上周回顾及下周分析预测

DRAM的价格走势已经快速脱离底部并步入上升通道，尽管上涨的时间点在预料之中，但是上涨力度和幅度均超乎想象！DDR2的价格快速通过前期套牢区，这为后市的继续上涨奠定了基础。而DDR400的价格开始受到DDR2反转行情的影响，开始止跌趋稳，未来有机会出现反弹走势。Nand Flash的价格坚挺，但是月底结束后的情况，进入7月份情况可能就会有变化了。

上周回顾(2007.06.24-2007.07.01)

 

DRAM的价格走势已经快速脱离底部并步入上升通道，尽管上涨的时间点在预料之中，但是上涨力度和幅度均超乎想象！DDR2的价格快速通过前期套牢区，这为后市的继续上涨奠定了基础。而DDR400的价格开始受到DDR2反转行情的影响，开始止跌趋稳，未来有机会出现反弹走势。Nand Flash的价格坚挺，但是月底结束后的情况，进入7月份情况可能就会有变化了。

 

下周分析预测(2007.07.02-2007.07.08)：

 

DDR400：

 

由于DDR400 64MbX8的价格已经跌入DRAM厂家的成本区内，上周DDR2价格由于走势反转而反弹并一跃超越DDR1的价格，因此预计DDR400的价格下周将会有一定支撑，尽管并不足以改变其需求日渐衰退的局面，但是经验告诉我们在上述这种情况下，只要DDR2的价格持续维持强势，那么DDR400的价格形成反弹走势或许只是时间问题。

 

但是不管怎么样有一点是可以肯定的，那就是DDR400的不但未来下跌空间已经不大，而且目前已经出现触底的迹象！

 

结论：

 

由于DDR2的价格开始强力反弹，下周DDR400内存的价格将会维持稳定的盘整走势的机会较大，这主要是因为市场气氛开始趋于乐观及暑期需求即将启动两者双重作用的结果，但是考量到目前DDR1需求的减少，DDR400暂时还是难以大幅反弹。

 

鉴于DDR2的颗粒价格近期有维持盘整和轻微走强的态势，我们认为DDR400 64MbX8颗粒的价格中线已经接近底部。

 

我们对下周的DDR400维持“中性或中偏多”的研判，这主要基于DDR400的颗粒价格接近成本区，而DDR2的价格已经开始反弹，市场即将进入暑期旺季。

 

下周操作建议：

 

模组经销商：

 

我们建议操作上模组经销商适当逢低吸纳。

建议库存：3-8天

 

模组厂家：

 

颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经接近DDR1的底部区域。

建议库存：5-8天左右

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格以逼空方式强力上拉，并快速通过前期套牢区，使得上涨最大的阻力区被轻而易举的越过，市场气氛明显活跃，气氛趋于乐观。

 

由于下周是月底的最后一周，基于资本市场的考量，颗粒价格至少不会出现大幅下跌的走势。而64MbX8已经站在2.00美金附近套牢盘区的之上的现实，说明至少多方更愿意以更快的速度将价格先拉至成本区之上的合理利润区域。

 

高考、中考两者已经结束了，相信会考后需求会有所爆发，进入7月份将会逐步结束目前的淡季的状态，进入暑期需求旺季。目前欧美市场的需求还不够明朗，它将成为结束目前DRAM市场低迷状态的关键，和未来价格能否持续上涨的重要因素。

 

但在此之前，由于价格的累计涨幅惊人，市场暂时需要消化获利盘和等待需求的复苏。

 

 

结论：

 

我们对未来短线的DDR2的走势继续持“中偏多”审慎乐观的研判，短期价格的上升的势头已完全确立，下旬合约价格的持平也验证了DRAM在6月的筑底走势已经结束。

 

下周DDR2价格维持强势盘整的机会较大，多方仍会有可能继续强势上拉，将512Mb颗粒的价格拉至2.50美金以上，然后盘整至月底，等待需求来决定未来的走势。

 

