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上周回顾及下周分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2007-03-26
上周在合约价下跌的压力下,UTT DDR2 667 颗粒很不情愿地下调到2.50美金附近盘整,等待下一次压力的产生。DDR400的价格开始继续缓慢的下跌走势,但是跌速明显缓慢。Nand Flash继续受到上游控制出货和拉升价格的影响,价格出现颷升,日后走势仍要看实质需求的好与坏。

上周回顾(2006.03.19-03.25)

上周在合约价下跌的压力下,UTT DDR2 667 颗粒很不情愿地下调到2.50美金附近盘整,等待下一次压力的产生。DDR400的价格开始继续缓慢的下跌走势,但是跌速明显缓慢。Nand Flash继续受到上游控制出货和拉升价格的影响,价格出现颷升,日后走势仍要看实质需求的好与坏。

下周分析预测

DDR400

随着DDR2价格的下滑,上周DDR400的销量已经开始出现下滑势头,尽管幅度有限,但是也说明DDR400正式开始进入淘汰程序。

目前有一点这的关注,那就是UTT颗粒的价格开始出现有严防死守的迹象。未来的变数全在需求下降的速度与供应下降的速度两者的赛跑上。

结论:

内存:

下周无论是品牌还是兼容的DDR400内存价格总体维持轻微偏软的窄幅盘整的机会较大。

颗粒:

颗粒价格继续维持轻微偏软的盘整走势的机会偏大。

总体而言,考虑到制程等诸多原因DDR400 64MbX8颗粒的价格跌破3美金的机会不大。

我们对下周的DDR400继续持“中偏软”的研判,在DDR2持续下滑的情况下,我们对DDR400走势也是持负面研判。如果DDR400的供应在4月底前维持不变,仍将会面临一定的压力。

 

操作建议:

我们建议操作上内存商家正常经营为主,维持正常经营库存即可,但是鉴于未来价格下跌速度趋缓,建议未来库存今后可适当加大到3天左右。

颗粒方面,视价格每下一个台阶低点时可以根据需求适当加大吸纳力度,模组商家维持5-7天的库存,但是不宜过大,因为短期大涨的机会并不大,颗粒生产并未到完全停产的地步或者接近厂商制造成本的程度。

但是应该密切关注品原装牌颗粒的供应情况,UTT颗粒价格并不是目前关注的重点和决定未来DDR400价格走向的主要因素,而品牌颗粒价格变化和供应情况才是关键,未来还是有机会因为短暂供求失衡而形成反弹走势的。

 

DDR2

下周走势的结论:

上周的现货市场的颗粒价格成功地跌破2.80美金后,并直接考验2.50美金,尽管只是瞬间跌破过2.50美金的价位,目前还不能说有效跌破,但是对市场的影响却是深远的。我们随后随机采访了一些商家,他们对底部的预测随之下调到2.00美金附近。

从上周的情况来看,UTT厂家的守势态度比较明显,下跌均是不得已而为之的,并非主动调降价格。

未来的DDR2价格走势决定于几个因素

 

DRAM厂新增产能情况

DRAM需求增加情况

1

华亚科的二厂322日开始量产

VistaDRAM需求的带动继续缓慢增温

2

90奈米升级70奈米,制程提升导致产能增加,512Mb颗粒大约增加50%左右

AMD CPU 4月初大降价及Intel 4月下旬大降价对需求的刺激

3

8寸厂的退出进度

Intel全新笔记本架构套片上市

 

上次我们谈到DDR2 UTT 64MbX8颗粒价格跌到1.50美金的机会并不大,并认为底部处于1.80-2.80之间的1美元区间内机会持续增大。本周我们将这一底部大区域进一步下调并调整为1.50-2.50美金区域的1美金区间,而这一区间也是我们最早内部预估底部区间,但是我就维持1.80-2.50美金的区间概率偏大的研判。

下周由于是月末,商家的出货压力正常情况下将会增加,但是考虑到上周的下跌幅度较大而合约市场暂时没有利空消息等因素,未来一周的价格将会维持弱势盘整的机会较大,整体下跌幅度将会收窄或有限。

