上周市场回顾及下周分析预测

DDR2方面继续受到需求疲软的影响，外加市场的投机屯货行为严重，导致市场出现明显的追涨杀跌现象，价格表现的极为虚弱。上周的DDR2价格再次急挫，已经跌破前期最低点，后市堪忧。DDR400的同样受到DDR2走软的影响，DDR1继续持续轻微走软。上周Nand Flash价格总体继续维持高位盘整，随着价格的持续上扬，终端需求也开始出现抑制情况，现货市场的商家也变得较为审慎，未来的走势仍然显得充满变数。

上周回顾(2007.8.13-2007.8.19)

 

DDR2方面继续受到需求疲软的影响，外加市场的投机屯货行为严重，导致市场出现明显的追涨杀跌现象，价格表现的极为虚弱。上周的DDR2价格再次急挫，已经跌破前期最低点，后市堪忧。

 

DDR400的同样受到DDR2走软的影响，DDR1继续持续轻微走软。

 

上周Nand Flash价格总体继续维持高位盘整走势，随着价格的持续上扬，终端需求也开始出现抑制情况，现货市场的商家也变得较为审慎，未来的走势仍然显得充满变数。

 

下周分析预测(2007.8.20-2007.8.26)：

 

DDR400：

 

DDR400的需求维持缓慢夫人下降趋势，但受到Vista普及不理想和前期Intel支持DDR400 主板芯片的清仓影响，在DIY市场形成支持DDR400的装机配件的总体价格相对偏宜的情况，导致低端需求主要集中在DDR400上，从而使DDR400的销量得以维持在高位。

 

就今年的DIY市场的需求目前来讲，主要特点是低端需求所占比例偏大，而高端需求迟迟未见改善的特点。在内存需求上就表现为，DDR400的需求依然不错，DDR2的需求则不温不火。但是我们估计原来的DIY市场的一部分高端需求已经转移到品牌电脑和笔记本上。

 

需要注意的是DDR400的需求逐步降低但是供应也见减少的情况下，价格却继续走软，未来两者的关系变化就更值得密切注意。从Hynix无锡厂停产后的这段时间的情况来看，供应还是处于供轻微大于求的状态。

 

结论：

 

因此我们维持中线不宜大量投机炒作DDR400，一定要根据你的出货速度来决定你的库存。

 

但是考量到目前DDR400需求的减少，即使未来出现上涨，DDR400的涨跌幅度可能会均小于DDR2。

 

尽管近期出现了Hynix无锡厂关闭的偶然事件，但是我们对下周的DDR400继续维持“中性”的研判。

 

对于整个8月份的走势继续持“中性”的研判，但是考虑到海力士无锡厂停产事件影响，未来中线在2.15-2.45美金区间震荡盘整的机会较大。我们不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过2.40-2.50美金区间， 512MB DDR400 Hynix兼容模组的价格也难以涨过170元。

 

下周操作建议：

 

根据上周的供求变化情况，我们建议操作上，在2.10-2.50美金区间，维持合理仓位的库存，区间内底部（2.10-2.20）低吸，区间顶部（2.30-2.50）高抛，正常经营，目前来讲跌破2.10美金的机会渺茫！

 

颗粒方面，可以适当逢低吸纳，目前的价格已经极为接近DDR1的底部区域。

 

库存水位：5天左右。

 

8月底前，维持低吸高抛的策略，不应对DDR400的涨幅抱不切实际的预期，除非DDR2的涨幅较大，方可以适当加大库存外。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上两周的DDR2颗粒和模组的急跌走势与7月底的走势如出一辙！这是市场库存降低所必须经过的一个阶段。而这次的价格下跌，直到上周五，价格才有一点止跌的迹象，走势极为惊心动魄，市场也一度出现恐慌。

 

从这两次的情况来看，至少说明以下几个问题：

 

一是需求有所转好但是幅度极为有限，需求需求呈现淡季效应；

 

二是老的库存继续得以降低但是又有新的投机库存产生；

 

三是由于各厂家的情况不同，目前所有厂家均没有条件也不急于拉升价格；

 

四当前市场投机盘和库存太多的情况下，难以出现像样的反弹，也就更不要奢望出现反转上升的大行情了！

 

上周DDR2 64MbX8 eTT颗粒价格继续以盘整消化获利盘为主，主要以消化外围市场的颗粒的库存为主，从目前的情况来看，截至上周末为止，消化的不够理想，仍有大量颗粒库存存在！

 

