大。目前进入3月第一周,维持窄幅区间震荡的机会较大。
我们预计,DDR2颗粒下周将会触及短线顶部的机会较大,然后有机会缓步走软,但是幅度将会明显收窄。
模组(内存)方面:
下周内存价格将会维持轻微偏强走势,这更多地是因为运输问题造成的缺货产生的。考虑到UTT颗粒价格近期出现走强、品牌模组众多等因素的综合作用,预计未来一周模组价格难以出现大幅回调,继续偏强盘整走势的机会较大。
但是如果报关问题得到解决的话,那么价格走软的机会就大增。
DDR2 价格的底部到底在哪,目前仍还是雾里看花。由于力晶的制造成本目前只有1.50美金,而DRAM厂家从下半年开始陆续采用70奈米制程技术的颗粒量产,市场商家一时有点失去安全感。目前我们只能讲,以当前的情况来看跌到1.50美金的机会暂时减少了。
我们对DDR2继续维持“中偏软”的研判。
下周操作建议:
品牌模组厂家颗粒采购将维持每逢新的低点逐步加大采购力度的建议,采购以每逢新低即大量进行的阶梯式的方式进行。但是一旦反弹就暂时观望一下,等待情况明朗,再决定下一步的动作。
出现连续下跌时每个价格台阶,采购量不宜过大,一旦止跌即可加大采购数量。
内存经销商同样维持每逢新的颗粒低点适当加大采购力度的作法。
Nand Flash:
由于受到节后补货、苹果即将下单生产iphone利好消息和厂家拉抬价格的影响,Nand Flash的价格上周出现跌深反弹,由于现货市场的库存偏低,价格出现脉冲式上涨,预计下周暂时会在高位暂时维持一周时间问题不大,但是我们并不看好尚未兑现的利好对价格的支持力。
前期跌幅已经收窄,而且上周出现了止跌回稳走势,预示后期的走势将会呈现多变的局面,但是也只能是说明跌势趋缓而已,并没有真正形成反转的机会。
我们对于下周的走势维持既有的“中偏空”的看法,建议继续维持正常经营即可,切忌炒作。
鉴于终端需求一般,而且通路商家节后补货即将告一段落,厂家的产能并未减少,虽然Nand Flash革命性的产品短期内并不会出现,但是市场对苹果的Iphone寄以厚望,有投机炒作动作显现,预计下周价格总体将会维持盘整走势的机会偏大,但是继续上升的机会不大。
结论:
下周预料Nand Flash的价格将会维持高位盘整的机会较大,短线由于市场追风盘的存在,价格短线难以大幅回调。
但我们对flash维持“中偏空”的审慎态度。Flash的价格下周会维持偏强的震荡盘整机会较大。
操作建议:
我们的操作建议是正常经营即可,即使炒作都应该基于短线,不能基于中长线。Flash的春天尚未来临,最多只是临近而已。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场炒作热度陡升,气氛活跃,大约处于90分水平附近(满分100分),但是市场基本仍处于健康水平;市场的需求和成交量维持在高位,关注指数上维持在90分水平附近,市场总体处于正常状态下,成交量维持在90分水平左右。但就预测本周的炒作气氛将会有所收敛。
Nand Flash的关注度在90分水平的附近,市场的炒作气氛极为活跃,终端需求一般,成交量上升为80分水准。
下周内存价格走势预测
(预计总体维持供小于求)
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
主要品牌 |
512MB DDR2 667 |
RMB240-260 |
震荡盘整走势 |
|
Hynix |
512MB DDR400 |
RMB250-275 |
震荡盘整走势 |
|
UTT、eTT |
512MB DDR400 |
RMB250-275 |
震荡盘整走势 |
下周颗粒价格走势预测
(预计总体维持供大于求)
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD3.35-3.55 |
先强后软的盘整走势 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD3.75-3.90 |
轻微偏软的盘整走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR400 |
USD3.75-3.90 |
轻微偏软的盘整走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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