我们对底部的预测将会在未来的预测栏目中继续逐步以渐进式的方式推出。

结论:

颗粒方面:

上周跌破2.50美金后,跌势开始全面趋缓,并围绕2.50美金展开盘整。上周UTT 64MbX8颗粒价格跌至2.50美金,预示着DDR2的供大于求的情况短线已经不可逆转。

未来一周的走势仍就不容乐观,但是相信跌幅就会收窄,这主要是由于UTT生产厂家开始采取控制出货的做法,延缓跌色。

另外,日本主要DRAM厂家3月底年度结算即将结束,抛货的力度将会减弱,未来4月份的价格走势也会趋于温和。

我们对下周的DDR2颗粒走势维持“轻微偏空”的研判。

模组(内存)方面:

下周模组的价格走势相对较为清晰,那就是继续维持下滑态势,难以完全止跌。但是月底可以适当补货规避月初的涨价效应和下月初的香港放假影响。

鉴于此,我们对DDR2继续维持“轻微偏软”的研判。

下周操作建议:

模组厂家颗粒采购商建议下周继续维持每逢新的低点继续加大采购力度的建议,采购以每逢新低即大量进行的阶梯式的方式进行,下降途中适量够用即可。但是一旦反弹就暂时观望一下,等待情况明朗,再决定下一步的动作。出现连续下跌时台阶间的采购量不宜过大,一旦止跌即可加大采购数量。

建议库存:5-10

内存经销商同样维持每逢新的颗粒低点适当加大采购力度的作法,但是采购时间点要稍微滞后于颗粒的价格止跌时间点,由于下周末为月末,并且月初香港又放假5天,建议下周周末库存可以逢低适当加大库存。

Nand Flash

Nand Flash的走势总是这样难以琢磨,但仅仅因为iPhone采购的即将到来就开始颷升似乎还是早了一点。这次的价格快速上升更多因素还是在通路因素,苹果或DRAM厂商所起作用相对小些。

既然价格上来了,预计在4月上旬前价格都将维持强势,我就预计价格继续上升的机会就不大,因为Nnad Flash虽然已经减产,但是总体仍就处于供大于求的状态,我们预估此次行情为炒作而非实际需求推动,因此价格的上升后期将缺乏动力。

对未来Nand Flash的走势我们继续看好 ,但是时间不是第二季度而是下半年。

 结论:

下周预料Nand Flash的价格将会继续维持区间高位盘整的机会较大,价格短线难以出现大幅回调。

但我们对Nand Flash改持“中性”的审慎态度。Flash的价格下周会维持高位的区间震荡盘整机会较大,价格再次大幅上升的机会暂时还是不大。

操作建议:

价格颷升后,Nand Flash的价格已经临近顶部,现在介入无异于被套,建议正常经营即可。

上周市场情况汇总:

上周的DRAM市场炒作热度维持正常水准,气氛活跃,炒作指数大约下降为70分水平附近(满分100分),市场基本仍处于健康水平;市场的需求和成交量维持在平均水准,关注指数上维持在90分水平附近,市场总体处于正常状态下,成交量维持在80分水平左右,预测下周的炒作气氛将会有所提高。

Nand Flash的关注度维持95分水平的附近,市场的炒作气氛空前活跃,终端需求一般,成交量维持在80分水准。

 

下周内存价格走势预测

(预计总体维持供大于求)
 

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

主要品牌

1GB DDR2 667 8C

RMB360430

总体小幅下跌走势

Hynix

512MB DDR400 8C

RMB235265

总体偏软的窄幅盘整走势

 

下周颗粒价格走势预测

(预计总体维持供大于求)

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

UTTeTT

512Mb DDR2 667

USD2.40-2.60

总体下跌走势

Hynix

512Mb DDR400

USD3.55-3.68

轻微偏软的盘整走势

UTTeTT

512Mb DDR400

USD3.55-3.68

轻微偏软的盘整走势

 

(史军执笔,仅供参考)