上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2007.04.30-05.06)
DRAM方面,由于OEM需求迟迟未能显现,大量DRAM颗粒被抛到现货市场而导致价格崩盘。大陆现货市场方面,商家基对于去年赚钱效应的怀念,今年资金大举进入DRAM的投机炒作中,现货市场的库存量也一直居高不下,一定程度上导致价格难以出现上扬。
Nand Flash市场则由于主要厂家的减产而使价格暂时企稳,但未来的走势还是充满变数,未来价格继续能否大幅上扬就仍有待观察了。
下周分析预测(2007.05.07-05.13):
DDR400:
由于主要DRAM厂家在DDR2上市占率的竞争,导致其价格急剧下降,目前已经逼近多数厂家的成本区。因此短期利润尚好的DDR400生产量不会减少也在情理之中,但DDR400的需求近期却呈现明显的下滑势头,再加上DDR2颗粒价格的大幅下滑对其构成压力,导致DDR400上周也出现了明显的下跌走势。
目前64MbX8 DDR400的颗粒成本多数厂家处于2.50-3.00美金区间,少部分厂家的成本低于此价格区间。另外32MbX8 DDR400的颗粒供应量开始有减少的趋势。
目前DDR400已经开始接近成本区,预计未来几周的价格跌幅预计将会收窄。
结论:
内存:
下周无论是品牌还是兼容的DDR400内存价格下周总体维持轻微偏软走势的机会较大。
颗粒:
颗粒价格总体继续维持轻微偏软的盘整走势的机会偏大,即缓慢的下跌走势。
总体而言,考虑到制程、供求关系等诸多原因,尤其是近期的DDR2的价格走势,我们认为DDR400 64MbX8颗粒的价格,未来有机会跌破3美金,但是跌破2.50美金的的机会不大,也就是说价格将会跌到DRAM厂家的生产成本区附近。
我们对下周的DDR400继续持“中偏软”的研判,在DDR2价格持续下滑和DDR400需求萎缩的情况下,我们对DDR400走势下周也维持“中偏负面“研判。
如果DDR400的供应量在5月底前维持不变,受到DDR2价格下跌的影响,5月底前DDR400 64MbX8颗粒的价格将会有机会跌到成本区附近,即2.50美金附近,但是这一成本区附近将会有强支撑,不易跌破。
下周操作建议:
模组经销商:
我们建议操作上模组生产厂家以正常经营为主,维持正常经营库存即可,但是鉴于未来价格下跌速度极为缓慢,建议维持正常库存即可,等待合约价出炉后再动不迟。
模组厂家:
颗粒方面,维持正常经营机可,操作上也要观察合约价的变化再动不迟。
DDR2:
形势分析:
未来一周考虑到合约价维持下跌的机会较大,DDR2 64MbX8颗粒的价格将会有机会跌至DRAM厂家的12”厂90奈米的成本区间的顶部区域,即1.70-1.80美金附近,因此未来一周的走势仍然不乐观
由于4月份为CPU密集大降价的月份,导致了市场需求延后实属正常现象。考虑到CPU的密集降价即将告一段落,5月份下旬或6月份开始由于等待CPU降价而滞后的装机需求开始陆续引爆,相信这将对DDR2的价格形成有力支撑,DDR2的价格也会逐步落底,即形成阶段性的底部。
目前可以看到的是,今年的总体需求不会因为Vista的上市出现爆炸性的增长,全年的价格维持区间盘整的机会较大。
我们对DDR2 667 64MbX8 Mira eTT颗粒的底部的区域的判断基本维持不变,但根据上周的情况把范围进一步缩小,具体基本维持不变:
1)由于中线底部已经被跌穿,也就是说今年的行情将会是一步到位,没有所谓的中段反弹行情,因此中线底部也就不复存在了。鉴于此,我们也取消此假设前提的中线底部预测。
2)年底前,长线的区间底部区间将继续锁定到1.50-1.80美金区间不便,即在这0.30美金区间内。
结论:
颗粒方面:
由于之前预测中线的底部业已跌破,因此我们将底部一次性锁定到长线的底部区间1.50美金附近,也就是说今年将会一直跌近或跌到或跌破各个DRAM厂家的成本价为止。
对于未来一周的DRAM价格走势我们持“负面”研判
模组(内存)方面:
由于需求维持一般,模组价格折算成颗粒的价格还是高于目前颗粒价格,短线模组的价格仍然面临压力。
鉴于此,我们对DDR2模组继续维持“偏软”的研判。
下周操作建议:
模组厂商:
建议下周的颗粒采购维持正常经营即可,等到合约价出台后,视情况再决定后续操作手法,但就预计下周价格企稳的机会不大,最快要到下旬才有机会。
内存经销商:
由于目前现货市场的金士顿模组库存量至少有高达3周,因此我们有理由相信在第三周底以前,模组的价格难以反弹。建议下周正常经营即可,短线下周难有什么像样的机会,维持正常库存即可。未来走势还是要看OEM的需求和Vista的需求效应而定。
Nand Flash:
上周Nand Flash的价格继续维持在高位盘整,尽管主要DRAM厂家暂时尚无计划增加厂能,但是长线的厂能增加却是计划之中的事。
我们预计Nand Flash的价格目前仍就处于自春节后、以至未来一段时间的区间顶部区域,尽管尚不能预测出何时开始下滑,但是5月份无疑将是关键时段。
考虑到,未来一段时间看不到什么革命性的产品诞生,预计供需将会维持动态平衡。
结论:
Nand Flash的现货市场价格已经接近波段的区间顶部,目前的危险系数仍处于最高级。
但我们对Nand Flash继续持“中性”的态度。Flash的价格下周会维持高位的区间震荡盘整机会较大,价格再次大幅上升的机会有但就不大,下跌的机会正在增大,但是即使下跌,下周也不会出现大幅下跌,短期价格的下调仍以盘整或小幅下调为主。
操作建议:
价格颷升后,Nand Flash的价格已经临近顶部,现在介入无异于被套,建议正常经营即可。
至于未来短线,我们认为已经没有炒作的机会的情况下,继续维持正常经营是明智之举。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场炒作热度有所升温,气氛也区域活跃,炒作指数上升到75分水平附近(满分100分),市场需求继续增温;市场的需求和成交量维持在平均水准,关注指数维持在80分水平附近,市场总体处于淡季状态,成交量上升到70分水平左右,预测下周的炒作气氛将会继续轻微升温。
Nand Flash的关注度维持在75分水平的附近,市场的炒作气氛开始下降,终端需求一般,成交量维持在60分水准。
下周内存价格走势预测
(预计总体供求关系接近平衡)
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
250-290 |
小幅下跌走势 |
|
Hynix兼容条 |
512MB DDR400 |
200-215 |
小幅下跌走势 |
下周颗粒价格走势预测
(预计总体供求关系接近平衡)
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD1.70-1.85 |
小幅下跌 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD3.00-3.20 |
小幅下跌 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR400 |
USD3.05-3.30 |
小幅下跌 |
(史军执笔,仅供参考)






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