上周回顾及下周分析预测
DDR2方面,由于市场需求继续疲软和月底效应,市场气氛明显转趋悲观和恐慌,市场上周的抛压明显加大,Mira 512Mb DDR2 UTT颗粒最低重挫至1.95美金附近。金士顿的DDR2价格同样受到影响,周末最低1GB DDR2跌至285元附近。DDR400方面价格则由稳转软,Hynix 512Mb颗粒的价格跌至2.08美金附近。Nand Flash上周在消息面利好消息的刺激下继续维持强势走势,但是未来的走势究竟如何发展,目前仍难以判断,毕竟价格已高,但是旺季就要来临的情况下,短线的回调的空间不大。
上周回顾(2007.07.23-2007.29.)
DDR2方面,由于市场需求继续疲软和月底效应,市场气氛明显转趋悲观和恐慌,市场上周的抛压明显加大,Mira 512Mb DDR2 UTT颗粒最低重挫至1.95美金附近。金士顿的DDR2价格同样受到影响,周末最低1GB DDR2跌至285元附近。DDR400方面价格则由稳转软,Hynix 512Mb颗粒的价格跌至2.08美金附近。
Nand Flash上周在消息面利好消息的刺激下继续维持强势走势,但是未来的走势究竟如何发展,目前仍难以判断,毕竟价格已高,但是旺季就要来临的情况下,短线的回调的空间不大。
下周分析预测(2007.07.30-2007.08.05):
DDR400:
DDR400的需求维持逐步下降趋势,但DDR400的供应明显受到了今年的DRAM产能减少较慢的影响,供应量相对需求目前依然充足,这点在上周表现的较为明显,主要品牌仍以Hynix为主。
上周DDR400的价格本已经有所企稳,但是受到DDR2现明显得下跌的影响,价格又有轻微走软的迹象,目前DDR400的价格已经极为接近厂家成本区(2美金附近)。
前面我们一直有谈到,未来DDR400的整个走势主要取决于DDR2的走势,显然上周的DDR2的下跌同时带动了DDR400的下跌。
由于DDR400 8位的颗粒的需求主要集中在电脑的升级需求上,未来的市场需求有限,并已经处在不断萎缩中。需要注意的是DDR400的需求逐步降低但是供应未见明显减少的现实情况下,中线不宜大量投机炒作DDR400,一定要根据你的出货速度来决定你的库存。
结论:
但是考量到目前DDR400需求的减少,即使未来出现上涨,DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。我们对下周的DDR400维持“中性”的研判,这主要基于DDR400的颗粒价格已极为接近成本区。
下周操作建议:
我们建议操作上,在2.00-2.40美金区间,维持合理仓位的库存,区间内底部(2.00-2.1)低吸,区间顶部(2.2-2.40)高抛,正常经营。跌破2.00美金的机会渺茫!
颗粒方面,可以适当逢低吸纳,目前的价格已经极为接近DDR1的底部区域。
库存水位:5-8天。
8月底前,维持低吸高抛的策略,不要对DDR400的涨幅抱不切实际的预期,除非DDR2的涨幅较大。
DDR2:
形势分析:
由于受到月底压力和需求疲软的影响,上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主,仍主要是消化外围市场的颗粒的库存,但是非常不幸的是颗粒价格跌破2美金的整数关卡。同时金士顿的1GB DDR2内存的价格最低也跌到287元。市场的气氛较为恐慌并开始悲观,大陆市场的一些商家开始不计成本的赔本抛售内存行为也开始增加。
上周的抛售行为说明目前的需求较为疲软,因此缺口的回补较为彻底,Mira颗粒价格最低已经接近1.90美金。当此轮抛货潮结束后,包括外围市场在内的DRAM市场的总体浮动库存就有机会接近合理范围,未来市场库存将会处于更为健康的水平。但是目前看来,颗粒库存要达到合理水位目标,消化的过程或许还需要时日。
尽管上周的价格继续走软,我们认为截至上周末总体走势还是以回补前期的跳空缺口为主,市场尚未完全失控,但是一旦跌破1.85美金情况就完全不同了。
可以说,目前的抛售行为,多为颗粒通路的投机商斩仓出货行为,他们或许基于对后市的某种判断、或者基于资金压力,或者其它原因。截至目前为止,我们判断这并不是DRAM厂家或模组厂主导的。
由于现货和OEM的需求疲软,供应端则继续维持紧缩的情况已经维持两个多月,8月份将会是这波涨势能否持续最后的关键期。就目前的形势来看,决定未来中线走势的关键仍是是终端需求(主要指OEM方面)启动,尤其是欧美的返校需求,并非完全靠大陆市场。
结论:
跌破前期形成的底部后,DDR2的未来中线走势出现变数,但是大的格局尚未完全破局,尚有一线机会,下周的走势将会是最为关键和惹人注目的。
由于现货市场仍有一定量的颗粒库存需要消化,未来一周将会维持盘整来消化这些库存,我们对下周的DDR2持“中性”研判。
颗粒方面:
上周DDR2 eTT 64MbX8颗粒的现货价格跌破2.00美金,但是主要是通路商家抛货所致,这种情况下,某种程度上下周的力晶颗粒官价就是对走势的最后“判决”。
