上周回顾及下两周分析预测

上周现货市场的Nand Flash价格总体呈现急跌反弹走势，市场总体追涨气氛相对稍显谨慎，周末价格开始趋稳，成交量总体一般。 由于DRAM的供大于求的情况短期难以得到根本改变，上周DRAM现货市场主要生产厂家开盘后，价格迅速跌破前期1.20美金的支撑位，并开始考验1.10美金的关卡。在此消息带动下，本已经稳定品牌DDR2内存的价格开始再次下滑，多数品牌实际成交价格已经跌破200元关卡。 DDR400的价格由于产能减少，需求相对稳定，上周价格维持窄幅坚挺的盘整走势，周末受DDR2价格下跌影响轻微波动。

上周回顾(2007.9.17-2007.9.23)

上周现货市场的Nand Flash价格总体呈现急跌反弹走势，市场总体追涨气氛相对稍显谨慎，周末价格开始趋稳，成交量总体一般。

由于DRAM的供大于求的情况短期难以得到根本改变，上周DRAM现货市场主要生产厂家开盘后，价格迅速跌破前期1.20美金的支撑位，并开始考验1.10美金的关卡。在此消息带动下，本已经稳定品牌DDR2内存的价格开始再次下滑，多数品牌实际成交价格已经跌破200元关卡。

DDR400的价格由于产能减少，需求相对稳定，上周价格维持窄幅坚挺的盘整走势，周末受DDR2价格下跌影响轻微波动。

下周分析预测(2007.9.24-2007.10.07)

DDR400：

形势分析：

上周DDR400的窄幅盘整走势，再次验证了DDR400目前的供求关系仍维持在恐怖的动态平衡中，并且价格极易受到DDR2走势的影响,并产生窄幅波动。

总体上而言，DDR400的需求维持在缓慢下降中，但是供应也处于下降之中。目前市场的DDR400需求总体还是不错的。
由于生产厂家的产能有限，而未来可以预计的一段时间内DDR400的需求还是会维持较为稳定态势，双方的任何轻微变化都将导致价格出现变化。

结论：

我们维持中线不宜大量投机炒作DDR400的建议，一定要根据你的出货速度来决定你的库存，但是我们对下周的DDR400继续维持“中性”的研判。对于9月份余下时段到10月中旬的走势继续持“中性”的研判。

考虑到海力士无锡厂停产事件影响，未来中线在2.15-2.50美金区间震荡盘整的机会较大。

如果DDR2价格维持稳定或疲软的情况下，我们不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过2.40-2.50美金区间， 512MB DDR400 Hynix兼容模组的价格也难以涨过170元。

下周操作建议：

根据上周的供求变化情况，我们维持原有的操作建议，即在2.10-2.50美金区间，区间内底部2.20附近低吸，维持合理仓位的库存，区间顶部（2.35-2.50）高抛，正常经营。

库存水位： 3－5天左右。

DDR2：

形势分析：

我们一再谈到目前的局势并非需求面所能改变的，局势的任何变化都将是供应面出现变化。上周力晶开盘出货再次打破前一周的供需平衡，价格再次下滑也就不意外了。

市场通路商和市场商家德库存方面

大陆现货市场的内存的总体库存已经大幅下降到不到一周，约只有3-5天，也就是正常合理库存水位。市场的商家的补货节奏完全恢复常态，就大陆市场商家库存层面而言，情况较为健康。

但是上游盘商和模组厂的库存就不正常了，尚未达到合理库存水位，因为两者经常都面临着被DRAM厂家塞货的命运。
而DRAM厂家的库存依然偏大，否则也就不会下跌倒今天这个价位了。

市场需求面变化总体不大，市场总体需求继续维持轻微好转走势。

64MbX8 DDR2颗粒的成本方面，目前90nm以上的产能约占总产能的60%以上，70nm以下产品约占35%以上左右，还有不到5%的少量的采取90nm以上制程产能，目前市场的512Mb DDR2颗粒的平均变动成本仍维持在1.50-1.7美金区间。

由于下周一、二香港、台湾市场由于中秋节公共假期休息，相信下周的DDR2价格下跌速度将会减缓，由于内存价格下周将会补跌，所谓的十一补货需求也将不会出现的机会大增。

结论及下周操作建议：

9月份反弹的最后一线机会也被DRAM厂家的残酷竞争给无情地打破了，这说明DRAM厂家的竞争已经到了刺刀见红的阶段，同时也说明目前的产能仍然较大，库存压力依然存在，厂家的减产目前还没有看到任何实质效果。

由于三星和Hynix仍维持积极的价格策略，导致台湾DRAM厂家的价格难以提升；问题的关键是台湾的DRAM厂家自己的产能扩充太快，原有的渠道已经难以自我消化，只有不断地向下游模组厂和盘账塞货和向现货市场抛货来套现，导致价格不断下滑。

如果DRAM厂家不减产的话，这场游戏就难以结束！但是目前我们认为，DRAM行业面临整合和换血，因为暂时谁都不愿意减产的情况下，最终的结果唯有烧不起钱的厂家面临被整合的结果。

操作建议：正常经营！等待机会！

Nand Flash：

形势分析：

未来的Nand Flash的价格走势将处于下降通道中，尽管上周出现反弹，但就相信只是暂时的下跌途中的反弹，即大跌小涨、长跌短涨。目前的反弹也只是库存下降到一定程度时的市场合理反应。

目前Nnad Flash的处于供轻微大于求中，由于年底仍是消费旺季，由于市场气氛仍算良好，因此短期的下跌不会很急，维持大跌小涨的态势。但是就已经快过了OEM的采购旺季，总体形势已经不可逆转。

目前，Nand Flash的产能正在迅速扩充中，除东芝，三星、hynix、美光等原来的主要生产厂家在迅速扩充产能外外，台湾的力晶也已经加入到Nand Flash的生产厂家的阵营中，并且在迅速扩充产能，以规避DRAM的价格波动，预计在未来两个季度内产能将会有明显得增长。

尽管如此，Nand Flash按容量计算的需求增长也同时处于快速提升中。这其中包含产品容量的不断提升、产品的更新换代、原来没有采用Flash的老产品开始采用Flash设计和新产品的不断诞生，所以我们相信有着强劲需求支撑Nand Flash暂时尚不会出现DRAM的崩盘走势。

尽管我们暂时看空未来一段时间的价格走势，但是这并不妨碍我们看好未来的Nand Flash发展和成长。

结论：

Nand Flash的价格下周继续维持偏软的窄幅区间盘整的机会偏大，但是临近旺季，短期即使回调空间也不大，但是已经确定开始进入下降通道中。

我们对长线的走势改持“偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空性”研判。目前的价格已经处于下降通道中。

操作建议：

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的悲观气氛再次浓厚，由于利空消息不断出现，市场炒作气氛维持低迷，商家对后市的看法已经接近完全看空，炒作指数继续下降，维持在50分以下水准（满分100分）。目前DRAM市场面临的困境还是是供大于求及需求一般。

尽管需求已经有轻微好转迹象，但是变化不大；市场的需求和成交量维持在平均水准，关注指数维持70分水平，市场总体仍处于正常季节水准，成交量维持到80分水平左右。

我们继续维持下周需求将会有所起色的研判，主要是十一长假期备货需要。

由于反弹，Nand Flash的关注度有所上升。但是由于DRAM的疲软走势，Nand Flash的关注度仍维持80分以上的水平，市场的炒作气氛继续萎缩，终端需求正常，成交量维持在75-80分水准，价格仍处于下降通道之中。

 

下周内存价格走势预测

 

下周颗粒价格走势预测