上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2007.9.10-2007.9.16)
上周现货市场的Nand Flash价格总体继续维持震荡下跌走势,临近周末时,价格由于市场抛货暂停而出现小幅反弹。
上周大陆现货市场需求轻微转好,在利空消息基本出尽的情况下,市场的恐慌也暂时告一段落,低价求售的行动也回归理性,DDR2价格暂时逐步走稳。DRAM厂家不断地扩充产能仍是造成目前局面的最根本原因,解铃还需系铃人。
DDR400的价格由于产能减少,需求相对稳定,上周价格维持窄幅盘整,周初轻微走软后,周末受DDR2价格影响轻微上扬。
下周分析预测(2007.9.17-2007.9.23)
DDR400:
上周DDR400的窄幅盘整走势,再次验证了DDR400目前的供求关系仍维持在恐怖的动态平衡中,并且价格极易受到DDR2走势的影响,并产生窄幅波动。
总体上而言,DDR400的需求维持在缓慢下降中,但是供应也处于下降之中。目前市场的DDR400需求总体还是不错的。
由于生产厂家的产能有限,而未来可以预计的一段时间内DDR400的需求还是会维持较为稳定态势,双方的任何轻微变化都将导致价格出现变化。
结论:
我们维持中线不宜大量投机炒作DDR400德建议,一定要根据你的出货速度来决定你的库存,但是我们对下周的DDR400继续维持“中性”的研判。对于整个9月份的走势继续持“中性”的研判。
考虑到海力士无锡厂停产事件影响,未来中线在2.15-2.50美金区间震荡盘整的机会较大。
如果DDR2价格维持稳定或疲软的情况下,我们不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过2.40-2.50美金区间, 512MB DDR400 Hynix兼容模组的价格也难以涨过170元。
下周操作建议:
根据上周的供求变化情况,我们维持原有的操作建议,即在2.10-2.50美金区间,区间内底部2.20附近低吸,维持合理仓位的库存,区间顶部(2.35-2.50)高抛,正常经营。
库存水位: 3-5天左右。
DDR2:
形势分析:
上周我们谈到目前的局势并非需求面所能改变的,局势的任何变化都将是供应面出现变化。那么上周512Mb UTT的价格在1.20美金处再次止跌回稳是否也是这样呢?答案是肯定的,那就是现货市场主要DRAM厂家在价格上采取了一些不同前期的策略调整,暂时取消了价格保护。
市场需求面变化总体不大,市场总体需求继续维持轻微好转走势。
但是市场通路商和市场商家方面,值得注意的是其现货市场的总体库存已经大幅下降到不到一周。市场的商家的补货节奏完全恢复常态,就市场商家层面而言,情况极为健康!
尽管上游库存方面已经大幅下降,但是考虑到模组的库存在内的话,就尚未达到合理库存水位。
64MbX8 DDR2颗粒的成本方面,目前90nm约占总产能的60-70%,70nm约占30%左右,还有不到5%的少量的采取90nm以上制程产能,目前市场的512Mb DDR2颗粒的平均变动成本约在1.50-1.8美金区间。
结论及下周操作建议:
我们维持9月份有机会出现一波反弹行情的研判,这主要是由于9月份是传统的欧美旺季,而且9月份又是第三季度的最后一个月,并且现货市场的库存经过7月末以来的几次急速下跌,已经降到一定的水位,目前可以说是形势微妙,但是对于多方而言或许是万事具备只欠东风,也就是厂家的态度变化。
但是具体到下周,我们认为DDR2在下周将会维持轻微偏强的走势,64MbX8颗粒的价格在1.30-1.40美金的区间运行的机会较大。是否能够走高一步,还要看三星和Hynix的态度。
操作建议:适当逢低适当,逢高逐步减磅!
Nand Flash:
上周已经确立了未来的Nand Flash的价格走势将处于下降通道中,尽管临近周末时出现了反弹,但就相信只是暂时的下跌途中的反弹,即大跌小涨、长跌短涨。
上期我们谈到,目前Nnad Flash的处于供轻微大于求中,由于年底仍是旺季,由于市场气氛仍算良好,因此短期的下跌不会很急,但是已经不可逆转。
由于中期没有革命性新产品诞生,未来的需求也将会维持温和增长,而非爆炸性的增长,短期的Nand Flash的需求成长将会主要依赖于现有产品的容量的提升,长线则寄托于SSD(固态硬盘)的商业化。
目前,Nand Flash的产能正在迅速扩充中,由于Nand Flash按容量计算的需求增长也同时处于快速提升中。
这其中包含产品容量的不断提升、产品的更新换代、原来没有采用Flash的老产品开始采用Flash设计和新产品的不断诞生,所以我们相信有着强劲需求支撑Nand Flash暂时尚不会出现DRAM的崩盘走势。
尽管我们暂时看空未来一段时间的价格走势,但是这并不妨碍我们看好未来的Nand Flash发展和成长。
结论:
Nand Flash的价格下周继续维持偏软的窄幅区间盘整的机会偏大,但是临近旺季,短期即使回调空间也不大,但是已经确定开始进入下降通道中。
我们对长线的走势改持“偏空”的研判;短线这继续维持“中偏空性”研判。目前的价格已经处于下降通道中。
操作建议:
操作上建议正常经营为主,但是不建议再盲目追高或投机。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场的悲观气氛由于利空消息的出尽开始逐步趋于平静,市场炒作气氛维持低迷,商家对后市的看法已经接近完全看空,炒作指数继续下降,维持在50分以下水准(满分100分)。目前DRAM市场面临的困境还是是供大于求及需求疲软。
市场需求正在步出淡季但仍面临困难,尽管需求已经有轻微好转迹象,但是变化不大;市场的需求和成交量维持在平均水准,关注指数上升到70分水平,市场总体仍处于正常季节水准,成交量上升到80分水平左右。
我们继续维持下周需求将会有所起色的研判,主要由于欧美圣诞需求即将开始显现,但是幅度就有待观察!
由于跌价,Nand Flash的关注度开始下降。但是由于DRAM的疲软走势,Nand Flash的关注度仍维持80分以上的水平,市场的炒作气氛继续萎缩,终端需求正常,成交量维持在75-80分水准,价格正处于下降通道之中。
下周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
195-235 |
轻微偏强的区间盘整走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400 |
155-165 |
稳定的区间盘整走势 |
下周颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD1.25-1.40 |
轻微偏强的区间盘整走势 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD2.25-2.40 |
稳定的的区间盘整走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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