上周回顾及下周分析预测

DDR2方面，由于市场各方面需求继续疲软，但是上游持续惜售导致上周的DDR2颗粒和模组价格继续维持稳定的盘整走势；而DDR400方面则恢复既有的轻微偏软的区间盘整走势。库存水位方面，大陆现货市场的内存库存几乎消耗殆尽，库存水位已不到3天。Nand Flash由于缺货导致价格出现上扬，价格上升的幅度较大，市场气氛较为活跃。

上周回顾(2007.07.09-2007.07.15)

 

DDR2方面，由于市场各方面需求继续疲软，但是上游持续惜售导致上周的DDR2颗粒和模组价格继续维持稳定的盘整走势；而DDR400方面则恢复既有的轻微偏软的区间盘整走势。库存水位方面，大陆现货市场的内存库存几乎消耗殆尽，库存水位已不到3天。Nand Flash由于缺货导致价格出现上扬，价格上升的幅度较大，市场气氛较为活跃。

 

下周分析预测(2007.07.15-2007.07.21)：

 

DDR400：

 

尽管DDR400的需求逐步下降，但DDR400的供应明显受到了今年的DRAM产能较大的影响，供应努前依然看似充足。

上周的DDR400出现回调走势，但是跌幅有限，目前DDR400的价格处于接近厂家成本区的位置，未来的下跌的空间有限。

未来整个7月份DDR400的走势仍就取决于DDR2的走势。由于DDR400 8位的颗粒的需求主要集中在电脑的升级需求上，未来的市场需求有限，并已经处在不断萎缩中。需要注意的是DDR400的需求逐步降低但是供应未见明显减少的现实情况下，中线不宜大量投机炒作DDR400，一定要根据你的出货速度来决定你的库存。

 

结论：

 

由于DDR2的价格站稳2美金以上区间，DDR400内存的价格走势将会维持与DDR2同步的机会大一些，也就是维持目前的强势盘整价格走势，但是考量到目前DDR400需求的减少，即使未来出现上涨，DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。

我们对下周的DDR400维持“中性或中偏多”的研判，这主要基于DDR400的颗粒价格接近成本区，而前期DDR2的价格已经出现反弹，市场即将进入暑期旺季。

对于整个7月份的走势同样持“中性”的研判，未来中线在2.20-2.50美金区间震荡盘整的机会较大。

 

下周操作建议：

 

我们建议操作上，在2.2-2.50美金区间，维持合理仓位的库存，区间内底部（2.20-2.35）低吸，区间顶部（2.40-2.50）高抛，正常经营。

颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经接近DDR1的底部区域。

库存水位：5-8天

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主，市场的抛压和套利行为大为减弱，市场的总体库存接近消耗完毕。目前总体市场的气氛有所转好，并渐趋审慎乐观，只是需求仍就维持在淡季即将结束时的水准上。

尽管上周的走势临近周末轻微走软，但是总体还是维持在2.15-2.25区间内盘整。512Mb颗粒价格还是继续成功站稳2.10美金以上区域，我们认为这对后市是十分健康和有益的。

通过上周的震荡盘整，颗粒的平均持仓成本已经上升到2.10美金以上；金士顿的1GB DDR2的模组大陆市场的平均持仓成本上升到310元附近。也是说，未来短线这两个价格不易跌破，除非出现厂家主导的跌价。

由于现货和OEM的需求疲软，但供应维持紧缩，因此7月中下旬的走势将是今年这波涨势能否持续的关键。就目前的形式来看，这将决定未来中短线走势的关键是终端需求（主要指OEM方面）能否在7月下旬启动，在8月份爆发。

7月下旬的合约价格，目前来看很大程度上要继续上升，512Mb颗粒的合约价均价将可能达到2.10-2.20区间的机会机会较大。如果这样的话，那么就预示着未来8、9月份的DRAM价格走势将会趋于乐观，上升的机会增大！

消息面，三星表示NAND供给吃紧，DRAM第三季度有涨价空间，这是该公司近年以来首次最为清晰的关于DRAM价格将会上涨的表态。

另外，南亚科认为，DRAM市况已挥别谷底，目前接单能见度不错，加上传统旺季来临，终端需求不弱，预估7月下旬合约价还有上涨空间，对后市展望乐观，无疑是另一个利好消息。

 

结论：

 