但是目前需求明显未能跟上，如果厂家不能有效控制出货，那么价格回调将会是不可避免。

 

颗粒方面：

 

DDR2 eTT 64MbX8颗粒的价格已经站稳2.00美金，虽然短线回到2.00美金以下的机会已经不大，但是短期能否站住2.50美金也是面临考验的，毕竟目前仍处于淡季的尾声。

 

在这样一种情况下，下周很大程度上会在2.50美金的附近震荡盘整调整的机会较大。因为在继续上攻的难度较大，而回调到2.00美金的机会也不大的情况下，下周维持强势震荡将会是最佳选择。

 

模组（内存）方面：

 

由于主要品牌内存的价格均已经上升至300元以上，下周模组的价格将会维持强势，只要金士顿的价格不出现反复，那么整体强势格局不易改变。

 

目前主要品牌的模组价格均已经站稳300元，未来短线300元具有较强的支撑力，不易轻易跌破此价位，换句话说，300元是中线的底部。

预计下周金士顿1GB DDR2内存的价格最终将会稳定在330元以上，最高有机会上攻350元价位。

 

下周操作建议：

 

总体上，我们预期DRAM的价格下周将会继续维持强势，下旬合约价格的持平和亚洲现货市场的价格大幅反弹等因素等利好因素将会刺激欧美市场的需求。

 

短期月底前的走势会维持强势，未来能否持续上升，还要看7月份的需求情况而定。如果需求不佳回调将不可避免，只是幅度大小而已；如果需求好，价格就维持继续维持强势。

 

基于这种判断，大家可根据自身的情况适当调整库存的水位高低，降低风险；或是看高一线，但总体上机会与风险同在，愿赌服输！但是相信以目前大家的成本赔钱的概率并不大。

 

模组厂商：

 

继续维持逢低适当吸纳的策略，维持适当合理库存，价格维持紧随金士顿的策略。由于金士顿的价格受到市场炒作的影响，价格的反应速度有所缓慢，上升的速度也是慢半怕且略显沉重，因此在价格的制定上应该在维持紧随策略的前提下，适当超前。但是我们相信随着库存的下降，金士顿的价格变化在下周会变得轻盈一些。

 

建议：也可视情况逢低适当吸纳，维持仓位水位不变，库存：15-20天以内

 

内存经销商：

 

暂时OEM的需求和Vista的需求还是都还没有看到，短线主要要看DRAM的产能控制约束能力。目前厂家继续约束自己，但未来主要还是看需求的配合，短期月底前走势维持强势盘整等待需求的机会较大。

 

操作建议：持仓不动，也可视情况逢低逐步吸纳，建议库存：15-20天以内。

 

 

Nand Flash：

 

Nand Flash的价格继续在既有的空间内盘整，在春节后很快触顶后，Nand Flash的价格就再未能突破这个顶部，这也显示出这个顶部可能就是中线顶部。另外未来7月份受到主要DRAM厂家将DRAM产能转产Nand Flash的影响，Nand Flash将面临压力。

 

短线下周的Nand Flash价格还是维持在既有的区间内盘整的可能性较大，难以有任何突破，未来Nand Flash的价格在7月份的走势将是关键，目前来看，走软的机会偏大，只是时间问题，但是暂时也不会出现急跌。

 

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持区间盘整的概率较大，尽管下周的价格维持区间盘整的可能性较高，但是我们对中线线的走势继续维持“中偏软”的研判

 

操作建议：

 

至于未来短线，我们认为已经没有炒作的机会的情况下，继续维持正常经营是明智之举。

 

操作上建议正常经营为主。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场炒作热度继续升温，气氛明显活跃，商家对于后市多数开始区域乐观的同时仍然保持审慎，炒作指数维持在90分水平附近（满分100分），市场需求维持正常淡季水准；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数接近100分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在80分水平左右，预测下周需求将会有所起色，极有可能是结束淡季的前哨战。

 

Nand Flash的关注度维持在80分水平的附近，市场的炒作气氛维持平均水准，终端需求一般，成交量维持在75分水准。

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）