上周回顾及下周分析预测
由于厂家成本的下降和出货价格的下调,上周现货市场的Nand Flash价格继续呈现总体下跌的走势,市场气氛相对审慎,买家量出为入,成交量总体一般。鉴于DDR2的供大于求的情况短期难以得到根本改变,上周DRAM现货市场主要生产厂家开盘后,64MbX8颗粒的价格迅速跌破前期1.10美金的支撑位,并开始考验1.00美金的关卡。同时在三星原装模组价格下挫的带动下,市场1GB品牌模组的价格全面走软,平均价格跌至160元附近区间。 DDR400的价格由于产能减少,需求相对稳定,上周价格维持小幅上升走势,64MbX8颗粒价格缓步攀升到2.65美金附近。
上周回顾(2007.10.08-2007.10.14)
由于厂家成本的下降和出货价格的下调,上周现货市场的Nand Flash价格继续呈现总体下跌的走势,市场气氛相对审慎,买家量出为入,成交量总体一般。
鉴于DDR2的供大于求的情况短期难以得到根本改变,上周DRAM现货市场主要生产厂家开盘后,64MbX8颗粒的价格迅速跌破前期1.10美金的支撑位,并开始考验1.00美金的关卡。同时在三星原装模组价格下挫的带动下,市场1GB品牌模组的价格全面走软,平均价格跌至160元附近区间。
DDR400的价格由于产能减少,需求相对稳定,上周价格维持小幅上升走势,64MbX8颗粒价格缓步攀升到2.65美金附近。
下周分析预测(2007.10.15-2007.10.21)
DDR400:
前期我们谈到,由于生产厂家的产能有限,而未来可以预计的一段时间内DDR400的需求还是会维持较为稳定态势,双方的任何轻微变化都将导致价格出现变化。上周DDR400稳中趋坚走势,再次验证了DDR400目前的供求关系仍维持在恐怖的动态平衡中。
总体上而言,DDR400的需求维持在缓慢下降中,但是供应也处于下降之中。目前市场DDR400的供应减少的速度大于需求减少的速度,使市场的DDR400出现轻微供小于求的局面,价格于是出现小幅上升的态势就不可避免。
结论:
我们对DDR400的走势改持“中偏强”的研判,但是我们不认为年底前DDR400 64MbX8的价格能够涨过3.00美金。
考虑到海力士无锡厂停产事件影响,未来中线在2.50-3.00美金区间震荡盘整的机会较大。至于涨不过3美金关卡的原因主要是DDR400的需求会由于其与DDR2的价差过于悬殊而萎缩。
如果DDR2价格维持稳定或疲软的情况下,考虑到DDR400的价格高过DDR2同容量的价格太多,我们不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过3.00美金区间。
下周操作建议:
根据上周的供求变化情况,我们操作的建议,即适当在2.50-2.70美金区间逢低吸纳,维持7-10天库存,区间顶部(2.80-3.00)逢高减磅,正常经营。
库存水位: 7天左右。
DDR2:
形势分析:
由于严重的供大于求,导致DDR2的价格快速下跌,短期这种情况还是难以改变。近期市场的投机风气有所抬头,部分商家开始有囤积颗粒和模组的苗头出现,但是价格却依然维持下跌走势,这从一个侧面说明目前的供求失衡还是非常严重。目前谈行情反转似乎还是偏早!
大陆市场的商家方面,当品牌模组1GB DDR2价格跌破200元后,便开始有投机压货行动;而国际市场方面,模组和DRAM厂家的颗粒库存水位依然偏高,难以在短期消化得完。
颗粒厂家方面,产能由于70nm的良率提升而不断提高,库存压力与日俱增,尽管Hynix和Elpida高调表示暂时不向现货市场出货,但是这并不等于减产,何况只是暂时将产品屯于仓库中,未来一旦库存压力出现还是要倒向现货市场的,到时价格将会再次面临压力,因此实际效果人有待观察!
