上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2007.07.16-2007.22.)
DDR2方面，由于市场需求继续疲软，部分商家开始趋于悲观和恐慌，市场上周的获利回吐明显加大，Mira 512Mb DDR2 UTT颗粒最低重挫至2.01美金。金士顿的DDR2价格同样受到影响，在代理出货价格下跌的带动下，上周其价格持续走软，最低1GB DDR2跌至299元。DDR400方面则，价格也同样出现了明显得下跌，Hynix 512Mb颗粒的价格跌至接近2.10美金位置。Nand Flash由于缺货导致价格在上周继续维持强势走势，但是MLC价格上升势头有所减弱，SLC仍就势头不减，市场气氛虽然仍就活跃，但是毕竟价格已高，风险明显增大，获利回吐压力增大。
下周分析预测(2007.07.23-2007.07.29)：
DDR400：
DDR400的需求维持逐步下降趋势，但DDR400的供应明显受到了今年的DRAM产能较大的影响，供应量相对需求依然充足，这点在上周表现的较为明显，主要品牌都是Hynix的。
上周的DDR400受到需求不佳的影响而出现明显得下跌走势，目前DDR400的价格已经极为接近厂家成本区。前面我们一直有谈到，未来DDR400的整个走势主要取决于DDR2的走势，显然上周的DDR2的下跌同时带动了DDR400的下跌。
由于DDR400 8位的颗粒的需求主要集中在电脑的升级需求上，未来的市场需求有限，并已经处在不断萎缩中。
需要注意的是DDR400的需求逐步降低但是供应未见明显减少的现实情况下，中线不宜大量投机炒作DDR400，一定要根据你的出货速度来决定你的库存。
结论：
由于DDR2的价格中线彻底站稳2美金以上区间，DDR400内存的价格走势将会维持与DDR2同步联动的机会大一些。DDR2走强则DDR400就有机会走强，反以依然！
但是考量到目前DDR400需求的减少，即使未来出现上涨，DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。
我们对下周的DDR400维持“中性”的研判，这主要基于DDR400的颗粒价格已极为接近成本区。
对于整个7月份的走势同样持“中性”的研判，未来中线在2.00-2.30美金区间震荡盘整的机会较大。
下周操作建议：
我们建议操作上，在2.00-2.40美金区间，维持合理仓位的库存，区间内底部（2.00-2.2）低吸，区间顶部（2.22-2.40）高抛，正常经营。
颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经极为接近DDR1的底部区域。
库存水位：5-8天
DDR2：
形势分析：
上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主，这次主要是消化外围市场的颗粒的库存，而外围市场的抛压和套利行为又主要是受到力晶官价调低和需求疲软的影响。
上周价格的下跌导致恐慌性抛盘出现，价格更一路下跌并逼近2.00美金整数关卡，几乎就跌破2.00美金的整数关卡。此轮抛货潮结束后，包括外围市场在内的DRAM市场的总体浮动库存就已接近消耗完毕，总体市场库存处于更为健康的水平。
尽管上周的走势临近周末轻微走软，但是总体走势还是以回补前期的跳空缺口为主，跌到2.00美金恰恰将缺口回补后就止步，说明市场完全处于可控状态。
512Mb颗粒的价格还是继续成功站稳2.00美金以上区域，我们认为这对后市是十分健康和有益的，再次说明市场的颗粒的总体市场平均持仓成本高于2美金的情况。但是大陆市场的Mira UTT颗粒平均成本在2.10美金附近，金士顿的1GB DDR2的平均成本目前处于305元以上。
由于现货和OEM的需求疲软，供应端则继续维持紧缩的情况已经维持一个多月，未来两周将会进入这波涨势能否持续的关键期间。就目前的形势来看，决定未来中线走势的关键仍是是终端需求（主要指OEM方面）能否在7月下旬启动，在8月上旬爆发。
7月下旬的合约价格的上升就预示着未来8、9月份的DRAM价格走势将会趋于乐观，上升的机会明显增大！
消息面，上周南亚、华亚、威刚上周均表示第三季度DRAM价格还有上升空间，第四季度将继续看好！我们认为第四季度尚且遥远，目前还是把注意力集中在第三季度比较现实。
结论：
我们对未来短线的DDR2的走势继续持“中偏多”审慎乐观的研判，目前需求伴随着暑期需求正在开始慢慢启动，未来需求将逐步向好！
中线的价格底部已经确立，那就是以Mira 64MbX8 UTT颗粒为例中线底部价格为2.00美金以上区域，金士顿1GB DDR2的短线底部就是300元以上区域。
颗粒方面：
DDR2 eTT 64MbX8颗粒的价格已经站稳2.00美金，未来中线颗粒价格再次跌到2.00美金以下的机会并不大，因为这不符合DRAM厂家的长远利益。
在这样一种情况下，7、8月份市场面临的主要上升障碍来自2.50美金价位，因为当512Mb的现货价格站在2.50美金之上时，产自8寸厂的颗粒将会全面盈利，并会大量出现在市场上，这在目前激烈竞争的情况下，这显然又又不符合12寸的利益。