我们认为跌破2美金并不符合目前的厂家利益,正常情况下厂家会有所动作来纠正这种走势偏差。
8月份的UTT 64MbX8颗粒的价格将会维持在2.00-2.50美金的区间内盘整的机会较大,以此区间范围来低吸高抛操作。
模组(内存)方面:
受颗粒价格下跌影响,金士顿跌破300元关卡后,未来一周的颗粒价格仍是影响模组价格走向的关键所在。
正常情况下,下周模组价格应该会止跌回稳,等待需求的好转。
下周操作建议:
总体而言,我们认为目前的1.90美金附近是短期的价格低点,继续下跌并跌破1.85美金的机会不大。下周后半周是8月的第一周,月末压力解除后,相信抛压会有所减弱。建议逢低吸纳,维持库存,等待机会。
操作建议:2.00以下区间内视情况分地吸纳,在一段时间内维持仓位水位基本不变,库存:15天左右。
金士顿内存的炒作建议半仓炒作,即300元以下逐步分地吸纳至满仓。
8月份的操作维持该策略,即低吸高抛,超过区间顶部时不易盲目追高。
Nand Flash:
Nand Flash价格的上升势头本已经开始减弱,但是上周受到DRAM厂家制程有问题的利好消息刺激,价格继续维持在高位,其中MLC总体维持高位盘整走势,SLC则继续维持强势上升走势。
总体而言,上周的获利回吐行为明显增强,这较为符合近一年的Nand Flash的走势特点,一般而言也预示着Nand Flash的价格已经接近中线顶部区域。
如果没有制程问题,Nand Flash的价格,至少MLC的价格触顶回调将是不可避免,只是幅度大小而已,但SLC主要受到产能减少的影响,价格相信继续维持坚挺的机会偏大。目前传出制程出了问题,我们相信即使有也不会对产能有太大的影响,有的可能只是心里影响较大。消息面,韩国Hynix公司预期第 3季NAND因公司计划扩张产能,第 3 季价格预期会下跌。
尽管主要厂家一直看好未来Nand Flash的走势,但是价格上升的幅度已经较大,风险正在加大。以目前的价格来讲,导致价格继续上升的动力已经不足,因为需求并没有大幅增加。而目前几个上升的动能或许可能只是来自利好消息刺激并非需求面的支撑。
从长线而言,Nand Flash的价格出现颷升的机会并不大,反而随着才能的增加有下跌的压力。
未来Nand Flash的价格走向将会在8月份中旬前决定。尽管目前来看中短线来讲还是维持强势的机会偏大,风险总体不大,月初维持高位盘整的机会较大,但是继续上升的机会和空间均不大。
结论:
Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大,下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势,我们对短线的Nand Flash走势持改持“中性或中偏多”的态度,目前的Nand Flash的价格接近中线顶部。
我们对长线的走势维持“中性或中偏空”的研判。8月份的价格肯定会触顶的,操作上要注意避免高位接货。
操作建议:
操作上建议正常经营为主,由于短线的走势并不明朗,建议有少量货的暂时持仓不动,视下周的情况再动不迟;货多的继续逢高减磅。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场炒作随着DRAM的价格下跌而热度持续降温,气氛开始渐趋平静,商家对于后市看法渐趋悲观,对后市的看法分歧也日益加大。炒作指数将为70分水平附近(满分100分)。
市场需求仍维持在正常淡季即将结束的水准;市场的需求和成交量维持在平均水准,关注指数下降到70分水平,市场总体仍处于淡季状态,成交量维持在70分水平左右。
我们继续维持下周需求将会有所起色的研判,尤其是进入8月份,并在Intel CPU的降价之后和酷暑开始开始有所清凉之后。
Nand Flash的关注度继续维持在85分水平的附近,市场的炒作气氛开始有所收敛,获利回吐行为较为活跃,终端需求一般,成交量维持在80分水准,风险明显加大,尽管是入袋为安的时候了,但是气氛上似乎还是可以继续观望一下再决定。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
265-300 |
先跌后升的盘整走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400 |
140-165 |
先跌后升的区间盘整走势 |
下周颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD1.90-2.00 |
先跌后升的盘整走势 |
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Hynix |
512Mb DDR400 |
USD2.00-2.10 |
先跌后升的区间盘整走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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