上周回顾及下周分析预测

DDR2方面，市场继续受到需求疲软的影响，价格表现极不稳定，上周的DDR2价格再次小幅下挫，但暂时仍维持在前期形成的区间内震荡。DDR400的同样受到DDR2走软的影响，DDR1价格急升后有开始轻微走软的迹象。Nnad Flash方面，三星工厂变压器失火事件继续发酵，市场商家看法也两极，不管怎样上周Nand Flash价格继续上扬，利好出尽的情况下，未来一个月的走势可能真的要全看需求了。

 

上周回顾(2007.8.5-2007.8.12)

 

DDR2方面，市场继续受到需求疲软的影响，价格表现极不稳定，上周的DDR2价格再次小幅下挫，但暂时仍维持在前期形成的区间内震荡。DDR400的同样受到DDR2走软的影响，DDR1价格急升后有开始轻微走软的迹象。Nnad Flash方面，三星工厂变压器失火事件继续发酵，市场商家看法也两极，不管怎样上周Nand Flash价格继续上扬，利好出尽的情况下，未来一个月的走势可能真的要全看需求了。

 

下周分析预测(2007.8.13-2007.8.19)：

 

DDR400：

 

DDR400的需求维持逐步下降趋势，但DDR400的供应明显受到了今年的DRAM产能过大影响，尽管出现Hynix的无锡厂关闭的情况，但截至目前为止似乎依然供应不成问题，供应量相对需求目前依然够用。经过前一周的反弹，目前的Hynix 64MbX8颗粒的价格已经脱离成本区2美金附区域近。

 

我们前几期也谈到的，2.00美金的支撑力极强，跌破2美金的机会渺茫，未来DDR400的整个走势还是主要取决于DDR2的走势。

 

由于DDR400 8位的颗粒的需求主要集中在电脑的升级需求上，未来的市场需求有限，并已经处在不断萎缩中。但是供应方面因Hynix的减产而突然减少，未来再次跌到2.00美金附近的机会大为减少。

 

 

结论：

 

但是考量到目前DDR400需求的减少，即使未来出现上涨，DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。

 

尽管近期出现了Hynix厂关闭的偶然事件，价格出现弹升，但是我们对下周的DDR400继续维持“中性”的研判，这主要基于DDR400的颗粒价格反弹已极接近我们多次谈到的其区间顶部区域，总体还是维持区间盘整走势（2.20-2.50美金区间）。

 

对于整个8月份的走势继续持“中性”的研判，但是考虑到海力士无锡厂停产事件影响，未来中线在2.25-2.55美金区间震荡盘整的机会较大。即使出现无锡厂关闭事件后，我们也不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过2.50美金，而兼容模组的512MB DDR400Hynix的价格难以涨过170元。

 

下周操作建议：

 

我们建议操作上，在2.20-2.50美金区间，维持合理仓位的库存，区间内底部（2.20-2.30）低吸，区间顶部（2.40-2.50）高抛，正常经营，目前来讲跌破2.20美金的机会渺茫！

 

颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经极为接近DDR1的底部区域。

 

库存水位：5天左右。

 

8月底前，维持低吸高抛的策略，不应对DDR400的涨幅抱不切实际的预期，除非DDR2的涨幅较大，可以适当加大库存外。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周的DDR2颗粒和模组的急跌走势与前一次（7月底）的走势如出一辙！这是市场库存降低到一定程度后的合理反映，但是从这两次的情况来看，至少说明以下几个问题，一是需求有所转好但是幅度有限；二是老的库存继续得以降低但是又有新的投机库存产生；三是由于各厂家的情况不同，但鉴于目前的情况所有厂家均没有条件也不急于拉升价格。

 

上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主，主要以消化外围市场的颗粒的库存为主。大陆市场的金士顿库存的数量已经处于合理库存水位，目前在300元以下出货的1GB DDR2内存几乎全数为赔钱的。

 

由于近三个月现货市场和OEM方面的需求持续疲软，尽管供应端则继续维持相对紧缩，但是价格就未见任何起色，未来一周将是需求能否好转的关键点。

 

就目前的形势来看，决定未来中线走势的关键仍是终端需求（主要指OEM方面）的启动，尤其是欧美的返校需求，大陆市场很难有所表现。因为大陆市场充满了投机买盘，每逢降价就会有大量的投机性买盘出现。

 