由于本次回补缺口的力度较为到位、幅度也较大，一度回调到接近2.00美金的这个前期我们认为机会不大的位置，那么下周价格继续维持轻微上升的机会就较大，价格将很大可能会重上2.10美金。
模组（内存）方面：
由于主要品牌内存的价格均已经上升至300元附近，下周模组的价格将会维持强势，只要金士顿的价格不出现反复，那么整体强势格局不易改变。
目前主要品牌的模组价格均已经站稳300元，未来短线300元具有较强的支撑力，不易轻易跌破此价位，换句话说，300元是短线线的底部。
由于国内需求不佳，预计下周金士顿1GB DDR2内存的价格尽管维持强势的机会较大，但是预计上升幅度就不大，我们基本认为只是有机会重上305-315元区间。
下周操作建议：
总体而言，我们继续维持7月份价格eTT颗粒512Mb DDR2价格跌破2.00美金的机会不大，而目前的市场最佳选择是Mira UTT颗粒的价格短线在2.10-2.50美金区间盘整的机会较大的研判。
下周是Intel CPU降价结束后的第一周，预计总体需求会有高山但是不会有明显的改观，而月底的压力或许会导致部分抛压出现，尽管如此相信上周的恐慌性构造的底部不易跌破！
操作建议：
由于今年的上涨行情后期将会极为缓慢并稳吞，7月份余下时段并在2.10-2.50美金区间来回震荡的机会较高，再次跌破2.10美金的短期几乎不可能再看到了！未来颗粒价格的变化将或是决定你的库存水位高低的唯一因素，逢高减磅，逢低吸纳或是你不错的选择。
操作建议：区间内视情况低吸高抛，在一段时间内维持仓位水位基本不变，库存：15天左右。
金士顿内存的炒作建议半仓炒作，即310元以下逐步分地吸纳至满仓，310元以上逐步减仓至半仓。
Nand Flash：
上周的Nand Flash的价格上升势头开始减弱，获利回吐行为明显增强，这较为符合近一年的Nand Flash的走势特点。也预示着Nand Flash的价格已经接近中线顶部区域。
尽管主要厂家一直看好未来Nand Flash的走势，但是价格上升的幅度已经较大，风险正在加大，以目前的价格来讲，导致价格继续上升的动力已经不足，因为需求并没有大幅增加，而或许可能只是因为iPhone的上市产生的心里预期。
价格走高后，未来Nand Flash的走势在下旬将面临短线获利回吐和供应增加的双重考验。另外当大家认识到iPhone的需求可能并未如预期的那样大的时候价格将会回归理性。
从长线而言，Nand Flash的价格出现颷升的机会并不大，反而随着才能的增加有下跌的压力。
未来Nand Flash的价格在7月下旬的走势将是决定8月份价格是走向的关键所在。尽管目前来看中短线来讲还是维持强势的机会偏大，风险总体不大，月底前维持高位盘整的机会较大，但是继续上升的机会和空间均不大。
结论：
Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大，下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势，我们对短线的Nand Flash走势持改持“中性”的态度，目前的Nand Flash的价格接近中线顶部。
短线有货的继续减仓为主。是我们对长线的走势维持“中性或中偏空”的研判。
操作建议：
操作上建议正常经营为主，建议有货的继续入袋为安。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场炒作热继续将温，气氛开始渐趋平静，商家对于后市看法渐趋审慎，对后市的看法分歧也日益加大。炒作指数维持在75分水平附近（满分100分）。
市场需求仍维持在正常淡季即将结束的水准；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数下降到70分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在70分水平左右。
我们维持下周需求将会有所起色的研判，尤其是在下周随着Intel CPU的降价之后。
Nand Flash的关注度继续维持在85分水平的附近，市场的炒作气氛开始有所收敛，获利回吐行为较为活跃，终端需求一般，成交量维持在80分水准，风险明显加大，目前或是入袋为安的时候了。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
285－310 |
轻微上升的盘整走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400 |
140－160 |
轻微偏软的区间盘整走势 |
下周颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD2.05-2.30 |
轻微上升的盘整走势 |
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Hynix |
512Mb DDR400 |
USD2.05-2.30 |
轻微的下跌走势 |
（史军执笔，仅供参考）
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