市场需求面变化总体不大,维持正常水准,但是略低于往年同期。
64MbX8 DDR2颗粒的成本方面,目前90nm以上的产能约占总产能的55%左右,70nm以下制程产品约占45%左右,目前市场的512Mb DDR2颗粒的平均变动成本下降到1.40-1.70美金区间。年底前,DRAM厂家将会悉数采用70nm制程量产,到时情况将才会趋于明朗。
结论及下周操作建议:
由于DRAM厂家均在第四季度积全力冲刺70nm制程,按照以往经验来看,在转换新制程和提升良率的第四季度减产的机会渺茫。另一方面,DRAM厂家不会在70nm未全面量产前就出现整合,因为这时并不是整合的最佳时机和合理时间点。
从近几日力晶老板黄崇仁先生的发言来看,DRAM厂家减产的可能性几乎不存在;另一方面,龙头企业三星的态度也基本上持这一态度。我们基本可以排除减产的可能性,未来DRAM厂家的出路方向将会循整合的方向发展,因此这需要时间就长和残酷,但是较为彻底。
如果从生产产品的成本角度讲,目前的64MbX8颗粒价格已经很便宜了,是否采购,价格已经不是问题。价格何时反弹只是时间的问题,因为价格已经超低,并低于其正常的价值。但是时间长短将会决定64MbX8的目前的价格还有多大的反弹空间,最为悲观的看法是直接被128MbX8的成本压榨掉反弹空间。
操作建议:合理库存,正常经营!等待机会!下周大陆市场的投机炒作将会抬头,模组价格将会维持盘整走势的机会较大。
Nand Flash:
Nand Flash供应开始逐步增大,这主要源于主要DRAM厂家的产能的大幅增加,这也包括原来没有新增的台湾力晶厂家开始转产Nand Flash的产能。
需求面,由于近期Nand Flash在应用方面没有的革命性产品出现,近期的需求主要以更新换代和周期性容量提升为主,因此相信未来一段时间内,未来应映成本的下跌和产能的提升,Nand Flash的价格已经开始进入新的下跌周期中,即已经步入下跌通道,未来将会呈现震荡下跌走势,任何反弹也将是暂时的。
消息面显示,近期主要Nand Flash生产厂家都在积极扩产和提升制程,来应对未来的Nand Flash的高速成长,但是Nand Flash需求的成长是渐进式的,而产能的增长却是爆炸式。在产能爆发后需求却不能跟上的阶段里,价格的走软将会不可避免。同时这也是厂家的成本的降低后的合理反映,因为本身厂家也希望借助价格的下降将会带动需求的提升和刺激消费者采用更大容量的产品,并从而实现新的应用产品诞生。例如固态硬盘目前主要受制于Nand Flash的高价格,而不能普及。
尽管如此,Nand Flash按容量计算的需求增长也同时处于告诉增长中。这其中包含产品容量的不断提升、产品的更新换代、原来没有采用Flash的老产品开始采用Flash设计和新产品的不断诞生。
尽管我们暂时看空未来一段时间的价格走势,但是这并不妨碍我们看好未来的Nand Flash发展和成长。未来几年内,消费品市场中的主要应用产品都将会与Flash沾边。因此可以说,Flash将是推动需求的一个引擎并不为过。
结论:
Nand Flash的价格下周继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大,并继续维持在下降通道中,任何反弹都是暂时的。
我们对长线的走势持“偏空”的研判;短线这继续维持“偏空”研判。目前的价格已经处于下降通道中。
操作建议:
操作上建议正常经营为主,目前的形势下不建议盲目追高或投机。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场的悲观气氛再次浓厚,由于利空消息不断出现,市场炒作气氛维持低迷,商家对后市的看法已经接近完全看空,炒作指数小幅上升,在70分水准(满分100分)。目前DRAM市场面临的困境还是是供大于求。关注指数上升到80分水平,市场总体仍处于正常季节水准,成交量维持到80分水平左右。
Nand Flash的关注度仍维持80分以上的水平,市场的炒作气氛继续萎缩,终端需求正常,成交量维持在75-80分水准,价格仍处于下降通道之中。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
150-180 |
轻微偏软或弱势盘整走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400 |
170-190 |
稳定的区间盘整走势 |
下周颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD1.00-1.10 |
弱势盘整走势,但是趋缓 |
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Hynix |
512Mb DDR400 |
USD2.60-2.80 |
稳步趋坚走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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