上周回顾及下周分析预测

DDR2方面，由于受到市场需求继续疲软和月底压力解除的双重影响，上周DDR2的价格总体维持平静，颗粒价格就轻微回升，内存价格则受威刚抛货影响，先是下跌，后周末受到三星事件的影响价格出现小幅上升。DDR400颗粒就维持盘整走势，而内存的走势与DDR2基本类似。三星工厂变压器失火事件的影响主要在Nand Flash上，本已上涨乏力的Nand Flash价格因此受到激励，周末价格继续强势上扬。

 

上周回顾(2007.7.30-2007.8.5)

 

DDR2方面，由于受到市场需求继续疲软和月底压力解除的双重影响，上周DDR2的价格总体维持平静，颗粒价格就轻微回升，内存价格则受威刚抛货影响，先是下跌，后周末受到三星事件的影响价格出现小幅上升。DDR400颗粒就维持盘整走势，而内存的走势与DDR2基本类似。三星工厂变压器失火事件的影响主要在Nand Flash上，本已上涨乏力的Nand Flash价格因此受到激励，周末价格继续强势上扬。

 

下周分析预测(2007.8.6-2007.8.12)：

 

DDR400：

 

DDR400的需求维持逐步下降趋势，但DDR400的供应明显受到了今年的DRAM产能过大影响，截至目前似乎依然供应不成问题，供应量相对需求目前依然充足。目前的Hynix 64MbX8颗粒的价格已经极为接近成本区，因此支撑力也异常强力。前面我们一直有谈到，未来DDR400的整个走势主要取决于DDR2的走势。另外未来DDR400的走势除了要观察DDR2的变化外，还要密切注意供应面的变化。

 

由于DDR400 8位的颗粒的需求主要集中在电脑的升级需求上，未来的市场需求有限，并已经处在不断萎缩中。

 

需要注意的是DDR400的需求逐步降低但是供应未见明显减少的现实情况下，中线不宜大量投机炒作DDR400，一定要根据你的出货速度来决定你的库存。

 

结论：

 

但是考量到目前DDR400需求的减少，即使未来出现上涨，DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。

 

尽管周末出现了投机炒作，我们对下周的DDR400继续维持“中性”的研判，这主要基于DDR400的颗粒价格已极为接近成本区和市场需求有限的双重考量。

 

对于整个8月份的走势同样持“中性”的研判，未来中线在2.00-2.40美金区间震荡盘整的机会较大。我们不认为DDR400的价格最高能够涨过2.40美金，兼容模组的512MB DDR400Hynix的价格难以涨过165元。

 

下周操作建议：

 

我们建议操作上，在2.00-2.40美金区间，维持合理仓位的库存，区间内底部（2.00-2.1）低吸，区间顶部（2.15-2.40）高抛，正常经营，目前来讲跌破2.00美金的机会渺茫！

 

颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经极为接近DDR1的底部区域。

 

库存水位：5-8天。

 

8月底前，维持低吸高抛的策略，不应对DDR400的涨幅抱不切实际的预期，除非DDR2的涨幅较大。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主，主要以消化外围市场的颗粒的库存为主。下半周由于受到月底压力解除影响，抛压明显减弱，价格就出现轻微上扬的盘整走势；周末则受到三星事件的影响，市场的价格出现小幅上升。

 

上周的抛压明显减弱，说明市场的总体投机库存已经明显下降，并有接近合理库存水位的迹象，但是完全降到合理库存水位还需时日，并需要需求的配合。

 

由于近两个月现货市场和OEM方面的需求持续疲软，供应端则继续维持相对紧缩，因此未来两周份是这波涨势能否继续攀升关键期。

 

就目前的形势来看，决定未来中线走势的关键仍是是终端需求（主要指OEM方面）启动，尤其是欧美的返校需求，并非靠大陆市场。

 

市场的下周焦点将是三星事件的后续炒作能否持续和发酵。

 

结论：

 

尽管现货市场需求排疲软，但是考量到未来一周欧美市场的暑期假期将会陆续结束，员工将返回上班，需求也会逐步好转，因此我们对下周的DDR2持“中性或中偏多”研判。

 

颗粒方面：

 

下周的UTT 64MbX8颗粒的价格将会维持在2.00-2.20美金的区间内盘整的机会较大，以此区间范围来低吸高抛操作，即使市场炒作三星事件暂时难有太大的升幅。

 

模组（内存）方面：

 

由于市场已经先期炒作起来模组的价格，因此模组的价格未来一周的颗粒价格将会维持盘整走势。

 

下周操作建议：

 

操作建议：继续在既有的区间内（UTT颗粒2.00-2.20,金士顿1GB内存暂时以300元为分水岭）低吸高抛并维持一定的库存仓位，等待机会。

 

Nand Flash：

 

前两周Nand Flash价格的上升势头本已经开始减弱，并有变盘前的迹象出现，但是上周受到三星事件的影响，价格周末出现强势上扬。

 

总体而言，上周大部分时段的获利回吐行为明显增强，这较为符合近一年的Nand Flash的走势特点，一般而言也预示着Nand Flash的价格已经接近中线顶部区域。

 

尽管主要厂家一致看好未来Nand Flash的走势，但是毕竟价格上升的幅度已经较大，风险正在加大。以目前的价格来讲，导致价格继续上升的动力已经不足，因为需求并没有大幅增加。而目前上升的动能或许可能只是来自利好消息刺激并非需求面的支撑。

 

从长线而言，Nand Flash的价格出现颷升的机会并不大，反而随着产能的增加有下跌的压力。

 

但是由于三星事件的出现，未来Nand Flash的价格走向将会在8月底前确定。目前来看短线来讲还是维持强势的机会偏大，风险总体不大，月中前维持高位盘整的机会较大，但是这波上涨极有可能就是最后一跳。

 

三星事件对于模组厂而言无疑是重大利好，因为前期他们存有大量的低价库存，目前真是套利的最佳时机！

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大，下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势，我们对短线的Nand Flash走势持改持“中偏多”的研判，预期月中前的Nand Flash的价格将会接近中线顶部。

 

我们对长线的走势维持“中性或中偏空”的研判。8月份的价格肯定会触顶的，操作上要注意避免高位接货。

 

操作建议：

 

操作上建议正常经营为主，货多的暂时持仓待涨，待价格上升后再逐步逢高减磅。但是不建议再盲目追高。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场大部分时间气氛平静，市场炒作气氛低迷，商家对后市的看法分歧也日益加大，只是周末受到三星事件的影响而活跃，但是投机气氛显得较为审慎，炒作指数最末上升为80分水平附近（满分100分）。

 

市场需求仍维持在正常淡季即将结束的水准；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数上升到90分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在75分水平左右。

 

我们继续维持下周需求将会继续有所起色的研判，主要由于欧美暑期假期将会陆续结束，需求将会陆续好转，但是幅度就有待观察！

 

 Nand Flash的关注度继续维持在85分水平的附近，由于三星事件的影响，市场的炒作气氛又开始活跃，终端需求一般，成交量维持在75分水准，风险明显加大，尽管是入袋为安的时候了，但是受到三星事件的影响，似乎市场部分商家还是想继续放手一搏。

 

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）