大陆市场的金士顿库存的数量已经处于合理库存水位，目前在300元以下低价出货的1GB DDR2内存几乎全数为赔钱的，但是在仍有相当一部分人持仓待涨的情况下，后续继续选择横盘震荡的机会较大，短期内不会有大的反弹行情出现的。

 

未来两周内，市场的焦点还将是三星事件的后续炒作能否持续和发酵，具体到DRAM就是三星是否将DRAM产能转产生产Nand Flash。

 

结论：

 

尽管竖起需求未能出现，现货市场需求疲软，但是考虑到返校需求开始陆续显现，需求会逐步好转，因此我们对下周的DDR2继续维持“中性或中偏多”研判，但是长线我们就改持“中偏空”研判。

 

DRAM的价格能否继续反弹，取决于两个重要的因素，一个是需求，另一个是供应。这两个方面有一个不能很好解决，以今年的供大于求的情况来讲，就不要寄予太大的希望。我们认为今后几周如果继续有超过70％以上的商家看好后市，并囤积库存，今年的反弹可能就是不温不火！并极有可能到此为止了！

 

总体而言，如果日后真的价格出现一定幅度的上升，那么目前的1.75－2.20美金的震荡就是消化库存和震仓阶段。目前阶段，据我们的观察和调查，看好后市的商家开始有所下降，但是由于需求不理想，囤积的库存消化过慢，并不理想，单从这个层面来讲，短期上升的机会还是不大！

 

颗粒方面：

 

下周的UTT 64MbX8颗粒的价格将会维持在1.75-1.90美金的区间内盘整的机会较大，以此区间范围来低吸高抛操作，也就是1.80美金附近是区间低点，1.90美金以上是区间高位。

 

模组（内存）方面：

 

模组的价格将会与颗粒价格联动，由于其他品牌的内存市场投机库存量普遍很小，因此价格波动一般不大，但是目前主要受到金士顿的价格超跌的影响较大，金士顿的价格极为贴近颗粒价格变化的特点，再次将所有品牌的价格快速下拉。金士顿下周基本上会在265-275元区间震荡，建议短期可照此区间来低吸高抛。

 

下周操作建议：

 

操作建议：继续在既有的区间内（UTT颗粒1.75-1.90美金,金士顿1GB内存265-275元），区间内低吸高抛，并维持一定的库存仓位，等待机会；逢高则逐步减仓。

 

逢低建仓时，库存7-8天；逢高减仓时，库存降至2-3天。

 

Nand Flash：

 

由于现货市场的需求审慎，追高意愿不强，上周的Nand Flash价格继续呈现高位盘整走势，价格总体变化不大，有涨有跌基本维持窄幅盘整走势。由于上游释放的货源有限，现货市场目前的库存正在逐步被消化掉，如果在未来2-3周内供应未能有效增长，价格将会出现再次上涨；反之就会下跌。

 

月底前的库存消化的情况将是决定未来Nand Flash现货市场价格走向的关键，因为一旦如果库存现行消化完毕，将会形成补货需求，价格也就遇到支撑，难以回调。而三星的失火事件的影响最有可能在8月底和9月初显现出来，这段时间将是价格变化的关键期。

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持偏强区间盘整的概率较大，下周末前Nand Flash价格也将会继续维持强势，我们对短线的Nand Flash走势持维持“中偏多”的研判，石臼预期后续Nand Flash的价格继续上升的空间不大，但是短期下跌的机会也小，相对而言维持中性或中偏多的机会就较大。

 

我们对长线的走势维持“中性或中偏空”的研判。8月份的价格肯定会触顶的机会偏大，操作上要注意避免高位接货。

 

操作建议：

 

操作上建议正常经营为主，货多的下周还是可以暂时持仓待涨，待价格上升后再逐步逢高减磅。但是不建议再盲目追高。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场大部分时间气氛悲观，市场炒作气氛低迷，商家对后市的看法开始转趋悲观，炒作指数继续下降，降为50分水平附近（满分100分）。目前DRAM市场面临的困境还是是供大于求及需求疲软。

 

市场需求步出淡季仍面临困难，尽管需求已经有轻微好转迹象，但是变化不大；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数维持在75分水平，市场总体仍处于淡季状态，成交量维持在70分水平左右。

 

我们继续维持下周需求将会有所起色的研判，主要由于欧美返校需求即将开始显现，但是幅度就有待观察！

 

Nand Flash的关注度继续维持在85分以上的水平，市场的炒作气氛始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准，风险正在加大，尽管是入袋为安的时候了，但是受到三星事件的影响，市场部分商家还是想继续放手一搏，预计月底前Nand Flash的价格触顶的机会较大。

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）