未来三周内，市场的焦点还将是三星事件的后续炒作能否持续和发酵，就是三星是否将DRAM产能转产生产Nand Flash。

 

结论：

 

尽管现货市场需求排疲软，但是考量到下周开始欧美市场的暑期假期将会陆续结束，员工将返回上班，需求也会逐步好转，因此我们对下周的DDR2维持持“中性或中偏多”研判。价格就会继续维持区间（1.90--2.20美金）盘整走势

 

DRAM的价格能否继续反弹，取决于两个重要的因素，一个是需求，另一个是库存。在今年的供大于求的情况下，这两个方面如果有一个不能很好解决，对后市就不要寄予太大的希望。

 

总体而言，如果日后真的价格出现一定幅度的上升，那么目前的1.90－2.20美金的震荡就是消化库存和震仓阶段。目前阶段，据我们的观察和调查，看好后市的商家仍然偏多一点，单从这个层面来讲，短期上升的机会还是不大！

 

颗粒方面：

 

下周的UTT 64MbX8颗粒的价格将会维持在1.90-2.20美金的区间内盘整的机会较大，以此区间范围来低吸高抛操作，也就是2.00美金附近是区间低点，2.10美金以上是区间高位。

 

模组（内存）方面：

 

模组的价格将会与颗粒价格联动，由于其他品牌的内存市场投机库存量普遍很小，因此价格波动一般不大，而且较为缓慢。只是金士顿的价格具有贴近颗粒价格变化的特点，基本上近两个月的特点是在285-315元区间震荡，建议短期可照此区间来低吸高抛。

 

下周操作建议：

 

操作建议：继续在既有的区间内（UTT颗粒1.9-2.20美金,金士顿1GB内存285-315元，以300元为分界线）低吸高抛并维持一定的库存仓位，等待机会；逢高则逐步减仓。

 

建仓时库存10-15天，减仓时降至3-5天。

 

Nand Flash：

 

Nand Flash方面上周继续持续发酵三星失火事件，我们认为该事件的对价格的影响肯定是正面的，也就是说，本已经即将到顶的Nand Flash价格，在经历这一事件后将会继续攀升，并登峰造极，直至盛极而衰！

 

目前的需求并非价格的直接推动力，由于三星失火事件的效应在目前并不会实际显现出来，因为包括工厂在内的业内商家手里都有一定量的库存，下半月价格才会真正反映该事件的实际影响。

 

目前价格已经被人为预先推高的情况下，如果未来下半月发现这个预推价格已过高地预估了三星造成的损失时，那么未来价格向下调整将不可避免。同样如果发现预推的价格实际被低估了，那么价格再次上扬也是顺理成章的事情。

 

消息面，Hynix的8月份开始Nand Flash产能增加100%，东芝的厂能也在增加。而苹果的iPhone销量继续增加，但是受到与电讯运营商捆绑的限制，其它绝大多数国家暂时并未销售，因此对Nand Flash的贡献远不如iPod。

 

9月份为欧美的返校需求忘记，尽管传统上主要集中在电脑产品上，但是对Nand Flash产品的需求同样也是旺季！

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大，下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势，我们对短线的Nand Flash走势持改持“中偏多”的研判，预期月中前最迟月底前的Nand Flash的价格将会接近中线顶部。

 

我们对长线的走势维持“中性或中偏空”的研判。8月份的价格肯定会触顶的，操作上要注意避免高位接货。

 

操作建议：

 

操作上建议正常经营为主，货多的下周还是可以暂时持仓待涨，待价格上升后再逐步逢高减磅。但是不建议再盲目追高。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场大部分时间气氛平静，市场炒作气氛低迷，商家对后市的看法分歧日益加大，炒作指数开始有所下降，降为75分水平附近（满分100分）。目前DRAM市场面临的困境还是供大于求。

 

市场需求开始步出淡季，需求已经有轻微好转迹象；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数维持在75分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在75分水平左右。

 

我们继续维持下周需求将会有所起色的研判，主要由于欧美暑期假期将会陆续结束，需求将会陆续好转，但是幅度就有待观察！

 

Nand Flash的关注度继续维持在85分以上的水平，市场的炒作气氛始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准，风险正在加大，尽管是入袋为安的时候了，但是受到三星事件的影响，市场部分商家还是想继续放手一搏，预计月底前Nand Flash的价格就会触顶。

 

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）