上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2006.03.05-03.11)：
上周由于货物滞留香港情况得到改善，导致前期价格走强条件消失，在陆续到货的冲击下内存价格开始回归合理。DRAM颗粒价格同样市场受到节后轻微供大于求的影响逼近节前的最低点。Nand Flash继续受到上游控制出货和拉升价格的影响，价格维持偏强上升走势，日后走势仍要看实质需求的好与坏。
下周分析预测
DDR400：
当现货市场以抬升价格消化完DDR333的停产冲击后，对DDR400的强劲需求也就告一段落了，并回归正常，价格于是从上周开始重新步入缓慢的下降通道中。尽管价格维持在下降通道中，但是下跌的幅度已经明显收窄，跌势明显趋缓。
考虑到目前供应端仍然能够满足市场的正常需求，而且品牌颗粒价格比UTT的价格更具竞争性，预计下周短期难以产生大的反弹走势，即使反弹还会是以小的波段行情为主。
结论：
内存：
下周无论是品牌还是兼容的DDR400内存价格维持轻微偏软的盘整（即缓慢下跌）的机会较大。
颗粒：
DDR400颗粒价格也是如此，下周DDR400 64MbX8颗粒价格将也会维持轻微偏软的盘整（即缓慢下跌）走势。
我们对下周的DDR400继续持“中偏软”的研判，我们对DDR400的仍感觉不到乐观。如果DDR400的供应在4月底前维持不变，将会面临压力。
操作建议：
我们建议操作上内存商家正常经营为主，维持正常经营库存即可。
颗粒方面，视价格每下一个台阶地点时可以格局需求适当加大吸纳力度，但是不宜过大，短期大涨的机会并不大，颗粒生产并未到完全停产的地步。
但是应该密切关注品牌颗粒的供应情况，UTT颗粒并不是目前关注的重点和决定未来DDR400价格走向的主要因素。
DDR2：
下周走势的结论：
力晶的官价调低是上周价格走软的导火索，但是实际上还是供求关系早已决定了上周的价格走势，只是跌速之快出货大家的预料而已。在此之前，几大DRAM厂家的合约价格已经跌破现货价格，因此力晶的调价也是不得已而为之。
由于台湾DRAM厂家的新增产能惊人，目前来讲增加的这部分产能并不能被市场所消化，尤其是以现货市场为主的力晶产能。
目前来看，Vista的需求延后对厂家绝对是一个坏消息。
下周的UTT DDR2 64MbX8的现货市场价格将会考验3美金关卡，由于下旬的合约价格将很大可能会继续调降，目前的市场气氛沉重，在实质需求短期不会好转强而投机买盘又缩手的情况下，我们相信跌破3美金的机会或许只是时间问题。
结论：
颗粒方面：
下周由于价格将会考验3美金的关卡，预计在此价位附近将会展开激烈的争夺，这个价位的守住与否将会影响未来一段时间的走势。
但是我们就预计3美金最终将会被跌破。这主要基于供大于求的基本局面，无论是OEM方面还是现货市场、还是主要通路商和一般商家，目前均不认为价格会出现上涨，而我们也看不到任何需求有任何增大的迹象，终端需求一切维持正常，模组的单机平均搭载量业没有大的提高。
我们对下周的DDR2颗粒走势维持“轻微偏空”的研判。DDR2 UTT的价格底部虽然1.50美金是底部的机会不大，但是3美金也绝对不可能了！
模组（内存）方面：
模组的价格走势较为复杂，并非全部来自颗粒的价格下跌产生的压力。需求一般、颗粒价格的下跌、货物滞留香港等造成大陆市场的模组价格相对于颗粒的价格换算过来的价格偏高一点。
如果排除颗粒价格不谈，其它两个因素仍将是影响目前价格走势的更为关键的因素。一方面，模组缺货，而另一方面，货却滞留在香港。这将会对颗粒的销量直接造成负面影响，直接进一步加剧供大于求的局面。
鉴于此，我们对DDR2继续维持“轻微偏软”的研判。
下周操作建议：
品牌模组厂家颗粒采购将维持每逢新的低点逐步加大采购力度的建议，采购以每逢新低即大量进行的阶梯式的方式进行，下降途中适量够用即可。但是一旦反弹就暂时观望一下，等待情况明朗，再决定下一步的动作。
出现连续下跌时台阶间的采购量不宜过大，一旦止跌即可加大采购数量。
内存经销商同样维持每逢新的颗粒低点适当加大采购力度的作法。
Nand Flash：
上周Nand Flash的价格继续维持在高位盘整，尤其是16Gb和8Gb颗粒，因为这两个信号的颗粒最可能被苹果iPhone采用。
但是价格出现脉冲式的上涨后，继续上升的动能却在减少，这主要源于利好并不等于现实的需求，Nand Flash的投机在去年已经被证明风险极高，所以商家普遍态度几声，并且秉持短线炒作的思路来看待，继续追高者寥寥无几。
以过往一年来的市场情况来看，Nand Flash市场正在向理性方向发展，价格正在进入相对稳定的时间区域，未来走势尚有一定的期待。
短期下走来看，Nand Flash的价格仍就维持厂家主导下的盘整走势的机会大一些。
结论：
下周预料Nand Flash的价格将会维持高位盘整的机会较大，价格短线难以出现大幅回调，但也不会大幅上升。
但我们对Nand Flash维持“中性轻微偏空”的审慎态度。Flash的价格下周会维持高位的区间震荡盘整机会较大，价格再次上升的机会暂时不大。
操作建议：
我们的操作建议是正常经营即可，即使炒作都应该基于短线，暂时还是不能基于中长线。
Nand Flash的春天尚未来临，只是临近而已，但是后市值得大家密切关注。
上周的DRAM市场炒作热度维持正常水准，气氛活跃，炒作指数大约处于90分水平附近（满分100分），但是市场基本仍处于健康水平；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数上维持在90分水平附近，市场总体处于正常状态下，成交量维持在80分水平左右。但就预测本周的炒作气氛将会进一步收敛。
Nand Flash的关注度下降到80分水平的附近，市场的炒作气氛仍然活跃，终端需求一般，成交量维持在75分水准。
下周内存价格走势预测
（预计总体维持供小于求）
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
主要品牌 |
512MB DDR2 667 |
RMB230－255 |
总体小幅下跌走势 |
|
Hynix |
512MB DDR400 |
RMB240－265 |
总体轻微下跌走势 |
|
UTT、eTT |
512MB DDR400 |
RMB240－265 |
总体轻微下跌走私 |
下周颗粒价格走势预测
（预计总体维持供大于求）
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD2.85-3.20 |
总体下跌走势 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD3.55-3.75 |
总体轻微偏软走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR400 |
USD3.55-3.75 |
总体轻微偏软走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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