我们对未来短线的DDR2的走势继续持“中偏多”审慎乐观的研判，未来7月下旬的需求将会伴随着暑期需求开始慢慢启动，需求将逐步向好！短线的价格底部已经确立，那就是以64MbX8 UTT颗粒为例短线底部价格为2.10美金附近，金士顿1GB DDR2的短线底部就是305元附近。

下周末的7月下旬合约价格的走势将会决定未来现货市场的价格走势，也就是说目前的DDR2价格走势暂时与现货市场的需求或者关系不大，而是完全决定于合约市场的价格走势或需求变化。

颗粒方面：

DDR2 eTT 64MbX8颗粒的价格已经站稳2.10美金，未来短线颗粒价格再次跌到2.10美金以下的机会并不大，因为这不符合DRAM厂家的长远利益。

在这样一种情况下，7月份市场面临的主要上升障碍来自2.50美金价位，因为产自8寸厂的颗粒成本，当512Mb的现货价格站在2.50美金之上时将会全面盈利，并会大量出现在市场上，这在目前激烈竞争的情况下，这又不符合12寸的利益。

下周继续维持震荡盘整调整的机会较大。因为在继续上攻的难度较大，而回调到2.00美金的机会也不大的情况下，下周继续维持区间（2.10-2.30美金）强势震荡将会是最佳选择。

模组（内存）方面：

由于主要品牌内存的价格均已经上升至300元附近，下周模组的价格将会维持强势，只要金士顿的价格不出现反复，那么整体强势格局不易改变。

目前主要品牌的模组价格均已经站稳300元，未来短线300元具有较强的支撑力，不易轻易跌破此价位，换句话说，300元是短线线的底部。

预计下周金士顿1GB DDR2内存的价格最终将会稳定在310元以上，最高有机会上攻325元价位。

 

下周操作建议：

 

总体而言，目前的颗粒价格维持在2.20美金附近的盘整，是目前的市场最佳选择。未来UTT颗粒价格将会在2.10-2.50美金区间盘整的机会较大，7月份价格eTT颗粒512Mb DDR2价格跌破2.00美金的机会不大。

伴随着颗粒价格的走稳，下周的颗粒价格将会继续维持强势，OEM需求仍将是决定未来价格涨跌的关键因素。下周周末的颗粒价格走势值得我们密切关注，因为合约价格出台前的现货市场的价格一般有机会呈现坚挺走势。

操作建议：

由于今年的上涨行情后期将会极为缓慢并稳吞，7月份余下时段并在2.10-2.50美金区间来回震荡的机会较高，因此颗粒价格的变化将或是决定你的库存水位高低的唯一因素，逢高减磅，逢低吸纳或是你不错的选择。

操作建议：区间内视情况低吸高抛，在一段时间内维持仓位水位基本不变，库存：15天左右

 

Nand Flash：

 

市场继续维持既有的上涨势头，由于主要OEM厂家需求强劲，价格一路维持强势，几乎没有怎么回调。

由于主要厂家一直看好Nand Flash的走势。预示着这波反转行情还有机会持续下去。尽管从供应的情况来看，目前的Nand Flash的供应基本正常的情况下，价格的上升不排除是短期炒作行为将价格推升。价格走高后，未来Nand Flash的走势在下旬将面临短线获利回吐和供应增加的双重考验。另外当大家认识到iPhone的需求可能并未如预期的那样大的时候价格将会回归理性。从长线而言，Nand Flash的价格出现颷升的机会并不大。

未来Nand Flash的价格在7月份中旬后的走势将是关键，目前来看，中短线来讲还是维持强势的机会偏大，风险总体不大，月底前维持高位盘整的机会较大，但是继续上升的机会和空间均不大。

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大，下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势，我们对短线的Nand Flash走势持审慎乐观的态度。目前的Nand Flash的价格接近中线顶部。

是我们对长线的走势维持“中性”的研判。

 

操作建议：

 

由于操作上建议正常经营为主。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场炒作热有所将温，气氛开始渐趋平静，商家对于后市多数继续维持审慎的乐观态度，但是看法分歧也日益加大。炒作指数维持在75分水平附近（满分100分），市场需求仍维持在正常淡季即将结束的水准；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数下降到70分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在70分水平左右，预测下周需求将会有所起色，极有可能是结束淡季的前哨战。

Nand Flash的关注度上升90分水平的附近，市场的炒作气氛出现明显上升，终端需求一般，成交量维持在80分水准。

 

下周内存价格走势预测

 

 

下周颗粒价格走势预测

 

（史军执笔，仅供参考）